• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2004년도 SMICS 2004 International Symposium on Maritime and Communication Sciences
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• pp.57-59
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• 2004

The melting temperature and critical temperature (Tc) of YBa$_2$Cu$_3$Ox with deferent content impurities of PbO and BaPbO$_3$ were studied. When the PbO was used as addition in YBa$_2$Cu$_3$Ox, although the melting point could be reduced, the superconductivity (the transition wide, ΔTc) became poor. From the XRD pattern of the sintered mixture of YBa$_2$Cu$_3$Ox and PbO it was known that there is a reaction between YBa$_2$Cu$_3$Ox and PbO, and the product is BaPbO$_3$. In the process of the reaction the superconducting phase of YBa$_2$Cu$_3$Ox was decreased and in the sample BaPbO$_3$became the main phase. Therefore the superconductivity was reduced. BaPbO$_3$was chosen as the impurity for the comparative study. The single phase BaPbO$_3$was synthesized by the simple way from both mixtures of BaPbO$_3$and PbO, BaPbO$_3$and PbO$_2$. Deferent contents of BaPbO$_3$(10%, 20%, 30%) were added in the YBa$_2$Cu$_3$Ox. By the phase analysis in the XRD patterns it was proved that there were not reactions between YBa$_2$Cu$_3$Ox and BaPbO$_3$. When BaPbO$_3$was used as impurity in YBa$_2$Cu$_3$Ox the superconductivity was much better than PbO as impurity in YBa$_2$Cu$_3$Ox But the melting point of YBa$_2$Cu$_3$Ox with BaPbO$_3$could not be found when the temperature was lower than 1000 $^{\circ}C$ in the DTA measurement.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제15권8호
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• pp.1771-1776
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• 2011

미세 입자 크기를 갖는 $YBa_2Cu_3Ox$(YBCO) 초전도 분말을 이용하여 $BaPbO_3$ 첨가에 따른 $YBa_2Cu_3Ox$ 초전도 벌크의 임계전류를 향상시키는 요소인 시편의 밀도와 결정들의 정렬 상태를 향상시키고, 기공도를 감소시키기 위한 연구를 수행하였다. 졸겔법으로 미세 크기를 갖는 $YBa_2Cu_3Ox$ 초전도 분말을 합성하여 입자의 크기가 0.2~1 ${\mu}m$의 미세한 분포를 갖는 초전도 분말을 사용하고, $YBa_2Cu_3Ox$ 초전도 시편의 입자 성장을 촉진시키고, 기공과 입계간의 약연접을 감소시키기 위하여 금속 물질 및 구조 화합물인 $BaPbO_3$를 10~30 wt%를 첨가하여 시편을 제작하고 특성을 관찰하였다. 나노 크기를 갖는 YBCO 분말과 $BaPbO_3$ 20 wt%를 첨가하여 제작한 $YBa_2Cu_3Ox$ 초전도 시편은 일반적인 벌크 제작법으로 제작된 시편과 비교하여 임계전류가 20% 향상된 4.74A를 얻었다.

• 한국환경과학회지
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• 제14권7호
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• pp.669-674
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• 2005

Catalytic combustion of toluene was investigated on $CuOx/SnO_2-ZrO_2\;CuOx/SnO_2\;CuOx/ZrO_2$ catalysts prepared by impregnation. Characteristics of catalysts loaded on binary support and single support were observed by TPR, TPO, XRD, XPS techniques. The results on catalytic combustion showed that binary supports improve the activity of copper in the combustion of toluene. The reason for high catalytic activity on toluene combustion of $CuOx/SnO_2-ZrO_2$ catalyst was ascribed to oxidation$\cdot$reduction activity at low temperatures and stability of oxidation state after reduction.

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 2003년도 하계학술발표회
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• pp.36-37
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• 2003

To increase the high-density data storage, a new technique of Super-resolution near-field structure (Super-RENS) consisted of glass／SiN／Sb or AgOx／SiN has been proposed and investigated intensively as a promising structure for near-field ultrahigh-density optical storage. Hence it is important to determine the optical properties of AgOx by using ellipsometry. AgOx thin films were prepared by using magnetron sputtering technique while oxygen flow rate was varied, and the film growth of AgOx were monitored by using in situ ellipsometer. (omitted)

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제32권5호
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• pp.357-360
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• 2019

