Effects of ferrite grain size on static and dynamic deformation behaviors of SCM415 stels were investigated in this study. Dynamic torsional test was conducted using torsional Kolsky bar with the strain rate of $1.6{\times}10^3/s$. Specimens with three different grain size of ferrite, $4.6{\mu}m$, $11{\mu}m$, $35.5{\mu}m$ were used. Dimple fracture mode of the dynamic test specimens showed adiabatic shear bands on the beneath of fracture surface. Increased uniform elongation and decreased non-uniform elongation appeared as grain size of ferrite decreased in dynamic torsional test. However, shear strength was independent on grain size of ferrite.
A computer model was proposed to simulate channel changes and bed material sorting of the meandering channels with different grain size in time and space simultaneously. The bed at the outside of the meandering channel with mixed sediments was scoured deeply and composed of coarser materials, and at the inside was aggradated and composed of finer materials. The sorting process started at the upstream inflection point and was finished at the downstream inflection point. At the natural with complicated boundaries and non-uniform grain sizes, the bed near the outside at the bend and narrow width was scoured deeper with coarse materials than in the channel with uniform grain sizes. The point bars showed lip at the inside near the bend and the bed materials were finer The bed at the outside near the bend and in the narrow width was scoured deeply with the coarser materials.
The microstructures and memory core characteristics of substituted lithium ferrites with addition of $Bi_2O_3$, $V_2O_5$, $Nb_2O_3$, and $P_2O_5$ were investigated. The effects of composite flux on the sintering of the substituted lithium ferrites were also studied. The results show that the addition of $Bi_2O_3$, $V_2O_5$, and $Nb_2O_5$ enhances sintering whereas $Sb_2O_3$ and $P_2O_5$ inhibits it, and that the addition of $Nb_2O_5$ results in uniform grain size while the addition of $Bi_2O_3$ or $V_2O_5$ results in non-uniformity in grain size. When $P_2O_5$ was added with $V_2O_5$ or $Bi_2O_3$, however, it results in uniform grain size and improved memory core properties.
A material model has been presented, at the continuum level, for the representation of superplastic deformation coupled with microstructural evolution. The model presented enables the effects of the spatial variation of distributions of grain size to be predicted at the process level. The model has been tested under conditions of both homogeneous and inhomogeneous stress and strain by carrying out detailed comparison of predicted distributions of grain size and their evolutions with experimentally obtained data. Experimental measurements have shown the extent of the spatial variation of the distribution of grain size that exists in the titanium alloy, Ti-6Al-4V. It is shown that whilst not large, the variations in grain size distributions are sufficient to lead to the development of inhomogeneous deformation in test pieces, which ultimately result in localisation of strain and failure.
Two-component ceramic (alumina-zirconia) composites were fabricated by a soft-solution process in which polyethylene glycol (PEG) was used as a polymeric carrier. Metal salts and PEG were dissolved in ethyl alcohol without any precipitation in 1:1 volume ratio of alumina and zirconia. In the non-aqueous system, the flammable solvent made explosive, exothermic reaction during drying process. The reaction resulted in formation of volume expanded, porous precursor powders by a vigorous decomposition of organic components in the precursor sol. The PEG content affected the grain size of sintered composites as well as the morphology of precursor powders. The difference of microstructure in sintered composite was attribute to the solubility and homogeneity of metal cations in precursor sol. At the optimum amount of the PEG polymer, the metal ions were dispersed effectively in solution and a homogeneous polymeric network was formed. It made less agglomerated particles in the precursor sol and affected on uniform grain size in sintered composite.
Kim, Young-Min;Kim, Nam-Kyeong;Yeom, Seung-Jin;Jang, Gun-Eik;Ryu, Sung-Lim;Kweon, Soon-Yong
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2006.11a
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pp.192-193
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2006
A 16Mb ITIC FeRAM device was fabricated with BLT capacitors. The average value of the switchable 2 polarization obtained m the 32k-array (unit capacitor size: 068 ${mu}m^2$) capacitors was about 16 ${\mu}C/cm^2$ at 3V and the uniformity within an 8-inch wafer was about 2.8%. But a lot of cells were failed randomly during the measuring the bit-line signal of each cell. It was revealed that the Grain size and orientation of the BLT thin film were severely non-uniform. Therefore, the uniformity of the grain size and orientation was improved by changing the process conditions of post heat treatment. The temperature of nucleation step was the very effective on varying the microstructure of the BLT thin film. The optimized temperature of the nucleation step was $560^{\circ}C$.
