• 한국결정성장학회지
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• 제12권4호
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• pp.202-209
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• 2002

$CuInSe_2$ 단결정 박막은 수평 전기로에서 합성한 다결정을 증발원으로 하여, hot wall epitaxy(HWE) 방법으로 증발원과 기판(반절연-GaAs(100))의 온도를 각각 $620^{\circ}C$, $410^{\circ}C$로 고정하여 단결정 박막을 성장하였다. 단결정 박막의 결정성은 광발광과 이중결정 X-선 요동곡선(DCRC)으로 연구하였다. $CuInSe_2$ 단결정 박막의 운반자 농도와 이동도는 van der Pauw 방법으로 측정되었다. 또한 $CuInSe_2$ 단결정 박막의 C축에 수직하게 빛을 쬐었을 때 측정되여진 단파장대의 광전류 봉우리 갈라짐으로부터 결정장 갈라짐 $\Delta$Cr과 스핀 궤도 갈라짐 $\Delta$So(spin orbit splitting) 값을 구하였다. 광발광 측정으로부터 고품질의 결정에서 볼 수 있는 free exciton($E_x$)와 매우 강한 세기의 중성 받게 bound exciton($A^{\circ}$, X) 피크가 관찰되었다. 이때 중성 받게 bound exciton의 반치폭과 결합 에너지는 각각 7meV와 5.9meV였다. 또한 Haynes nile에 의해 구한 불순물의 활성화 에너지는 59meV였다.

• 전자공학회논문지
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• 제50권2호
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• pp.98-103
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• 2013

본 연구에서는 IZO를 활성층으로 하고 $HfSiO_x$를 절연층으로 한 TFT에 대하여 그 성능을 측정하였다. $HfSiO_x$는 $HfO_2$ target과 Si target을 co-sputtering 하여 증착하였으며 RF power를 달리 하여 네 가지의 $HfSiO_x$ 박막을 제작하였다. 공정의 간소화를 위해 게이트 전극을 제외한 모든 층들은 RF-magnetron sputtering system과 shadow mask만을 이용하여 증착하였으며 공정의 간소화를 위해 어떠한 열처리도 하지 않았다. 네 가지 $HfSiO_x$ 박막의 구조적 변화를 X-ray diffraction(XRD), atomic force microscopy(AFM)을 통해 분석하였고, 그 전기적 특성을 확인하였다. 박막 내 $HfO_2$와 Si의 조성비에 따라 그 특성이 현저히 차이가 남을 확인하였다. $HfO_2$(100W)-Si(100W)의 조건으로 증착한 $HfSiO_x$ 박막을 절연층으로 한 소자의 특성이 전류 점멸비 5.89E+05, 이동도 2.0[$cm^2/V{\cdot}s$], 문턱전압 -0.5[V], RMS 0.263[nm]로 가장 좋은 결과로 나타났다. 따라서 $HfSiO_x$ 박막 내의 적절한 $HfO_2$와 Si의 조성비가 계면의 질을 향상시킴은 물론, $HfO_2$자체의 trap이나 defect를 효과적으로 줄여 줌으로써 소자의 성능 향상에 중요한 요소라 판단된다.

• 한국의상디자인학회지
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• 제5권2호
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• pp.75-91
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• 2003

