Proceedings of the Korean Institute of Building Construction Conference
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2022.04a
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pp.93-94
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2022
The presence of chloride (Cl-) ions in environments causes localized corrosion resulting decrease the durability of the structures. In this study, 5% Mg containing Al alloys (Al-5Mg) wire used vis-à-vis compared its corrosion resistance with pure Al in 3.5wt.% NaCl solution with exposure periods. Initially both wires exhibited identical open circuit potential (OCP) attributed to the presence of native oxide film on the surface but with the exposure periods it shifted towards active direction owing to the dissolution of oxide film. The pure Al continuously shifted the OCP towards active direction while Al-5Mg shows stabilization of OCP after 8 days of exposure. The OCP of Al-5Mg is slightly higher compared to pure Al wire owing to the activeness of Mg. The total impedance of the Al-5Mg alloy is almost three times greater than pure Al with exposure periods in 3.5 wt.% NaCl solution. It might be formation of Al-Mg LDH (layered double hydroxide) thin film onto the surface.
Electrochemical promotion of the reaction rate was investigated for CO oxidation in a solid electrolyte catalytic reactor where a thin film of Pt was deposited on the yttria stabilized zirconia as an electrode as well as a catalyst. It was shown under open circuit condition that potential was a mixed potential of $O_2$exchange reaction and electrochemical reaction induced by CO. The effect of electrochemical modification on the CO oxidation rate was studied at various overpotentials and $P_{CO}$$P_{O2}$.
Proceedings of the Korean Society of Marine Engineers Conference
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2002.05a
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pp.135-139
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2002
Most of all the mechanical devices are becoming more high-speed and high-power as well as their used condition being more polluted. So, it is necessary for these devices to equip cooling system to overcome that kind of severe using condition. In this study, corrosion test was carried out in distilled and tap water for the investigation on the corrosion characteristics of Al-alloy that is using as material for radiator.
This paper deals with the comparison and analysis for open-circuit field of PM(permanent magnet) machines with Halbach and circumferential magnetized rotor. The governing equation is derived in terms of magnetic vector potential and 2-d polar coordinate. And then, analytical results has been verified by comparison with those obtained from FE(finite element) method. On the basis of 2-d analytical results, this paper confirms that PM machines with circumferential magnetized rotor is superior to it with Halbach magnetized rotor in terms of magnitude and sinusoidal wave-forms of flux density due to PM and required magnet volume.
In this paper, electrochemical and microstructural characteristics of nickel-plated Alloy 600 were investigated in order to identify the performance of electroless Ni-plating on Alloy 600 in high-temperature aqueous condition with the comparison of electrolytic nickel-plating. For high temperature corrosion test of nickel-plated Alloy 600, specimens were exposed for 770 hours to typical PWR primary water condition. During the test, open circuit potentials (OCP's) of all specimens were measured using a reference electrode. Also, resistance to flow accelerated corrosion (FAC) test was examined in order to check the durability of plated layers in high-velocity flow environment at high temperature. After exposures to high flow rate aqueous condition, the integrity of surfaces was confirmed by using both scanning electron microscopy (SEM) and energy dispersive spectroscopy (EDS). For the field application, a remote process for electroless nickel-plating was demonstrated using a plate specimen with narrow gap on a laboratory scale. Finally, a practical seal design was suggested for more convenient application.
The Transactions of The Korean Institute of Electrical Engineers
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v.59
no.5
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pp.860-865
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2010
When a circuit breaker is opened, a large capacitance around the buses, the circuit breaker and the potential transformer (PT) might cause PT ferroresonance. During PT ferroresonance, the iron core repeats saturation and unsaturation even though the supplied voltage is a rated voltage. This paper describes an analytical analysis of PT ferroresonance in the transient-state. To analyze ferroresonance analytically, the iron core is modelled by a simplified two-segment core model in this paper. Thus, a nonlinear ordinary differential equation (ODE) for the flux linkage is changed into a linear ODE with constant coefficients, which enables an analytical analysis. In this simplified model, each state, which is either saturated or unsaturated state, corresponds to one of the three modes, i.e. overdamping, critical damping and underdamping. The flux linkage and the voltage in each state are obtained analytically by solving the linear ODE with constant coefficients. The proposed transient analysis is effective in the more understanding of ferroresonance and thus can be used to design a ferroresonance prevention or suppression circuit of a PT.