Kim, Young-Min;Kim, Nam-Kyeong;Yeom, Seung-Jin;Jang, Gun-Eik;Ryu, Sung-Lim;Sun, Ho-Jung;Kweon, Soon-Yong
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.20
no.7
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pp.575-580
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2007
A 16 Mb 1T1C FeRAM device was integrated with BLT capacitors. But a lot of cells were failed randomly during the measuring the bit-line signal distribution of each cell. The reason was revealed that the grain size and orientation of the BLT thin film were severely non-uniform. And the grain size and orientation were severely affected by the process conditions of post heat treatment, especially nucleation step. The optimized annealing temperature at the nucleation step was $560^{\circ}C$. The microstructure of the BLT thin film was also varied by the annealing time at the step. The longer process time showed the finer grain size. Therefore, the uniformity of the grain size and orientation could be improved by changing the process conditions of the nucleation step. The FeRAM device without random bit-fail cell was successfully fabricated with the optimized BLT capacitor and the sensing margin in bit-line signal distribution of it was about 340 mV.
Jo, Junyeong;Kwon, Daeyeop;Choi, Wonjun;Bahn, Chi Bum
Journal of Surface Science and Engineering
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v.55
no.5
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pp.273-283
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2022
Al6061 aluminum alloy specimens were exposed to atmospheric conditions for maximum 24 months. 24-month exposure specimen showed some more frequent and larger size of corrosion products and pitting on the surface compared with the 12-month exposure specimens. The XRD examination revealed the dominant surface oxide phases of Al2O3 and Al(OH)3. The oxide thickness at uniform oxidation (or non-pitting) region was not much changed over exposure time. The 1.2 ㎛ deep oxygen penetration area was found in the 12-months exposed specimen near the thin uniform aluminum oxide film. The line-EDS was conducted through the penetration regions and non-penetrated grain boundary. There were signs of O and Si concentration through the penetration region, whereas non-penetration region showed no concentration of O or Si. It was confirmed that pitting is a more severe degradation mode in Al6061 (max. >4 ㎛ deep) compared with the uniform oxidation (max. ~200 nm deep) up to 24-months exposure.
In our previous studies, continuous SiC fiber-reinforced SiC-matrix composites ($SiC_f$/SiC) had been fabricated by two different slurry infiltration methods: vacuum infiltration and electrophoretic deposition (EPD). 12 wt% of $Al_2O_3-Y_2O_3$-MgO with respect to SiC powder was used as additives for liquid-phase assisted sintering. After hot pressing at $1750^{\circ}C$ under 20 MPa for 2 h in Ar atmosphere, a high composite density could be achieved for both cases, whereas the problems such as large grain size and non-uniform distribution of liquid phase were observed, which was resulted in the relatively poor mechanical properties of composites. Therefore, efforts have been made to reduce the grain growth during the sintering, including the optimization for hot pressing condition and utilization of spark plasma sintering using a SiC monolith. Based on the results, spark plasma sintering was found to be effective method in decreasing the amount of sintering additive, time and grain growth, which will be explained in comparison to the results of hot pressing in this paper.
Sn whiskers are one of the serious causes of the failure of electronics. Sn whiskers grow spontaneously from Sn-based, lead-free finished surfaces, even at room temperature. A primary factor of these Sn whiskers growth is compressive stress, which enhances the diffusion of Sn or other elements. The sources of compressive stress are the growth of non-uniform large intermetallic compounds along the interface between the Sn grain boundary and Cu substrate. Recent studies revealed the methods for reducing Sn whisker growth. This paper gives an overview about recent researches for mitigation methods of Sn whisker growth during nearly room temperature storage.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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