• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 추계학술대회 논문집 Vol.15
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• pp.175-177
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• 2002

Electrical characteristics of the Si-O superlattice diode as a function of annealing conditions have been studied. The nanocrystalline silicon/adsorbed oxygen superlattice formed by molecular beam epitaxy (MBE) system. Consequently, the experimental results of superlattice diode with multilayer Si-O structure showed the stable and good insulating behavior with high breakdown voltage. This is very useful promise for Si-based optoelectronic and quantum device as well as for the replacement of silicon-on-insulator (SOI) in ultra high speed and lower power CMOS devices in the future, and it can be readily integrated with silicon ULSI processing.

• 한국컴퓨터정보학회논문지
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• 제10권1호
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• pp.1-6
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• 2005

백색발광은 풀칼라, 백라이트 및 조명을 위한 전자발광 소자로의 응용에 매우 중요하다. 본 논문에서는 오렌지 발광을 내는 Rubrene 색소를 포함하는 청색 재료인 nitro-DPVT 박막을 사용한 단분자 유기 백색발광소자를 구현하였다. 제작된 소자의 기본적 구조는 ${\alpha}-NPD/nitro-DPVT/nitro-DPVT:Rubrene/BCP/Alq3.$이다. 알루미늄은 음극재료로 사용하였으며 양극 재료는 ITO를 사용하였다. 백색 발광 스펙트럼은 가시광선 전 영역에 걸쳐 나타났고 14V에서 발광된 빛의 C.I.E 색좌표는 (0.3347,0.3515)이다. 동작개시 전압은 2.5V이하에서 나타났고 양자효율은 $0.35\%$이었다.

• 한국재료학회지
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• 제7권7호
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• pp.587-591
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• 1997

RBS와 XRD를 이용하여 C o-Nb이중층 실리사이드와 구리 배선층간의 열적안정성에 관하여 조사하였다. Cu$_{3}$Si등의 구리 실리사이드는 열처리시 40$0^{\circ}C$정도에서 처음 형성되기 시작하였는데, 이 때 형성되는 구리 실리사이드는 기판의 상부에 존재하던 준안정한 CoSi의 분해시에 발생한 Si원자와의 반응에 의한 것이다. 한편, $600^{\circ}C$에서의 열처리 후에는 CoSi$_{2}$층을 확산.통과한 Cu원자와 기판 Si와의 반응에 의하여 CoSi$_{2}$/Si계면에도 구리 실리사이드가 성장하였는데, 이렇게 구리 실리사이드가 CoSi$_{2}$/Si 계면에 형성되는 것은 Cu원자의 확산속도가 여러 중간층에서 Si 원자의 확산속도 보다 더 빠르기 때문이다. 열처리 결과 최종적으로 얻어진 층구조는 CuNbO$_{3}$/Cu$_{3}$Si/Co-Nb합금층/Nb$_{2}$O$_{5}$CoSi$_{2}$/Cu$_{3}$Si/Si이었다. 여기서 상부에 형성된 CuNbO$_{3}$는 Cu원자가 Nb$_{2}$O$_{5}$및 Co-Nb합금층과 반응하여 기지조직의 입계에 석출되어 형성된 것이다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.431-431
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• 2013

Flexible Organic Light Emitting Diode (OLED) displays are required for future devices. It is possible that plastic substrates are instead of glass substrates. But the plastic substrates are permeable to moisture and oxygen. This weak point can cause the degradation of fabricated flexible devices; therefore, encapsulation process for flexible substrate is needed to protect organic devices from moisture and oxygen. Y.G. Lee et al.(2009) [1] reported organic and inorganic multilayer structure as an encapsulation barrier for enhanced reliability and life-time.Flowable Oxide process is a low-temperature process which shows the excellent gap-fill characteristics and high deposition rate. Besides, planarization is expected by covering dust smoothly on the substrate surface. So, in this research, Bi-layer structured is used for encapsulation: Flowable Oxide Thin film by PECVD process and Al2O3 thin film by ALD process. The samples were analyzed by water vapor transmission rate (WVTR) using the Calcium test and film cross section images were obtained by FE-SEM.

• 전자공학회논문지CI
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• 제49권2호
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• pp.115-122
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• 2012

본 논문에서는 CosGauss라고 하는 코사인함수로 모듈화 된 가우시안 활성화함수가 뉴로 네트워크에서 다항식과 계단함수의 근사에 사용될 수 있음을 증명한다. CosGauss 함수는 시그모이드, 하이퍼볼릭 탄젠트, 가우시안 활성화 함수보다 더 많은 범프(bump)를 구성 할 수 있다. 이 함수를 캐스케이드 코릴레이션 뉴로 네트워크 학습에 사용하여 벤치마크 문제인 Tic-Tac-Toe 게임과 아이리스(iris) 식물 문제와 실험하고 여기에서 얻어진 결과를 다른 활성화 함수를 사용한 결과와 비교 분석한다.

