• 제목/요약/키워드: modified $A^2/O$ process

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Fabrication of Infrared Filters for Three-Dimensional CMOS Image Sensor Applications

  • Lee, Myung Bok
    • Transactions on Electrical and Electronic Materials
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    • 제18권6호
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    • pp.341-344
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    • 2017
  • Infrared (IR) filters were developed to implement integrated three-dimensional (3D) image sensors that are capable of obtaining both color image and depth information at the same time. The combination of light filters applicable to the 3D image sensor is composed of a modified IR cut filter mounted on the objective lens module and on-chip filters such as IR pass filters and color filters. The IR cut filters were fabricated by inorganic $SiO_2/TiO_2$ multilayered thin-film deposition using RF magnetron sputtering. On-chip IR pass filters were synthetized by dissolving various pigments and dyes in organic solvents and by subsequent patterning with photolithography. The fabrication process of the filters is fairly compatible with the complementary metal oxide semiconductor (CMOS) process. Thus, the IR cut filter and IR pass filter combined with conventional color filters are considered successfully applicable to 3D image sensors.

광검출기용 다결정 실리콘 박막의 전도특성 분석을 통한 결정립계의 모형화 (Modelling of Grain Boundary in Polysilicon Film for Photodetector Through Current-Voltage Analysis)

  • 이재성
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제33권4호
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    • pp.255-262
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    • 2020
  • Grain boundaries play a major role in determining device performance, particularly of polysilicon-based photodetectors. Through the post-annealing of as-deposited polysilicon and then, the analysis of electric behavior for a metal-polysilicon-metal (MSM) photodetector, we were able to identify the influence of grain boundaries. A modified model of polysilicon grain boundaries in the MSM structure is presented, which uses a crystalline-interfacial layer-SiOx layer- interfacial layer-crystalline system that is similar to the Si-SiO2 system in MOS device. Hydrogen passivation was achieved through a hydrogen ion implantation process and was used to passivate the defects at both interfacial layers. The thin SiOx layer at the grain boundary can enhance the photosensitivity of an MSM photodetector by decreasing the dark current and increasing the light absorption.

연속 성장법으로 성장된 Mn-Zn Ferrite 단결정 특성 및 결함 (Properties and defects of Mn-Zn Ferrite single crystals grown by the modified process)

  • 정재우;오근호
    • 한국결정성장학회지
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    • 제1권2호
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    • pp.23-33
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    • 1991
  • Mn-Zn Ferrite는 단결정을 성장하기 위하여 용융하는 동안 불균질 용융과 ZnO휘발의 고유특성을 갖는 재료이다. 그 결과로, 결정성장축을 따라 양이온의 분포가 불균일 하게 된고 또한 기존의 Bridgman법에서는 도가니내에서 용융대가 장시간 유지됨으로써 백금입자가 결정안으로 침입하게된다. 이들은 훼라이트의 자기적 성질을 저하시키는 성질을 갖고 있다. 그러나 새로운 성장법에서는 이러한 단점들을 극복하고 양질의 단결정을 얻기 위하여 결정성장 인자들의 관계를 고찰하였으며 그 인자들은 다음과 같다 : 도가니내의 melt 높이, melt의 표면장력과 밀도, 계면에서의 melt거동, 도가니와 고액계면의 형상, 원료공급속도, 결정성장속도. 아울러, 성장된 결정의 조성을 분석하였을 때 초기조성과 비교하여 $\textrm{Fe}_2\textrm{O}_3$ 1.5 mol%, MnO, Zn 2.0 mol% 이내로 조성 변동은 각각 억제되었고 성장결정면 (110)에서 화확적인 etching 법을 이용하여 광학현미경을 통해 결정내부등을 관찰하였으며, 자기적 특성등을 측정하였다.

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복합구조의 압전 에너지 하베스터를 위한 공정연구 (Processing Study for the Piezoelectric Energy Harvest of Composit Structure)

  • 이경수;신동진;고중혁
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제25권4호
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    • pp.286-289
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    • 2012
  • In this paper, we have proposed piezoelectric energy harvester employing the pillar structure with the diameter size of 500 um. So we have selected the Su-8 photo-resist and modified lithography process to manufacture the pillar structure with height above the $500{\mu}m$. Simultaneously, we tried to make a comparative study to use ceramic bulk - polymer structure In this paper, we will report the process and properties of micro pillar structure based on the PMN-PZT ($Pb(Mg_{1/3}Nb_{2/3})O_3-PbZrTiO_3$) materials. Finally, We will propose a method for generating electrical energy with a piezoelectric element using vibration, an energy source can be obtained from the "clean" energy.

