This work was researched by practical method in a subjectivity study accessible in-depth, in sloughing off old habit of functional quantity analysis about reception type on movie-viewing perception. The perception pattern come out in this study were divided into four types in Q-methodology. The result is as follows ; it is that divided '1[(N=18): Personal-decision Type], 2[(N=14): Media Dependence Type], 3[(N=10): Self-leading Type], 4[(N=3): Positive Preference Type]'. Like this, it found that is very different type all over. Hereafter, this study is to ascertain acceptance behavior about reception type on movie-viewing perception, 21th ; to offer a developmental suggestion about it.
Solar panels are modules made up of many cells, like the N-type monosilicon, P-type monosilicon, P-type multisilicon, amorphous thin-film silicon, and CIGS solar cells. An efficient photovoltaic (PV) power is important to use to determine what kind of cell types are used because residential solar systems receive attention. In this study, we used 3-type solar panels - such as N-type monosilicon, P-type monosilicon, and CIGS solar cells - to investigate what kind of solar panel on a house or building performs the best. PV systems were composed of 3-type solar panels on the roof with each ~1.8 kW nominal power. N-type monosilicon solar panel resulted in the best power generation when monitored. Capacity Utilization Factor (CUF) and Performance Ratio (PR) of the N-type Si solar panel were 14.6% and 75% respectively. In comparison, N-type monosilicon and CIGS solar panels showed higher performance in power generation than P-type monosilicon solar power with increasing solar irradiance.
Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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2011.05a
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pp.237.1-237.1
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2011
Resistivity of GaN has been investigated under the influence of ion implantation. n-type, p-type and also undoped GaN has been used here. A ring shape pattern of Au was fabricated on GaN film by the photolithography technique. H, He and Ar were used for implantation. The ion implantation energy, fluence and post-implant annealing temperature varied in this research. Because of the making barrier in some selected area using ions, the resistivity changed in all the samples with the change of both fluence and energy. At room temperature, the resistivity of n-type GaN has been increased from $1.9{\times}10-2$ to $17.7{\times}10-2\;{\Omega}-cm$. This is high for He ion. But undoped and p-type GaN showed some anomalous character.
This study was researched by practical method in a subjectivity study accessible in-depth, in sloughing off old habit of functional quantity analysis about food preference of an expressway resting place customer. The perception pattern come out in this study were divided into four types in Q-methodology. The result is as follows ; it is that divided '1[(N=7) : Cleanliness-selection Type], 2[(N=13) : Economy Type], 3[(N=9) : Selling-area Goodwill Type], 4[(N=10) : Self-satisfaction Type]'. Like this, it found that is very different type all over. Hereafter, this study is to ascertain acceptance behavior about reception type on food-preference of an expressway-resting-place-customer ; to offer a developmental suggestion about it.
Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.12
no.6
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pp.2535-2542
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2011
This study was researched by practical method in a subjectivity study accessible in-depth, in sloughing off old habit of functional quantity analysis about product-selectivity on role of Home-shopping TV MD. The perception pattern come out in this study were divided into four types in Q-methodology. The result is as follows ; it is that divided '1[(N=9) : No-relationship Type], 2[(N=3) : Experience-oriented Type], 3[(N=5) : Ability-focus Type], 4[(N=1) : Drive-importance Type]'. Like this, it found that is very different type all over. In conclusion, this study is to ascertain acceptance behavior about Reception Type on product-selectivity on role of Home-shopping TV MD ; to offer a developmental suggestion about it.
Kim, Bo-Kyun;Kim, Jung-Kyu;Park, Sung-Jong;Lee, Heon-Bok;Cho, Hyun-Ick;Lee, Young-Hyun;Hahn, Yoon-Bong;Lee, Jung-Hee;Hahm, Sung-Ho
Journal of Sensor Science and Technology
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v.12
no.2
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pp.66-71
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2003
Pt/AlGaN Schottky-type UV photodetectors were designed and fabricated. A low-temperature AlGaN interlayer buffer was grown between the AlGaN and GaN film in the diode structure epitaxy to obtain crack-free AlGaN active layers. A comparison was then made of the structural, electrical, and optical characteristics of two different diodes: one with an AlGaN($0.5\;{\mu}m$)/n+-GaN(2 nm) structure (type 1) and the other with an AlGaN($0.5\;{\mu}m$)/AlGaN interlayer($150\;{\AA}$)/n+-GaN($3\;{\mu}m$) structure(type 2). A crack-free AlGaN film was obtained by the insertion of a low-temperature AlGaN interlayer with an aluminum mole fraction of 26% into the $Al_xGa_{1-x}N$ layer. The fabricated Pt/$Al_{0.33}Ga_{0.67}N$ photodetector had a leakage current of 1 nA for the type 1 diode and $0.1\;{\mu}A$ for the type 2 diode at a reverse bias of -5 V. For the photoresponse measurement, the type 2 diode exhibited a cut-off wavelength of 300 nm, prominent responsivity of 0.15 A/W at 280 nm, and UV-visible extinction ratio of $1.5{\times}10^4$. Accordingly, the Pt/$Al_{0.33}Ga_{0.67}N$ Schottky-type ultraviolet photodetector with an AlGaN interlayer exhibited superior electrical and optical characteristics and improved UV detecting properties.
