• 한국재료학회지
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• 제5권1호
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• pp.87-95
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• 1995

Al과 Si사이에서 Ti의 충진처리가 확산방지막 성능에 미치는 영향에 대해서 조사하였다. TiN의 충진처리는 $450^{\circ}C$의 $N_{2}$ 분위기에서 30분간 열처리함으로써 행하였다. TEM 분석을 통해 갓 증착된 TiN의 결정립 사이에는 약 10-20$\AA$ 정도의 고체물질이 없거나 TiN에 비해 밀도가 매우 낮은 공간이 존재함을 알 수 있었다. 또한 충진처리된 TiN의 경우에는 이러한 공간의 폭이 10$\AA$ 이하로 줄어듦을 알 수 있었다. RBS와 AES 분석에 의해 갓 증착된 TiN는 dir 7at.% 정도의 산소를 함유하고 있었고, 충진처리된 TiN는 약 10-15at.%의 산소를 함유하고 있었다. 갓 증착된 TiN와 충진처리된 TiN를 확산방지막으로 시험한 결과, 갓 증착된 TiN는 $650^{\circ}C$, 1시간의 열처리 후에 Al 스파이크와 Si 패임자국의 형성으로 이해 파괴되었다. 하지만 충진처리된 TiN의 경우에는 같은 열처리 조건에서 Al 스파이크나 Si 패임자국을 전혀 찾아볼수 없었다. 따라서, TiN의 충진처리가 Al과 Si사이에서 확산 방지막 성능을 크게 향상시켜주는 효과가 있음을 알 수 있었다. 이와 같은 충진처리 효과는 TiN의 결정립계의 간격이 줄어듦에 의해서 빠른 확산 경로인 결정립계를 통한 확산이 감소하는 것에 기인하는 것으로 이해된다.

• 한국재료학회지
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• 제6권7호
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• pp.733-741
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• 1996

본 연구에서는 MeV Si 자기 이온주업을 실시하여 주업원자와 모재 원자와의 화학적 영향이 배제된 결함 형성 거동을 관찰하였다. 자기 이온주업을 위하여 Tandem Accelerator가 사용되었고 1~3 MeV의 에너지 범위의 이온주입이 실시되었다. MeV 이온주입된 시편의 격자결함은 표면으로부터 고립된 $R_p$ 근처에 집중된 것이 관찰되었다. 주입에너지 변화에 따른 격자결함 생성 거동을 관찰하기 위하여 조사량을 $1{\times}10^{15}/cm^2$으로 고정하고 주입에너지를 1~3 MeV로 증가하였다. RBS 분석 결과 격자결함의 형성층 깊이는 에너지 증가에 따라 증가하였고 표면층에는 에너지 증가시 더욱 좋은 결정성을 유지하였다. 또한 주입에너지가 일정한 경우 조사량 증가시 $R_p$ 부근에 집중된 결함층의 농도는 증가하였으나 표면부근의 결함농도는 임계조사량 이상에서 포화되는 것이 관찰되었다. XTEM 분석 결과는 RBS의 결과와 잘 일치하였다. XTEM 관찰 결과 이온주업 상태의 결함층은 dark band의 형태로 관찰되었고 열처리시 이차결함은 이곳으로부터 생성되었다. 2MeV $Si^+$ 자기 이온주입시 이차결함이 형성되는 임계조사량은 $3{\times}10^{14}{\sim}5{\times}10^{14}/cm^2$ 사이로 관찰되었다. 열처리시 dark band의 하단부의 위치는 변화하지 않고 상단부만이 제거되었다. 실험을 통하여 얻은 결과들은 Monte-Carlo technique을 이용한 TRIM-code를 사용하여 해석하였다. SIMS 분석을 통하여 이차결함은 모재내에 존재하는 oxygen 불순물을 gettering함을 관찰하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 춘계학술대회 및 기술 세미나 논문집 디스플레이 광소자
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• pp.39-40
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• 2008