Lithium disilicate 유리의 입자크기에 따른 결정화 기구 (Crystallization Mechanism of Lithium Dislicate Glass with Various Particle Sizes)

  • 최현우;윤혜원;양용석;윤수종
    • 한국재료학회지
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    • 제26권1호
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    • pp.54-60
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    • 2016
  • We have investigated the crystallization mechanism of the lithium disilicate ($Li_2O-2SiO_2$, LSO) glass particles with different sizes by isothermal and non-isothermal processes. The LSO glass was fabricated by rapid quenching of melt. X-ray diffraction and differential scanning calorimetry measurements were performed. Different crystallization models of Johnson-Mehl-Avrami, modified Ozawa and Arrhenius were adopted to analyze the thermal measurements. The activation energy E and the Avrami exponent n, which describe a crystallization mechanism, were obtained for three different glass particle sizes. Values of E and n for the glass particle with size under $45{\mu}m$, $75{\sim}106{\mu}m$, and $125{\sim}150{\mu}m$, were 2.28 eV, 2.21 eV, 2.19 eV, and ~1.5 for the isothermal process, respectively. Those values for the non-isothermal process were 2.4 eV, 2.3 eV, 2.2 eV, and ~1.3, for the isothermal process, respectively. The obtained values of the crystallization parameters indicate that the crystallization occurs through the decreasing nucleation rate with a diffusion controlled growth, irrespective to the particle sizes. It is also concluded that the smaller glass particles require the higher heat absorption to be crystallized.

황 회수 공정 설계에서 부 반응의 영향 (The Impact of Side Reactions in Sulfur Recovery Unit Design)

  • 김성호;정원석;이희문;장근수
    • 플랜트 저널
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    • 제13권3호
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    • pp.36-46
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    • 2017
  • 황회수 공정의 연소반응기 안에서는 평형반응 및 kinetic 반응이 동시에 일어난다. 주요 kinetic 반응에 참여하는 성분들은 수소($H_2$), 일산화탄소(CO), 카보닐황화물(COS) 그리고 이황화탄소($CS_2$) 이다. 본 연구에서는 평형반응, 상관관계식(empirical correlations) 그리고 황 회수 공정의 라이센서 자료의 비교를 통해 반응기에서 kinetic components (COS와 $CS_2$)의 생성 양을 분석한다. 또한 kinetic components ($H_2$ 와 CO)의 생성 양의 분석을 통해 반응기에서의 생성 양과 온도와의 상관관계를 분석한다. 부 반응이 전체 연소에 필요로 하는 산소의 양에 어떤 영향을 미치는지도 같이 분석을 한다. 황회수 공정의 반응기내의 부 반응에 대한 충분한 이해는 전체 황회수 공정 설계를 할 때 최적의 장치 설계를 가능하게 하고 나아가 황회수 효율을 극대화 하는데 도움이 된다.

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표면 처리에 따른 Inconel 617 합금의 고온 특성 (Thermal properties of the surface-modified Inconel 617)

  • 조현;방광현;이병우
    • 한국결정성장학회지
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    • 제19권6호
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    • pp.298-304
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    • 2009
  • 고온 열수송시스템용 구조재료인 Inconel 617의 표면 처리에 따른 고온물성 개선에 대한 연구를 수행하였다. 표면처리 방법으로는 Inconel 617 기판 상에 급속가열(RTP) 및 수열처리를 통한 균질산화물 형성과 물리적 기상증착법(Arc discharge)법에 의한 TiAlN(두께 약 $2{\mu}m$ 박막 코팅을 적용하였다. 불균질 산화물($Cr_2O_3$) 형성 억제에 미치는 표면처리의 효과 및 표면 미세구조가 물성에 미치는 영향에 대해 알아보기 위해 표면처리된 Inconel 617 시편들을 $1000^{\circ}C$, 대기중에서 열처리 하였으며, 열처리된 시편들에 대해 고온 상형성 및 미세구조를 비교 분석하였다. RTP와 수열처리를 통한 표면산화물 형성보다는 TiAlN 박막 증착을 통한 보호피막의 형성이 Inconel 617 표면에서 생성되는 불균일 $Cr_2O_3$ 막의 성장을 효과적으로 억제할 수 있어서 더 균질한 미세구조와 가장 우수한 내마모 특성을 나타내었다.