We demonstrate an alignment technology using an imprinting process on an inorganic NiOx film. The aligned nanopattern was fabricated on a silicon wafer by laser interference lithography. The aligned nano pattern was then imprinted onto the sol-gel driven NiOx film using an imprinting process at an annealing temperature of $150^{\circ}C$. After the imprinting process, parallel grooves had been formed on the NiOx film. Atomic force microscopy and water contact angle measurements were performed to confirm the parallel groove on the NiOx film. The grooves caused liquid crystal alignment through geometric restriction, similar to grooves formed by the rubbing process on polyimide. The liquid crystal cell exhibited a pretilt angle of $0.2^{\circ}$, which demonstrated homogeneous alignment.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제20권1호
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• pp.113-117
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• 2021

A composite active layer was designed based on graphene quantum dots, which is a low-dimensional structure, and a heterogeneous active layer of graphene quantum dots was applied to the interfacial defect structure to overcome the limitations. Increasing to 1.5~3.5 wt % PVP GQD, Vf changed from 2.16 ~ 2.72 V. When negative deflection is applied to the lower electrode, electrons travel through the HfOx/ITO interface. The Al + ions are reduced and the device dominates at low resistance. In addition, as the PVP GQD concentration increased, the depth of the interfacial defect decreased, and the repetition of appropriate electrical properties was confirmed through Al and HfOx/ITO. The low interfacial defects help electrophoresis of Al+ ions to the PVP GQD layer and the HfOx thin film. A local electric field increase occurred, resulting in the breakage of the conductive filament in the defect.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2015년도 제49회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.181.1-181.1
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• 2015

용액 공정을 이용한 Resistive random access memory (ReRAM)은 간단한 공정 과정, 대면적화, 저렴한 가격 등의 장점으로 인해 큰 관심을 받고 있으며, HfOx, TiOx, AlOx 등의 산화물이 ReRAM 절연 막으로 주로 연구되고 있다. 더 나아가 최근에는 organic 물질을 메모리 소자로 사용한 연구가 보고되고 있다. 이는 경제적이며, wearable 또는 flexible system에 적용이 용이하다. 그럼에도 불구하고, organic 물질을 갖는 메모리 소자는 기존의 산화물 소자에 비해 열에 취약하며 전기적인 특성과 신뢰성이 우수하지 못하다는 단점을 가지고 있다. 이를 위한 방안으로 본 연구에서는 AlOx - polymethylmethacrylate (PMMA) blended thin film ReRAM을 제안하였다. 이는 organic물질의 전기적 특성을 개선시킬 뿐 아니라, inorganic 물질을 wearable 소자에 적용했을 때 발생하는 crack과 같은 기계적 물리적 결함을 해결할 수 있는 새로운 방법이다. 먼저, P-type Si 위에 습식산화를 통하여 SiO2 300 nm 성장시킨 기판을 사용하여 electron beam evaporation으로 10 nm의 Ti, 100 nm의 Pt 층을 차례로 증착하였다. 그리고 PMMA 용액과 AlOx 용액을 초음파를 이용하여 혼합한 뒤, 이 용액을 Pt 하부 전극 상에서 spin coating방법으로 1000 rpm 10초, 5000 rpm 30초의 조건으로 증착하였다. Solvent 및 불순물 제거를 위하여 150, 180, $210^{\circ}C$의 온도로 30 분 동안 열처리를 진행하였고, shadow mask를 이용하여 상부 전극인 Ti를 sputtering 방식으로 100 nm 증착하였다. 150, 180, $210^{\circ}C$로 각각 열처리한 AlOx - PMMA blended ReRAM의 전기적 특성은 HP 4156B semiconductor parameter analyzer를 이용하여 측정하였다. 측정 결과 제작된 소자 전부에서 2 V이하의 낮은 동작전압, 안정된 DC endurance (>150cycles), 102 이상의 높은 on/off ratio를 확인하였고, 그 중 $180^{\circ}C$에서 열처리한 ReRAM은 더 높은 on/off ratio를 갖는 것을 확인하였다. 결론적으로 baking 온도를 최적화하였으며 AlOx - PMMA blended film ReRAM의 우수한 메모리 특성을 확인하였다. AlOx-PMMA blended film ReRAM은 organic과 inorganic의 장점을 갖는 wearable 및 system용 비휘발성 메모리소자에 적용이 가능한 경제적인 기술로 판단된다.