This study analyzed descriptions about dots, lines, and sides which are used as a basic elements to express geometric figures as followings: -In the aspect of formative art, dots form images and feelings through their concurrence when make a slight move to coordinates. The concurrence can bring out either positive or negative images; -Lines have unlimited variation as a core measure in body art. They can make optimal effects with different lines such as straight and curved lines of human body; -Sides express not only effects of texture and perspective but also of space and solid by color effects. Expressive characteristics and geometric shapes can be classified by tattoo, henna and body painting: First, colorful tattoos are favored by Caucasian and original tattoos are mostly used by yellow and colored races in the way of scarification to get decorative effects. Recently, a rapid cycle of fashion change in tattoo figures has developed a tentative method of tattooing and a variety of decoration methods. It has made it a lot easier to change a pattern of a tattoo. Tattoos are now popular among people because they no longer have to suffer from pains when they get their body tattooed for a long time. Since tattoos boast their unique beauty which consists of most dynamic and attractive images among the types of body art. It will be one of the most favored make-up methods in the nearest future. Second, geometric designs used in henna include crosses, dots, straight lines, triangles, date palms, and so on. Henna has been particularly loved as an instant decoration by the public since it gradually disappears as time goes on. Third, body painting enables to draw a three-dimensional effect because of its close relation with body movements in a limited space. Each individual will have a different feeling appealed in their body painting. Body painting has been applied to many different areas, especially to theatrical art using lights, music and performance altogether producing impromptu and experimental works. Unlike other arts such as painting, sculpture, visual and industrial arts, body painting has mobility. Since it is painted on a three-dimensional human body, it can bear originality expressing realistic objects or animals and strengthen creative functions using body lines. Moreover, geometric designs can be diversified by the sexes. As a result of analysis, geometric designs expressed in body art seemed to transcend expressions of beauty and turned out to be another way of decoration. Body art has also been used as a way to express visual integration and consolidation dynamically not by human instinct but by social changes. The needs for body art will grow as the future comes nearer and be recognized as a new and fresh value. Formative elements of geometric figures deliver visual impressions combined with human body and finally create more various types of body art in harmony of body lines.

• The Journal of Advanced Prosthodontics
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• 제3권4호
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• pp.229-235
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• 2011

PURPOSE. The aim of this retrospective study was to evaluate cumulative survival rate (CSR) of Implantium implants followed for 5 years and association between risk factors and the CSR. MATERIALS AND METHODS. A total of two hundred forty-nine Implantium Implants System (Dentium, Seoul, Korea) placed in ninety-five patients from 2004 to 2009 were investigated with several identified risk factors (sex, systemic disease, smoking, alchohol, reason of tooth loss, length, arch (maxilla or mandible), replace tooth type (incisor, canine, premolar or molar) Kennedy classification, prosthodontic type, prosthodontic design, opposite dentition, abutment type, occlusal material, occlusal unit, splint to tooth, cantilever, other surgery). Clinical examination (mobility, percussion, screw loosening, discomfort, etc.) and radiographic examination data were collected from patient records including all problems during follow-up period according to protocols described earlier. Life table analysis was undertaken to examine the CSR. Cox regression method was conducted to assess the association between potential risk factors and overall CSR. RESULTS. Five of 249 implants were failed. Four of these were lost before loading. The 5-year implant cumulative survival rate was 97.37%. Cox regression analysis demonstrated a significant predictive association between overall CSR and systemic disease, smoking, reason of tooth loss, arch, Kennedy classification and prosthodontic design (P<.05). The screw related complication was rare. Two abutment screw fractures were found. Another complications of prosthetic components were porcelain fracture, resin facing fracture and denture fracture (n=19). CONCLUSION. The 5-year CSR of Implantium implants was 97.37 %. Implant survival may be dependent upon systemic disease, smoking reason of tooth loss, arch, Kennedy classification and prosthodontic design (P<.05). The presence of systemic diseases and combination of other surgical procedures may be associated with increased implant failure.

• 대한지역사회작업치료학회지
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• 제1권1호
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• pp.7-17
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• 2011

목적 : 본 연구는 보행 가능한 장애인의 버스 이용에 관한 경험을 이해하고, 버스의 이용에서 성공적인 전략을 통해 심리적 어려움을 극복하는 방법을 탐색하기 위한 목적으로 실시하였다. 연구방법 : 본 연구는 보행 가능한 장애인의 버스 이용에 대한 행동과 언어 그리고 그 과정에 대한 깊은 이해를 얻기 위해 질적 연구방법 연구 중 현상학적 접근법과 해석학적 접근법을 이용하였다. 연구 참여자에 대한 인터뷰, 참여관찰을 통해 자료를 수집하였고, 현상학적 방법과 해석학적 방법을 통해 기술과 해석으로 결과를 분석하였다. 결과 : 지역사회에서 보행 가능한 장애인은 버스 이용에 대한 자신감이 지역사회에서 독립적인 이동을 가능하게 했다. 버스 탑승과 하차의 긴박한 승부의 순간에 버스 안에서 좌석을 이용하기 위한 전략을 사용하였으며, 돌발 상황에 대처하기 위해 항시 긴장을 놓지 않는 모습을 확인할 수 있었다. 또한 버스 이용 시 좌석에 앉기와 이동 시에 환자의 부담감을 살펴볼 수 있었다. 결론 : 보행 가능한 장애인의 버스 이용에 있어 자신감이 독립적인 이동에 결정적 영향을 주었으며, 항상 넘어짐에 대한 경계를 하고 여러 심리적 어려움과 돌발 상황을 예측하고 극복하며 대중교통을 이용하고 있음을 알 수 있었다.