This paper introduces major potential faults of IPMSM and their simulation realization methods. The faults of IPMSM, generally, contain single-phase open circuit, single-phase or 3-phase short circuit, and uncontrolled generation. When different fault occurs, the circuit of total system including motor and inverter also will be changed. Therefore, it is necessary to analyze and establish independent model for each kind of fault. In this paper, first, the drive circuit is analyzed as different fault type. Then, the corresponding simulation results solved in Simulink@MATLAB are given. The absence of experiment results leads that the veracity of simulation results can not be verified, but the tendency will be explained by theory analysis.
New insights are presented in simplified modeling and analysis of free vibrations of piezoelectric - based smart structures and systems. These consist, first, in extending the wide used piezoelectric-thermal analogy (TA) simplified modeling approach in currently static actuation to piezoelectric free-vibrations under short-circuit (SC) and approximate open-circuit (OC) electric conditions; second, the popular piezoelectric strain induced - potential (IP) simplified modeling concept is revisited. It is shown that the IP resulting frequencies are insensitive to the electric SC/OC conditions; in particular, SC frequencies are found to be the same as those resulting from the newly proposed OC TA. Two-dimensional plane strain (PStrain) and plane stress (PStress) free-vibrations problems are then analyzed for above used SC and approximate OC electric conditions. It is shown theoretically and validated numerically that, for both SC and OC electric conditions, PStress frequencies are lower than PStrain ones, and that 3D frequencies are bounded from below by the former and from above by the latter. The same holds for the modal electro-mechanical coupling coefficient that is retained as a comparator of presented models and analyses.
Superstrate pin amorphous silicon thin-film(a-Si:H) solar cells are prepared on $SnO_2:F$ and ZnO:Al transparent conducting oxides(TCO) in order to see the effect of TCO/p-layers on a-Si:H solar cell operation. The solar cells prepared on textured ZnO:Al have higher open circuit voltage VOC than cells prepared on $SnO_2:F$. Presence of thin microcrystalline p-type silicon layer(${\mu}c-Si:H$) between ZnO:Al and p a-SiC:H plays a major role by causing improvement in fill factor as well as $V_{OC}$ of a-Si:H solar cells prepared on ZnO:Al TCO. Without any treatment of pi interface, we could obtain high $V_{OC}$ of 994mV while keeping fill factor(72.7%) and short circuit current density $J_{SC}$ at the same level as for the cells on $SnO_2:F$ TCO. This high $V_{OC}$ value can be attributed to modification in the current transport in this region due to creation of a potential barrier.
Superstrate pin amorphous silicon thin-film (a-Si:H) solar cells are prepared on $SnO_2:F$ and ZnO:Al transparent conducting oxides (TCO) In order to see the effect of TCO/P-layers on a-Si:H solar cell operation. The solar cells prepared on textured ZnO:Al have higher open circuit voltage $V_{oc}$ than cells prepared on $SnO_2:F$. Presence of thin microcrystalline p-type silicon layer $({\mu}c-Si:H)$ between ZnO:Al and p a-SiC:H plays a major role by causing improvement in fill factor as well as $V_{oc}$, of a-Si:H solar cells prepared on ZnO:Al TCO. Without any treatment of pi interface, we could obtain high $V_{oc}$, of 994mv while keeping fill factor (72.7%) and short circuit current density $J_{sc}$ at the same level as for the cells on $SnO_2:F$ TCO. This high $V_{oc}$ value can be attributed to modification in the current transport in this region due to creation of a potential barrier.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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