제올라이트 입자를 첨가한 폴리에틸렌 필름의 기체 투과성 (Gas Permeability of Polyethylene Films Containing Zeolite Powder)

  • 황선웅;정용찬;전병철;이성재
    • 폴리머
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    • 제28권5호
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    • pp.374-381
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    • 2004
  • 제올라이트 분말을 첨가한 저밀도 폴리에틸렌 (LDPE) 복합 필름의 $CO_2,\;O_2,\;N_2$에 대한 기체 투과성을 조사하였다. 제올라이트 첨가 필름은 금속 양이온 혹은 계면 활성제로 표면 개질한 제올라이트 분말을 $20 wt\%$ 함유하는 LDPE 마스터배치를 제조한 후 이를 LDPE 수지와 용융혼합하여 중공필름 성형법으로 제조하였다. 최종적으로 제올라이트 분말이 0, 3, 5, 10 wt$\%$ 함유된 복합 필름을 얻었으며 이를 기체 투과도 측정에 사용하였다. 필름의 기체 투과성은 부피측정법에 기초한 기체 투과도 측정장치를 제작하여 분석하였다. 모든 경우에 있어 제올라이트 함량이 증가함에 따라 기체 투과도는 감소한 후 점차 증가하는 경향을 보여주었다. 계면 활성제로 표면 개질한 제올라이트 입자는 매트릭스 수지와의 계면 접착력을 향상시켰지만 표면 개질 이온의 종류에 따른 필름의 기체 투과 특성에는 뚜렷한 차이가 나타나지 않았다. 제올라이트 첨가 필름의 경우 각 기체의 투과도에 대한 온도 의존성의 차이는 순수 LDPE 필름에 비해 다소 작게 나타났다.

수소 분리용 팔라듐계 분리막의 세라믹 코팅 영향 (Ceramic barrier coated Pd hydrogen membrane on a porous nickel support)

  • 이춘부;이성욱;박진우;김광호;황경란;박종수;김성현
    • 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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    • 한국신재생에너지학회 2010년도 추계학술대회 초록집
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    • pp.114.1-114.1
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    • 2010
  • A highly performed Pd-based hydrogen membrane has prepared successfully on a modified porous nickel support. The porous nickel support modified by impregnation method of $Al(NO_3)_3{\cdot}9H_2O$ (Aldrich Co.) over the nickel powder showed a strong resistance to hydrogen embrittlement and thermal stability. Plasma surface modification treatment was introduced as a pre-treatment process instead of conventional HCl wet activation. Ceramic barrier was coated on the external surface of the prepared nickel supports to prevent intermetallic diffusion and to enhance the affinity between the support and membrane. Palladium and copper were deposited at thicknesses of $4\mu}m$ and $0.5{\mu}m$, respectively, on a barrier-coated support by DC sputtering process. The permeation measurement was performed in pure hydrogen at $400^{\circ}C$. The single gas permeation of our membrane was two times higher than that of the previous membrane which do not have ceramic barrier.

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Pt Doping Mechanism of Vanadium Oxide Cathode Film Grown on ITO Glass for Thin Film Battery

  • Kim, Han-Ki;Seong, Tae-Yeon;Jeon, Eun-Jeong;Cho, Won-Il;Yoon, Young-Soo
    • 한국세라믹학회지
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    • 제38권1호
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    • pp.100-105
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    • 2001
  • An all solid-state thin film battery (TFB) was fabricated by growing, undoped and Pt-doped vanadium oxide cathode film ( $V_2$ $O_{5}$ ) on I $n_2$ $O_3$: Sn coated glass, respectively. Room temperature charge-discharge measurements based on Li/Lipon/ $V_2$ $O_{5}$ full-cell structure with a constant current clearly shows that the Pt-doped $V_2$ $O_{5}$ cathode film is superior, in terms of cyclibility. X-ray diffraction (XRD) results indicate that the Pt doping process induces a more random amorphous structure than an undoped $V_2$ $O_{5}$ film. In addition to its modified structure, the Pt-doped $V_2$ $O_{5}$ film has a smoother surface than the undoped sample. Compared to an undoped $V_2$ $O_{5}$ film, the Pt doped $V_2$ $O_{5}$ cathode film has a higher electron conductivity. We hypothesize that the addition of Pt alters electrochemical performance in a manner of making more random amorphous structure and gives an excess electron by replacing the $V^{+5}$. Possible mechanisms are discussed for the observed Pt doping effect on structural and electrochemical properties of vanadium oxide cathode films, which are grown on I $n_2$ $O_3$: Sn coated glass.

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