• 한국결정성장학회지
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• 제26권6호
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• pp.225-231
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• 2016

GaSb 기판위에 Al이 도핑된 GaInAsSb(Al-GaInAsSb)에 대한 최고 가전대 준위(VBM)와 최저 전도대 준위(CBM) 변화를 범용적 밀접결합방법에 근거한 해석적 근사법을 이용하여 계산하였다. GaSb와 Al-GaInAsSb 의 상대적 VBM과 CBM 준위에 따라 경계면에서의 밴드정렬 타입과 가전자대 오프셋(VBO)과 전도대 오프셋(CBO)이 결정된다. 본 논문에서는 Al 도핑이 GaInAsSb의 양이온 자리에 치환된다는 가정하에 이론이 전개 되었으며, Al은 부식등으로 결정의 질을 떨어트릴 수 있는 요인이 되므로 20 %까지 제한하였다. Al 도핑 결과, 전 구간에서 제 II 형의 밴드정렬형태를 갖게 되며, 밴드갭이 증가되는 반면 VBO와 CBO 는 감소됨을 알수 있었다. CBO 에 대한 감소비율 VBO 보다 더 크므로, Al 도핑은 경계면에서의 전자 콘트롤에 더 효율적으로 작용함을 알 수 있었다. Al-GaInAsSb은 전 구간에서 $E({\Gamma})$가 E(L)이나 E(X)보다 낮은 직접 갭을 나타 내고 있지만, Sb 성분이 많아지면(70~80 % 이상) E(L)과 E(X)이 $E({\Gamma})$에 가까워져서 전자 이동도에 영향을 주어 광학적 효율이 다소 떨어질 수 있음을 알 수 있었다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2006년도 6th International Meeting on Information Display
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• pp.537-539
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• 2006

We developed an 4.5" $192{\times}64$ active matrix organic light-emitting diode display on a glass using organic thin-film transistor (OTFT) switching-arrays with two transistors and a capacitor in each sub-pixel. The OTFTs has bottom contact structure with a unique gate insulator and pentacene for the active layer. The width and length of the switching OTFT is $800{\mu}m$ and $10{\mu}m$ respectively and the driving OTFT has $1200{\mu}m$ channel width with the same channel length. On/off ratio, mobility, on-current of switching OTFT and on-current of driving OTFT were $10^6,0.3{\sim}0.5\;cm^2/V{\cdot}sec$, order of 10 ${\mu}A$ and over 100 ${\mu}A$, respectively. AMOLEDs composed of the OTFT switching arrays and OLEDs made using vacuum deposition method were fabricated and driven to make moving images, successfully.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제15권11호
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• pp.923-932
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• 2002

A stoichiometric mixture of evaporating materials for CdIn$\_$2/S$\_$4/ single crystal thin films was prepared from horizontal furnace. To obtain the single crystal thin films, CdIn$\_$2/S$\_$4/ mixed crystal was deposited on thoroughly etched semi-insulating GaAs(100) substrate by hot wall epitaxy(HWE) system. The source and substrate temperatures were 630 $\^{C}$ and 420 $\^{C}$, respectively. The crystalline structure of single crystal thin films was investigated by the photoluminescence and double crystal X-ray diffraction(DCXD). The carrier density and mobility of CdIn$\_$2/S$\_$4/ single crystal thin films measured from Hall effect by van der Pauw method are 9.01$\times$10$\^$16/ cm$\^$-3/ and 219 ㎠/V$.$s at 293 K, respectively. From the optical absorption measurement, the temperature dependence of energy band gap on CdIn$\_$2/S$\_$4/ single crystal thin films was found to be Eg(T) ＝ 2.7116 eV - (7.74 $\times$ 10$\^$-4/ eV) T$\^$2//(T＋434). After the as-grown CdIn$\_$2/S$\_$4/ single crystal thin films was annealed in Cd-, S-, and In-atmospheres, the origin of point defects of CdIn$\_$2/S$\_$4/ single crystal thin films has been investigated by the photoluminescence(PL) at 10 K. The native defects of V$\_$cd/, V$\_$s/, Cd$\_$int/ and S$\_$int/ obtained by PL measurements were classified as donors or accepters type. And we concluded that the heat-treatment in the S-atmosphere converted CdIn$\_$2/S$\_$4/ single crystal thin films to an optical p-type. Also, we confirmed that In in CdIn$\_$2/S$\_$4/GaAs did not from the native defects because In in CdIn$\_$2/S$\_$4/ single crystal thin films existed in the form of stable bonds.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제20권10호
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• pp.829-838
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• 2007