Kim, Hyo Seok;Kim, Han Seul;Kim, Seong Sik;Kim, Yong Hoon
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2014.02a
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pp.192.2-192.2
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2014
Among various dopant candidates, nitrogen (N) atoms are considered as the most effective dopants to improve the diverse properties of graphene. Unfortunately, recent experimental and theoretical studies have revealed that different N-doped graphene (NGR) conformations can result in both p- and n-type characters depending on the bonding nature of N atoms (substitutional, pyridinic, pyrrolic, and nitrilic). To overcome this obstacle in achieving reliable graphene doping, we have carried out density functional theory calculations and explored the feasibility of converting p-type NGRs into n-type by introducing additional dopant candidates atoms (B, C, O, F, Al, Si, P, S, and Cl). Evaluating the relative formation energies of various binary-doped NGRs and the change in their electronic structure, we conclude that B and P atoms are promising candidates to achieve robust n-type NGRs. The origin of such p- to n-type change is analyzed based on the crystal orbital Hamiltonian population analysis. Implications of our findings in the context of electronic and energy device applications will be also discussed.
This study uses comparison tests of bodice basic patterns to research improvements in wearing evaluation methods based on differences in bodice basic patterns and body size. As study methods, we calculated body sizes for six types by selecting four types of bodice basic pattern and utilized bodice basic pattern size measurement tools. The study result are as follows. First, as the result of analyzing bodice basic patterns per each part and body size difference by bodice basic pattern size measurement tool, shoulder angle cover rate was J&K type 57.57%~68.41%, N type 53.13%~65.57%, L type 51.87%~63.73%, and H type 59.03%~68.20%. In the item of neck base circumference, it was J&K type 6.4~-16 mm, N type 10.7~-31.9 mm, L type -5.2~-13.4 mm, and H type -6.2~-15.4 mm. In the item of armscye circumference, it was J&K type -18.9~-59.4 mm, N type -15.2~-51.3 mm, L type -38.9~-52.7 mm, and H type -17~-42.2 mm. In the item of biacromion length, it was J&K type 23.2~-4.7 mm, N type 18.4~-10.4 mm, and H type 3.5~-5.7 mm. In the item of interscye back, it was J&K type and N type 17.6~-13.6 mm, L type 11.9~-13.6 mm, and H type 3.2~-11.8 mm. The item of interscye front was found in the sequences of study type and L type. Second, the Kruskal-Wallis test result (according to bodice basic pattern) indicated meaningful differences in items of shoulder angle cover rate, neck point to breast point, bust point-bust point, biacromion length and armscye circumference and H type had an overall higher rank.
We analyze the dependence of disk morphology (arm class, Hubble type, bar type) of nearby spiral galaxies on the galaxy environment by using local background density (${\Sigma}_n$), projected distance ($r_p$), and tidal index (T I) as measures of the environment. There is a strong dependence of arm class and Hubble type on the galaxy environment, while the bar type exhibits a weak dependence with a high frequency of SB galaxies in high density regions. Grand design fractions and early-type fractions increase with increasing ${\Sigma}_n$, $1/r_p$, and T I, while fractions of flocculent spirals and late-type spirals decrease. Multiple-arm and intermediate-type spirals exhibit nearly constant fractions with weak trends similar to grand design and early-type spirals. While bar types show only a marginal dependence on ${\Sigma}_n$, they show a fairly clear dependence on $r_p$ with a high frequency of SB galaxies at small $r_p$. The arm class also exhibits a stronger correlation with $r_p$ than ${\Sigma}_n$ and T I, whereas the Hubble type exhibits similar correlations with ${\Sigma}_n$ and $r_p$. This suggests that the arm class is mostly affected by the nearest neighbor while the Hubble type is affected by the local densities contributed by neighboring galaxies as well as the nearest neighbor.
The effects of cis and trans configurations of ligands for $[M(II)O_3N_3]$ and $[Ni(II) O_2N_4]$ type complexes [M(II) = Co(III), Ni(II) and Cu(II)] on the calculated dipole moments have been investigated, adpoting the eigenvectors of EHT calculation. The calculated dipole moments for cis complexes are higher than those of trans complexes. The calculated dipole moments for the octahedral trans $[Co(III)O_3N_3]$ type complex fall in the range of experimental values. However the calculated dipole moments for cis $[Ni(II) O_2N_4]$ type complexes fall in the range of the experimental values. These results predicts the trans structure for $[Co(III)O_3N_3]$ and $[Ni(II) O_2N_4]$ type complexes. Those structures are in agreement with the experimental one (Three bidentate (O-N) ligands in $[M(II)O_3N_3]$ type complexes coordinate to the metal ion and two tridentate (O-N-N) ligands in [Ni(II)O2N4] type complexes coordinate to Ni(II) ion).
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[게시일 2004년 10월 1일]
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