We have examined post-annealing and passivation for the transparent bottom gate IGZO TFT having an inverse co-planar structure. The oxygen-vacuum two step annealing enhanced the field effect mobility up to 18 $cm^2$/Vsandthesub-threshold swing down to 0.2V/dec. However, the hysterysis and the bias stability problems could not be solved just by post-annealing. Thus, we have passivated the bottom gate IGZO TFTs with organic and inorganic materials. $Ga_2O_3$, $Al_2O_3$, $SiO_2$ and some polymer materials were effective materials for passivations. The hysterysis and the stability of the TFTs were remarkably improved by the passivations. We have manufactured the AMOLED panel with the transparent bottom gate IGZO TFT array successfully.

• 전기학회논문지P
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• 제64권3호
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• pp.182-186
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• 2015

We investigated that effects of annealing ambient on the characteristics of functional nano thin film synthesized on glass substrate. The functional nano thin films were annealed by using rapid thermal annealing (RTA) equipment in vacuum, oxygen and nitrogen ambient, respectively. The hardness of the functional nano thin films were measured by a standard hardness testing method (ASTM D3363) such as a H-9H, F, HB and B-6B pencil (Mitsubishi, Japan). Also, the adhesion of the functional nano thin films were measured by a standard adhesion testing method (ASTM D3359) using scotch tape (3M, Korea). The contact angle of the functional nano thin films was measured by a contact angle analyzer (Phoenix 300 Touch, S.E.O.). The optical property of functional nano thin films was measured via UV-visible spectroscopy (S-3100, Scinco).

• 폴리머
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• 제36권3호
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• pp.393-400
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• 2012

광전소자 유연기판으로 사용되는 폴리에테르설폰(PES) 필름 위에 E beam을 이용하여 저온 증착된 indium tin oxide(ITO) 박막 특성을 살펴보았다. 증착 시 기판 온도가 증가함에 따라 저온 열처리 과정에서 ITO 결정화가 잘 이루어져 면 저항의 감소와 투과도가 증가됨을 알 수 있었다. 증착 시 사용된 산소 가스는 ITO의 결정화를 촉진시켜 면 저항 감소와 투과도 증가에 도움을 줌을 확인하였다. PES 기판 표면 거칠기가 증가될수록 증착된 ITO의 결정화가 잘 이루어지지 않으며 이는 면 저항의 증가 및 투과도의 감소 요인으로 작용함을 알 수 있었다.

• 한국결정성장학회지
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• 제12권4호
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• pp.184-189
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• 2002

초음파 분무 MOCVD법에 의한 $(Pb_{0.91}La_{0.09})(Zr_{0.65}Ti_{0.35})O_3$(PLZT) 박막의 제조와 광학적, 전기적 특성을 조사하였다. Pb의 휘발성을 고려하여 0.2M의 precursor에 Pb를 5 wt%, 10 wt%과잉 첨가하였다. ITO-coated glass 기판 위에 산소분위기에서 30분 동안 증착한 후 in-situ 상태의 RTA (rapid thermal annealing) 방식으로 열처리를 하였다. 단일 perovskite상의 결정화 온도는 $600^{\circ}C$였다. Pb를 10 wt% 과잉 첨가한 박막의 최대 광투과율은 520nm에서 약 84%로 광학적 특성이 우수하였으며, 유전상수는 약 308의 값을 가졌고, 누설전류는 Pb를 0, 5 wt% 과잉 첨가한 PLZT 박막보다 낮은 값을 가졌다.

