• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제30권6호
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• pp.339-344
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• 2017

An all-transparent photodetector was fabricated by structuring $Cu_2O$/ZnO/AZO/ITO on a glass substrate. The visible-range transmittance was as high as 80%, which ensures clear vision forhuman eyes. High-transparency metal conductive oxides (p-type $Cu_2O$ and n-type ZnO) were appliedto form the transparent p/n junction. The functional AZO layer was adopted to improve the transparent photodetector performance between the ZnO and ITO, improving the photoresponses because of its electrical conductivity. To clarify the AZO functionality, a comparator device was prepared without the AZO layer in the formation of $Cu_2O$/ZnO/ITO/Glass. The $Cu_2O$/ZnO/AZO/ITO device provided a rectifying ratio of 113.46, significantly better than the 9.44 of the $Cu_2O$/ZnO/ITO device. In addition, the $Cu_2O$/ZnO/AZO/ITO device's photoresponses at short wavelengths were better than those of the comparator. The functioning AZO layer provides ahigh-performing transparent Cu oxide photodetector and may suggest a route for the design of efficient photoelectric devices.

• 한국동물학회지
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• 제36권3호
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• pp.367-372
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• 1993

재생쥐간에서 분리한 topoisomerase II에서 protein kinase 활성이 발견되었다. ,topo II 활성 및 kinase 활성은 hydroxyapatite, phosphocellulose, double strand DNA cellulose chromatography 등의 순수 분리 과정 중에도 서로 분리되지 않았으며 glycerol gradient sedimentation 분석에서도 같은 분획에서 활성이 존재하였다. Kinase는 topo II 저해제인 N-ethylmaleimide와 novobiocin 등에 의해 그 활성이 저해되었다. 그러나 이러한 증거들 만으로 kinase 활성이 topo II가 아닌 다른 polypeptide에 의한 것일 가능성을 완전히 배제 할 수는 없다. Topo II와 결합된 kinase 활성에는 Mg++가 절대적으로 필요하였으며 다른 일가 또는 이가 이온으로는 그 효과가 대체되지 않았다. Histone H1은 kinase 활성을 증가 시키며 또 kinase에 의해 강하게 인산화된다. 이러한 효과는 다른 histone 류 및 casein 등에 의해 대체되지 않았다.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제19권3호
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• pp.576-583
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• 2018

탄화규소는 실리콘과 비교시 큰 에너지 밴드 갭을 갖고, 불순물 도핑에 의해 p형 및 n형 전도의 제어가 용이해서 고온용 전자부품 소재로 활용이 가능한 재료이다. 특히 ${\beta}$-SiC 분말로부터 제조한 다공질 n형 SiC 세라믹스의 경우, $800{\sim}1000^{\circ}C$에서 높은 열전 변환 효율을 나타내었다. SiC 열전 변환 반도체를 응용하기 위해서는 변환 성능지수도 중요하지만 $800^{\circ}C$ 이상에서 사용할 수 있는 고온용 금속전극 또한 필수적이다. 일반적으로 세라믹스는 대부분의 보편적인 용접용 금속과는 우수한 젖음을 갖지 못 하지만, 활성 첨가물을 고용시킨 합금의 경우, 계면 화학종들의 변화가 가능해서 젖음과 결합의 정도를 증진시킬 수 있다. 액체가 고체 표면을 적시면 액체-고체간 접합면의 에너지는 고체의 표면에너지 보다 작아지고 그 결과 액체가 고체 표면에서 넓게 퍼지면서 모세 틈새로 침투할 수 있는 구동력을 갖게 된다. 따라서 본 연구에서는 비교적 낮은 융점을 갖는 Ag를 이용해서 다공질 SiC 반도체 / Ag 및 Ag 합금 / SiC 및 알루미나 기판간의 접합에 대해 연구하였고, Ag-20Ti-20Cu 필러 메탈의 경우 SiC 반도체의 고온용 전극으로 적용 가능할 것으로 나타났다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제18권11호
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• pp.1043-1047
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• 2005