• 한국통신학회논문지
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• 제28권3C호
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• pp.271-278
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• 2003

본 논문에서는 CDMA 하향링크에서 최적화가 용이한 새로운 다층 신경망을 제안하고 이를 적용한 신경망 수신기를 레이크 수신기와 비교하여 CDMA 하향링크에서 간섭이 제거되어 성능이 개선되었음을 입증하였다. 새로운 다층신경망은 기존의 다층신경망에 비해 시스템 복잡도가 개선되고 최적화가 용이하면서 기존의 다층신경망과 동일한 간섭제거에 의한 성능 향상 효과를 얻을 수 있어 실제 시스템에 적용하기에 적합하다. CDMA 하향링크에서 요구되는 고속의 데이터 전송을 위해 BLAST를 시작으로 STS, STTC, STC 등 다양한 STD 기술들이 제시되었으나 타사용자의 정보부재로 다중사용자 검파가 불가하고 충분한 수의 안테나를 장착할 수 없는 하향링크의 한계로 실질적으로 채널효율증대 효과가 미흡한 실정이다. ［10］-［15］이러한 문제점을 해결하기 위하여 복잡한 채널환경에 대해 적응능력이 뛰어나고, 고속의 병렬처리의 장점을 갖으며, 실시간 구현이 용이한 최적화된 단계층 신경망을 이용해서 다중사용자 간섭을 제거하였다. 여기에 STC 기술들을 접목시킨다면 CDMA 단말기의 획기적인 채널효율증대 가능성을 기대할 수 있을 것이다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제11권10호
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• pp.871-877
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• 1998

Electroluminescent(EL) devices based on organic materials have been of great interest due to their possible applications for large-area flat-panel displays, where they are attractive because of their capability of multicolor emission, and low operation voltage. In this study, glass substrate/ITO/Eu(TTA)$_3$(phen)/Al, glass substrate/ITO/Eu(TTA)$_3$(phen)/Al and glass substrate/ITO/Eu(TTA)$_3$(phen)/AlQ$_3$/Al structures were fabricated by vacuum evaporation method, where aromatic diamine(TPD) was used as a hole transporting material, Eu(TTA)$_3$(phen) as an emitting material, and Tris(8-hydroxyquinoline) aluminu-m(AlQ$_3$) as an electron transporting layer. Electrolumescent(EL) and I-V characteristics of Eu(TTA)$_3$-(-phen) were investigated. These structures show the red EL spectra, which are almost the same at the PL spectrum of Eu(TTA)$_3$(phen). I-V characteristics of this structure show that turn-on voltage was 9V and current density was 0.01A/㎤ at a operation voltage of 9V. Electrical transporting phenomena of these structures were explained using the trapped-charge-limited current model with I-V characteristics.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제16권9호
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• pp.816-825
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• 2003

Current-voltage-luminance characteristics of organic light-emitting diodes (OLEDs) were measured in the temperature range of 10 K～300 K. Indium-tin-oxide (ITO) was used as an anode and aluminum as a cathode in the device. Organic of N,N'-diphenyl-N,N'-di(m-tolyl)-benzidine (TPD) was used for a hole transporting material, and tris (8-hydroxyquinolinato) aluminum (Alq$_3$) for an electron transporting material and emissive material. And copper phthalocyanine (CuPc), poly(3,4-ethylenedi oxythiophene);poly(styrenesulfonate) (PEDOT:PSS), and poly(N-vinylcarbazole) (PVK) were used for hole-injection buffer layers. From tile analysis of electroluminescence (EL) and photoluminesccnce (PL) spectra of the Alq$_3$, the EL spectrum is more greenish then that of PL. And the temperature-dependent current-voltage characteristics were analyzed in the double and multilayer structure of OLEDS. Electrical conduction mechanism was explained in the region of high-electric and low-electric field. Temperature-dependent luminous efficiency and operating voltage were analyzed from the current-voltage- luminance characteristics of the OLEDS.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2006년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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• pp.123-124
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• 2006

The sandwiched PZT/$BaTiO_3$/PZT thick films were fabricated by two different methods thick films of the PZT by screen printing method on alumina substrateselectrodes with Pt, thin films of $BaTiO_3$ by the spin-coating method on the PZT thick films and once more thick films of the PZT by the screen printing method on the $BaTiO_3$ layer. The structural and the dielectric properties were investigated for effect of various stacking sequence of sol-gel prepared $BaTiO_3$ coating solution at interface of the PZT thick films, The insertion of BaTi03 interlayer yielded the PZT thick films with homogeneous and dense grain structure with the number of $BaTiO_3$ layers. The leakage current density of the $PZT/BaTiO_3-1$ film is less that $4.41{\times}10^{-9}A/cm^2$ at 5 V.

• 디지털콘텐츠학회 논문지
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• 제18권5호
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• pp.969-976
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• 2017

본 논문에서는 최적화 알고리즘으로 개발된 WFSO(Water Flowing and Shaking Optimization) 알고리즘을 사용한 인공신경망 과합성공 신경망의 학습 방법을 제안한다. 최적화 알고리즘은 다수의 후보 해를 기반으로 탐색해 나가기 때문에 일반적으로 속도가 느린 단점이 있으나 지역 최소값에 거의 빠지지 않고 병렬화가 용이하며 미분 불가능한 활성화함수를 갖는 인공신경망 학습도 가능하고 구조와 가중치를 동시에 최적화 할 수 있는 장점이 있다. 본 논문에서는 WFSO 알고리즘을 인공신경망 학습에 적용하는 방법을 설명하고 다층 인공신경망과 합성곱 신경망에서 오류역전파 알고리즘과 성능을 비교한다.