• 전기전자학회논문지
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• 제24권2호
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• pp.604-609
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• 2020

본 연구에서는 RF 스퍼터를 이용하여 SiC 기판위에 AlN막을 증착하고 급속 열처리 (RTA) 공정의 온도에 따른 AlN/4H-SiC 구조의 전기적, 재료적 특성에 대한 영향을 분석하였다. 400도에서 RTA 공정을 진행한 Ni/AlN/4H-SiC SBD 소자의 온/오프 비율은 RTA 공정 전 그리고 600도에서 RTA 공정을 한 소자에 비해 약 10배정도 높은 값을 가졌다. 또한 오제이 전자현미경을 통한 원자성분 분석을 통해 증착한 AlN 층내의 존재하는 산소의 양이 후열 처리 조건에 따라 변화함을 확인하였고 소자의 온/오프 비율 그리고 온-저항 등 소자의 성능에 영향을 주는 것을 분석하였다. 추가적으로, 제작한 소자의 노출된 음향 주파수에 따른 전기적 특성변화를 분석하였다.

• 한국진공학회지
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• 제9권4호
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• pp.341-345
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• 2000

p형 Si (100)기판 위에 reactive DC magnetron sputtering으로 증착한 $ZrO_2$박막에 대하여 증착 조건과 열처리 조건에 따른 미세구조의 변화 및 전기적 특성 변화를 관찰하였다. 증착 및 열처리 온도가 증가하고 power 증가할수록 $ZrO_2$의 굴절율은 증가되어 이상적인 2.0~2.2에 근접하였다. 상온에서 증착된 $ZrO_2$ 박막은 비정질이며 $300^{\circ}C$에서 증착한 경우 $ZrO_2$박막은 다결정이었다. 산소 분위기에서 열처리를 수행한 박막의 RMS 값은 증착직후보다 높아지고 계면 산화막은 산소의 확산에 의해 두께가 증가하였다. A1/$ZrO_2$/p-type Si(100)의 C-V과 I-V 특성을 관찰하였고, 그 결과 산소분위기에서 열처리하는 경우 계면 산화막의 두께증가로 Cmax 및 누설전류가 감소함을 알 수 있었다.

• 센서학회지
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• 제11권1호
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• pp.60-65
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• 2002

$ZnGa_2O_4$박막 형광체는 기판 온도 $550^{\circ}C$, 산소 분압 100mTorr에서 Si(100) 기판 위에 펄스레이저 증착법을 이용하여 증착시켰고, 이렇게 증착되어진 박막을 $600^{\circ}C$와 $700^{\circ}C$에서 후 열처리하여 발광 특성을 조사하였다. X-선 회절 실험 결과, 후열처리 온도를 증가시킴에 따라서 $Ga_2O_3$ 상이 나타남을 확인할 수 있었다. 발광 스펙트럼은 460nm에서 최고 피크값을 나타내었으며. 350에서 600nm까지 갖는 넓은 밴드의 발광 특성을 나타내었다. 후열처리에 따른 $ZnGa_2O_4$ 박막은 다른 형태의 발광 강도와 grain 크기를 나타내었다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제13권4호
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• pp.312-317
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• 2000

Ferroelectric S $r_{0.9}$/B $i_{2.1}$/T $a_{2}$/ $O_{9}$ solutions were synthesized using sol-gel process in which strontinum ethoxide bismuth ethoxide trantalum ethoxide were used a s startring materials. SBT thin films were coated on Pt/Ti/ $SiO_2$/Si substrates by spin-coating. rapid thermal annealing (RTA) was used to promote crystallization. Thin films were annealed at $700^{\circ}C$ for 1 hr in an oxygen atmosphere. This temperature is about 10$0^{\circ}C$ lower than the usual annealing temperature for SBT thin films. Pt top-electrode was deposited by sputtering and thin films were post-annealed at $700^{\circ}C$ for 30 min. to enhance electrical properties. As the RTA temperature increased the higher 2 $P_{r}$ values were obtained. At RTA temperature being 78$0^{\circ}C$ remanent polarization of S $r_{0.9}$/B $i_{2.1}$/T $a_{2}$/ $O_{9}$ thin film was 7.73 $\mu$C/cm $_2$ and the leakage current density was 1.14$\times$10$^{-7}$ A/c $m^2$ at 3 V. As RTA temperature increased the breakdown voltage was decreased. It is considered that the low-field breadown is caused by the rough surface of SBT films and forming bismuth metal in SBT thin films.films.lms.