• Journal of Nutrition and Health
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• 제44권2호
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• pp.101-111
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• 2011

It is controversial whether low calcium intake, commonly associated with osteoporosis, results in calcium accumulation in soft tissues. This study was conducted to investigate the effects of low calcium (Ca) and oxalate (ox) intake on soft-tissue Ca deposits and bone metabolism in ovariectomized (ovx) rats. Eight week old female Sprague-Dawley rats were ovariectomized and divided into four groups. The rats were fed experimental diets containing low (0.1%, w/w) or normal (0.5%, w/w) Ca with or without sodium oxalate (1%, w/w); Sham/NCa, Ovx/NCa, Ovx/LCa, Ovx/NCa-ox, Ovx/LCa-ox for 6 weeks. All ovx rats showed a remarkable increase in body and tissue weight, glutamic oxaloacetic transaminase, glutamic pyruvic transaminase, blood urea nitrogen, alkaline phosphatase, and decreases in weight, ash, and Ca contents, as well as bone breaking force compared to those in sham rats. Serum Ca concentration was not significantly affected by dietary Ca levels or ox intake. Kidney Ca, ox acid content, and microscopic Ca deposition increased remarkably in the Ovx/LCa-ox group compared to those in the other groups. Ca content in the spleen and aorta also increased significantly, but the weight contents, Ca, bone breaking force, and Ca and oxalic acid in feces decreased significantly in the Ovx/LCa-ox group. Serum parathyroid hormone levels were not significantly different among the groups. These results indicate that low Ca intake decreased bone mineral content and increased Ca deposits in soft tissues, which was aggravated by ox intake in ovx rats. Thus, high ox intake may result in a kidney disorder in patients with osteoporosis who eat a low Ca diet.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.353-353
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• 2014

본 연구에서는 Sputter를 이용하여 Room Temp.에서 증착된 NbOx 박막의 열처리에 따른 결정도를 분석하고, 이러한 결정도의 변화가 Metal Insulator Transition특성에 의한 Threshold switching에 어떠한 영향을 미치는 지에 대하여 연구하였다. NbOx 박막의 threshold switching 특성 분석을 위해, 1.4um의 TiN 위에 15nm의 NbOx를 증착하고 Top Electrode로 Pt를 증착하여 측정하였다. 증착된 NbOx는 Nb metal target으로 Reactive Sputter를 이용하여 Room Temp.에서 증착하였으며, 조성은 Partial Oxygen Pressure를 이용하여 조절하였다. 증착된 박막의 결정도는 TEM 및 XRD를 통하여 분석하였고 조성은 XPS를 이용하여 분석하였다. Sputter로 NbOx 증착 시 Partial Oxygen Pressure에 따른 조성을 XPS로 확인한 결과, Partial Oxygen Pressure 2%에서 NbOx의 조성을, 5%이상일 경우, Nb2O5의 조성을 가지는 것으로 확인되었다. Partial Oxygen Pressure 2%에서 증착한 NbOx 박막의 열처리에 따른 결정도를 분석한 결과, As-Dep상태에서는 amorphous상태였다가 600'C이상으로 1분간 열처리를 하였을 때 NbOx의 결정도가 증가함을 확인하였다. I-V 특성 측정 결과, 열처리 온도가 증가함에 따라 initial current가 점진적으로 증가하는 경향을 보이는데, 이는 열처리 시 amorphous상에서 poly-crystalline으로 미세구조의 변화가 일어나면서 grain boundary가 생성되며 생성된 grain boundary를 통해 leakage current가 증가하는 것으로 추측된다. 또한, 결정도가 증가함에 따라 electro-forming voltage가 감소하는 경향을 보이며 안정된 threshold switching 특성을 보이고 있다. 특히, 700'C 1분간 열처리 시에는 electro-forming 과정이 없이 threshold switching이 나타나는 현상이 관찰되었다. 이로 미루어 보아, threshold switching에서 나타나는 forming 현상은 local joule heating에 의해 박막이 결정화 되는 과정으로 추측된다. 결론적으로, 박막의 결정도가 initial current 및 Threshold switching 특성에 큰 영향을 미치는 것으로 예상된다.

• 공업화학
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• 제18권1호
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• pp.90-93
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• 2007

Oxazine 720 (Ox720)의 응집체 생성을 에탄올, 물 및 $TiO_2/P123$ 나노 복합체 분위기 하에서 흡수, 형광 및 여기상태 흡수 스펙트럼을 측정하여 연구하였다. 수용액에서 Ox720는 상당량이 H-형 이량체로 존재하며, 농도가 증가할수록 이량체의 양은 증가하였다. 주어진 농도 범위의 에탄올 용액에서는 대부분의 Ox720이 단량체로 존재하지만 미량의 H-형 및 J-형 이량체도 존재하였다. 메조구조를 갖는 $TiO_2/P123$ 나노 복합체 박막은 에탄올 용액과 수용액의 중간 정도에 해당하는 H-형 이량체를 포함하였으며, Ox720 단량체에 대한 비교적 좋은 고체 용매이다.