The stochiometric mix of evaporating materials for the $CdGa_2Se_4$ single crystal thin films was prepared from horizontal furnace. To obtain the single crystal thin films, $CdGa_2Se_4$ mixed crystal was deposited on thoroughly etched semi-insulating GaAs(100) substrate by the Hot Wall Epitaxy (HWE) system. The source and substrate temperature were $630^{\circ}C$ and $420^{\circ}C$, respectively. The crystalline structure of single crystal thin films was investigated by the photoluminescence and double crystal X-ray diffraction (DCXD).The carrier density and mobility of $CdGa_2Se_4$ single crystal thin films measured from Hall effect by van der Pauw method are $8.27{\times}10^{17}\;cm^{-3},\;345\;cm^2/V{\cdot}s$ at 293 K. respectively. The temperature dependence of the energy band gap of the $CdGa_2Se_4$ obtained from the absorption spectra was well described by the Varshni's relation, $Eg(T)\;=\;2.6400\;eV\;-\;(7.721{\times}10^{-4}\;eV/K)T^2/(T+399\;K)$. After the as-grown single crystal $CdGa_2Se_4$ thin films were annealed in Cd-, Se-, and Ga -atmospheres, the origin of point defects of single crystal $CdGa_2Se_4$ thin films has been investigated by PL at 10 K. The native defects of $V_{Cd}$, $V_{Se}$, $Cd_{int}$, and $Se_{int}$ obtained by PL measurements were classified as donors or accepters. We concluded that the heat-treatment in the Cd-atmosphere converted single crystal $CdGa_2Se_4$ thin films to an optical p-type. Also, we confirmed that Ga in $CdGa_2Se_4/GaAs$ did not form the native defects because Ga in single crystal $CdGa_2Se_4$ thin films existed in the form of stable bonds.

• 대한전자공학회논문지TC
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• 제46권5호
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• pp.146-153
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• 2009

현재, 3GPP, IETF 등에서 차세대 네트워크(NGN, Next Generation Network)에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 다양한 생활 패턴에 따른 빈번한 이동성에도 불구하고, 원하는 서비스를 항상 원하는 시간, 장소에 구애받지 않고 자기가 소유하고 있는 단말을 이용하여 서비스를 받기를 원하는 사용자의 요구사항을 반영하기 위해 차세대 네트워크(NGN)는 다양해지는 어플리케이션 개발에 대응하기 위해 IMS(IP Multimedia Subsystem)가 구축되고 있으며, 또한 펨토셀/WiBro/3G등의 다양한 무선 억세스 네트워크로 구성된 계층적 네트워크 구축되고 있다. 이와 같이 무선 멀티 억세스 네트워크로 구성된 계층적 네트워크에서의 사용자가 네트워크 선택하기 위해서는 기존 무선품질 이외에 사용자 프로파일과 네트워크 부하량 등을 고려한 최적의 네트워크 선택 기준이 필요하다. 또한 핸드오버의 판단을 멀티모드 단말에서 수행하는 기존 방법 사용할 경우 발생할 수 있는 핸드오버 핑퐁현상을 억제하고, 보다 정확한 계층적 핸드오버를 수행하기 위한 방법이 필요하다. 본 논문에서는 멀티모드 단말 개발의 용이성과 다양한 억세스 네트워크의 선택 및 등록에 관한 고려사항을 검토하여, 사용자 프로파일을 반영하여 IMS를 포함한 계층적 네트워크에서의 SIP-MIH(Session Initiation Protocol-Media Independent Handover)를 기반으로 하는 무선 멀티 억세스 네트워크의 선택 기법과 계층적 핸드오버 절차에 대해 제안한다.