To investigate the electrical properties of the ZnO films which are interested in the next generation of short wavelength LEDs and Lasers, our ZnO thin films were deposited by RF sputtering system. At sputtering process of ZnO thin films, substrate temperature, work pressure respectively is $300^{\circ}C$ and 5.2 mTorr, and the purity of target is ZnO 5N. The thickness of ZnO thin films was about $2.1\;{\mu}m$ at SEM analysis after sputtering process. Phosphorus (P) and arsenic (As) were diffused into the undoped ZnO thin films sputtered by RF magnetron sputtering system in ampoule tube which was below $5\times10^{-7}$ Torr. The dopant sources of phosphorus and arsenic were $Zn_3P_2$ and $ZnAs_2$. Those diffusion was perform at 500, 600, and $700^{\circ}C$ during 3 hr. We found the diffusion condition of the conductive ZnO films which had n- and p-type properties. Our ZnO thin film has not only very high carrier concentration of above $10^{17}/cm^3$ but also low resistivity of below $2.0\times10^{-2}\;{\Omega}cm$.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8
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• pp.48-48
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• 2007

P-type transparent conducting $CuGaO_2$ thin films have been prepared by DC/RF sputtering using Quartz(0001) and sapphire(0001) substrates. The target was fabricated by heating a stoichiometric mixture of CuO and $Ga_2O_3$ at 1373K for 12h under $N_2$ atmosphere. The film were deposited under mixture gas of Ar and $O_2(Ar:O_2=4:1)$ during 10~30min. and the as-deposited films were annealed at 1123K and $N_2$ atmosphere. Room temperature conductivity and the activation energy of the sintered body in the temperature range of 223K ~ 423K were 0 004S/cm, 1.9eV, respectively. XRD revealed that all of the as-deposited films were amorphous. Heating of the films deposited on Quartz substrates above 1123K resulted in crystallization with a second phase of $CuSiO_3$, which was assumed owing to reaction with Quartz substrate. The single phase of $CuGaO_2$ was obtained at the film deposited on the sapphire substrates. The transmittance after annealing of DC- and RF-sputtered films were 55~75% at 550nm. From the transmittance and reflectance measurement. the direct band gap of the DC/RF-sputtered films were 3.63eV and 3.57eV. and there was little difference between DC and RF sputtered films.

• 미생물학회지
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• 제42권3호
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• pp.165-171
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• 2006

ERM protein 은 23S rRNA의 $A_{2058}$에 dimethylation시킴으로써 $MLS_B$계 항생제의 부착을 저해하여 항생제의 활성을 억제하는 내생인자 단백질이다. ERM 단백질의 하나인 ErmSF의 N-말단부위(N-termimal end region, NTER)에 존재하는 1-25번째 아미노산을 함유하는 펩타이드의 활성에서의 역할을 알아보기 위해 이률 제거한 변이 단백질을 표현하는 유전자를 클로닝하고 대장균에서 수용성 단백질로 12.65 mg/L culture의 수율로 대량생산하였다. 이렇게 대량생산된 단백질의 활성을 in vivo와 in vitro에서 확인하였다. 그 결과 in vitro에서 야생형(wild type)의 단백질에 비해 15%의 활성이 감소한 것을 확인하였고 이는 제거된 펩타이드가 기질과 상호작용하여 효소의 활성에 영향을 미친다는 것을 시사하고 있다. 이렇게 감소된 효소의 활성은 생체 내(in vivo) 활성에도 적용되어 처음에는 변이 단백질을 함유하는 세포가 항생제의 작용에 의하여 성장억제를 받지만 시간의 경과와 함께 내성을 회복하여 밤샘 배양하였을 경우는 야생형 단백질을 함유한 세포와 동일한 내성 즉 항생제에 의한 성장억제지역(inhibition zone)을 전혀 나타내지 않는 것으로 밝혀졌다.

• 한국재료학회지
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• 제11권10호
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• pp.889-894
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• 2001

