• 제목/요약/키워드: minimum mean free path

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Coda 파를 이용한 경상분지에서의 Q 값 추정 (Q estimates using the Coda waves in the Kyeongsang Basin)

  • 이원상
    • 한국지진공학회:학술대회논문집
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    • 한국지진공학회 1998년도 추계 학술발표회 논문집 Proceedings of EESK Conference-Spring 1998
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    • pp.383-390
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    • 1998
  • 이 연구의 목적은 경상분지에 설치되어있는 지진계에 기록된 자료를 이용하여 coda Q값을 계산하고 그것이 어느 정도 주파수에 의존하는 가를 추정해 보는 것이다. 분석한 주파수 영역은 1.5Hz에서 18Hz까지이다. 자료는 3조로 나누어 처리하였으며, 단일 산란 이론을 적용하였다. 그리고 매질의 특성을 살펴보고자 minimum mean free path 와 비탄성 감쇠계수를 계산했다. 계산 결과는 Q0값이 83.85 ~155.88로 단층대를 지나는 경로를 가진 자료에서 비교적 낮은 Q 값이 결정 되었고 n은 0.7615~1.0466이다.

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Coda 파를 이용한 경상분지에서의 Q값 추정 (Q Estimates Using the Coda Waves in the Kyeongsang Basin)

  • 이기화
    • 한국지진공학회논문집
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    • 제3권1호
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    • pp.67-74
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    • 1999
  • 이 연구에서는 단일 산란이론을 이용하여 경상분지에서 얻어진 국소 미소지진의 자료를 1.5-1.8Hz 사이의 주파수 영역에서 몇 개의 구간으로 나누어 대역 통과 필터링을 g여 coda 파의 진폭 감쇠로부터 Q값을 결정하였다 Coda Q 값은 Qc=Q0 fn 형태의 주파수 의존 양상을 보여주며 Q0 값은 83.9-155.9 n 값은 0.76에서 1.05 사이로 나타났다 산란 감쇠와 고유감쇠를 고려하여 감쇠가 순전히 산란에 의해서만 일어난다고 가정했을 때 최소 평균 자유경로를 51.-56km 이고 비탄성 감쇠계수는 0.0093-0.0098 로 나타났다 진앙과 관측소간의 경로가 단층지역을 지나는 것이 다른 경로를 지나오는 것보다 높은 감쇠와 강한 주파수 의존성을 보여준다.

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대기압 이하에서 운전하는 유동층 반응기의 유동 특성 (Fluidization Characteristics in Fluidized Bed Reactors Operated in Subatmospheric Pressure)

  • 박성희
    • Korean Chemical Engineering Research
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    • 제58권2호
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    • pp.307-312
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    • 2020
  • 최근 대기압이하 진공 압력 상태에서 운전되는 유동층 반응기는 진공건조 공정이나 플라즈마 화학증착과 같이 감압 유동화가 요구되기에 관심이 증대되어 왔다. 그러나 대기압 이하에서 운전되는 유동층의 수력학적 특성 연구는 많이 연구되지 않았다. 본 연구에서는 대기압 이하에서 운전하는 유동층의 압력강하를 층내 압력을 1.33 에서 101.3kPa 까지 변화시키며 측정하였다. 유동층의 운전 압력이 진공인 상태에서는 최소유동화속도가 압력이 감소함에 따라 증가하며, 이는 기체 밀도와 평균 자유경로 변화와 같은 slip 흐름에 의한 변화이다. 또한 기존의 상압 상태에서 운전되는 유동층의 최소유동화속도 상관식과 비교함으로써 압력 감소에 따른 slip 흐름의 영향 뚜렷하게 나타남을 가리키는 임계 Knudsen 수를 결정하였다. 이로부터 slip 흐름이 주도하기 시작하는 임계 압력을 실험적으로 결정하였다.

동일 증착 조건의 스퍼터링에 의해서 제작된 Indium Tin 산화물 박막의 증착위치에 따른 전기적 특성의 불균질성 (Nonhomogeneity of the Electrical Properties with Deposition Position in an ITO Thin Film Deposited under a Given R.F. Magnetron Sputtering Condition)

  • 유동주;최시경
    • 한국세라믹학회지
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    • 제38권11호
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    • pp.973-979
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    • 2001
  • Sn을 도핑한 In$_2$O$_3$(ITO) 박막을 R.F. 마그네트론 반응성 스퍼터링법에 의해서 증착하였다. 동일한 마그네트론 스퍼터링 조건에서 증착위치에 따른 ITO 박막의 저항, 자유 전하 농도 및 이동도 전기적 특성을 조사하였다. 동일한 마그네트론 스퍼터링 조건임에도 불구하고, ITO 박막의 전기적 특성은 증착위치에 따라 불균질성을 나타내었다. 타겟의 중심에 위치한 기판위에 증착된 ITO 박막의 저항은 최소 값인 2~4$\times$$10^{-4}$ $\Omega$.cm인 반면, 중심에서 멀어질수록 박막의 전기 저항은 대칭적으로 증가하였다. ITO 박막의 밀도 측정 결과도 중심에서 이론 밀도 값의 97%에 해당하는 7.0g/$cm^3$를 나타내나, 위치가 중심에서 멀어질수록 박막의 밀도가 대칭적으로 감소하였다. ITO 박막에서 이동도와 전도도는 밀도에 직접적으로 영향을 받는 것이 실험적으로 확인되었다. ITO 박막의 밀도가 7.0g/$cm^3$(이론 밀도의 97%)인 경우, 자유행정거리와 입자크기(=주상의 직경)가 동일한 값을 가지나, 밀도가 이 보다 감소하면 자유행정거리와 입자크기의 차이는 더욱 증가하였다. 이 결과는 ITO 박막의 밀도가 7.0g/$cm^3$인 경우는 입계가 자유 전자의 전도에 중요한 산란 원으로 작용하는 반면, 그 외의 경우는 결정 내의 공격자점, 공공, 기공 등이 다른 산란 원으로 작용하고 있다는 것을 나타낸다.

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