2wt% $Al_2O_3-doped$ ZnO (AZO) thin films were deposited on sapphire (0001) single crystal substrate by parellel type rf magnetron sputtering at 55$0^{\circ}C$. The as-grown AZO thin films was polycrystalline and showed only broad deep defect-level photoluminescence (PL). In order to examine the change of PL property, AZO thin films were annealed in $N_2$ (N-AZO) and $H_2$ (H-AZO) at the temperature of $600^{\circ}C$~$1000^{\circ}C$ through rapid thermal annealing. After annealed at $800^{\circ}C$, N-AZO shows near band edge emission (NBE) with very small deep-level emission, and then N-AZO annealed at $900^{\circ}C$ shows only sharp NBE with 219 meV FWHM. In Comparison with N-AZO, H-AZO exhibits very interesting PL features. After $600^{\circ}C$ annealing, deep defect-level emission was quire quenched and NBE around 382 nm (3.2 eV) was observed, which can be explained by the $H_2$passivation effect. At elevated temperature, two interesting peaks corresponding to violet (406 nm, 3.05 eV) and blue (436 nm, 2.84 eV) emission was firstly observed in AZO thin films. Moreover, peculiar PL peak around 694 nm (1.78 eV) is also firstly observed in all the H-AZO thin films and this is believed good evidence of hydrogenation of AZO. Based on defect-level scheme calculated by using the full potential linear muffin-tin orbital (FP-LMTO), the emission 3.2 eV, 3.05 eV, 3.84 eV and 1.78 eV of H-AZO are substantially deginated as exciton emission, transition from conduction band maximum to $V_{ Zn},$ from $Zn_i$, to valence band maximum $(V_{BM})$ and from $V_{o} to V_BM}$, respectively.

• 센서학회지
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• 제5권5호
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• pp.79-84
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• 1996

$n^{+}$형 GaAs 기판위에 MBE로 $1\;{\mu}m$ 두께의 GaAs층과 AlAs층 및 GaAs cap 단결정층을 차례로 성장시켰다. AlAs/GaAs epi층을 $400^{\circ}C$에서 각각 2시간 및 3시간동안 $N_{2}$로 bubbled된 $H_{2}O$ 수증기(水蒸氣)($95^{\circ}C$)에서 산화시켰다. 산화시간에 따른 산화막의 XPS 분석결과, 작은 양의 $As_{2}O_{3}$ 및 AlAS 그리고 원소형 As들이 2시간동안 산화된 시편에서 발견되었다. 그러나 3시간동안 산화시킨 후에는, 2시간동안 산화시켰을 때 산화막내에 존재하던 소량의 As 산화물과 As 원자들은 발견되지 않았다. 따라서 As-grown된 AlAs/GaAs epi층은 3시간동안 $400^{\circ}C$의 산화온도에서 선택적으로 $Al_{2}O_{3}/GaAs$으로 변화되었다. 그러므로 산화온도 및 산화시간은 AlAs/GaAs 계면에서 결함이 없는 표면을 형성하고 기판쪽으로 산화가 진행되는 것을 멈추기 위해서는 매우 결정적으로 작용하는 것으로 조사되었다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제33권2호
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• pp.409-414
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• 2012

Xanthorrhizol is a bisabolane type of natural sesquiterpene, the major component of essential oils of Curcuma xanthorrhiza. 2-(3-Methoxy-4-methylphenyl)propan-1-ol and 2-(3-hydroxy-4-methyl phenyl)propan-1-ol could be essential building block for enantioselective synthesis of xanthorrhizol. Enantioselective (c = 53%, E = $80{\pm}3$) for R-(+)-2-(3-hydroxy-4-methylphenyl) propan-1-ol and (c = 58%, E = $27{\pm}1$) for R-(+)-2-(3-methoxy-4-methylphenyl) propan-1-ol resolution processes were developed via lipase-catalyzed reaction. We found lipase Aspergillus oryzae (AOL) and Porcine pancreas (PPL) are selective to transesterification and hydrolysis in organic and aqueous phase. Modified demethylated substrate is appropriate for enantioselective hydrolysis reaction without any additives. Enantiopure chiral alcohol was crystallized from ethyl acetate/n-hexane co-solvent system. Gram scale resolved chiral intermediate will facilitate the synthesis of the unnatural S-(+)-xanthorrhizol, the corresponding isomer of the natural one.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 추계학술대회 논문집
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• pp.36-36
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• 2009

In this work, we describe a method to fabricate the Pt-silicided SB-MOSFETs with a n-type Silicon-On-Insulator (SOI) substrate as an active layer and demonstrate their electrical and structural properties. The fabricated SB-MOSFETs have novel structure and metal gate without sidewall. The gate oxide with a thickness of 7 nm was deposited by sputtering. Also, this fabrication processes were carried out below $500^{\circ}C$. As a result, Subthreshold swing value and on/off ratio of Fabricated SB MOSFETs was 70 [mV/dec] and $10^8$.