The electric characteristics of semiconductor materials can be found by way of various methods, of which the measurement of the carrier mobility is thought to be of great importance. There exist some mobilty measurements, but the measurement based on Hall effect is the most widely uesd. In this paper is adopted the mobility measurement of semiconductor by the use of cylindrical eavity operated in the same shape as TE modes. It is hoped that the resultant values of measurement, the structure of measurement circut, cavity design and the raising of relevant problems may give much help to those who may interested in this field.
본 논문에서는 직사각형 도파관내에 놓여 있는 동축선으로 급전되는 사각형 마이크로스트립 패치 안테나의 입력 임피던스를 공진기 모델 및 안테나에 의해 여기되는 도파관내의 전송 모드로부터 이론적으로 계산하였다. 자유공간과 도파관내에서 패치 안테나의 급전 위치에 따른 return loss 및 효율을 계산하여 비교하였으며 최대 효율을 얻을 수 있는 급전점이 자유공간과 도파관에서 차이가 있음을 보였다.
근접장 마이크로파 현미경에 사용되는 도파관 탐침 구조에 대해 기존의 폭이 좁은 사각형 개구를 대신하여 H-형태 개구 구조를 제안하였고, 두 구조의 성능 평가지표로서 투과 효율과 스팟 크기를 비교 분석하였다. 비교결과로 투과 효율은 비슷하였지만, 스팟 크기 면에서는 H-형태 개구 구조가 훨씬 작아서 해상도 측면에서 개선된 형태의 탐침 구조로 사용될 수 있음을 확인하였다. 이런 H-형태 개구의 이점을 이용하면 광 정보 저장, 나노리소그래픽, 나노 현미경과 같은 근접장 광학 장치가 상당히 성능 개선될 것이다. 또한, 도파관 탐침에 공진기가 부착된 구조에서 투과 효율이 향상됨을 확인하였다.
We analyze the characteristics of a coaxial-to-waveguide transition based on the finite difference time domain (FDTD) method with the cylindrical to rectangular cell interpolation scheme. The scheme presented in this paper is well suited for the analysis of a microwave device with a probe near waveguide discontinuity because perfect TEM mode can be generated inside the coaxial cable by using the cylindrical cell. The scattering parameters of a designed Ka-band transition are evaluated and compared with those of commercially available software, High Frequency Structure analysis Simulator (HFSS) and measured data. There exists good agreement between the measured and calculated data. In order to prove an accuracy of the interpolation scheme, a coaxial to waveguide transition with a disk-loaded probe is analyzed by the present approach and the results of this analysis are compared with measured data. Comparison shows that our results match very closely to those of measurement and other approaches. The method presented in this paper can be applied to analyze the characteristics of a probe excited cavity, coaxial waveguide T-Junctions, and so on.
본 논문은 기판 직접형 도파관(SIW)에 complementary split ring resonator(CSRR)이 탑재된 저위상 잡음 발진기를 제안한다. SIW 캐비티의 unloaded Q-factor는 CSRR을 삽입하여 높아졌고, 그 값은 1960을 나타내고 있다. 높은 Q-factor를 나타내는 SIW 캐비티 공진기에 대한 이론적인 분석과 설계 과정이 제시되어 있으며, 설계된 회로가 11.3 dBm의 출력 파워와 1-MHz 오프셋에서 -127.9 dBc/Hz의 위상 잡음을 갖는 9.3 GHz의 신호를 발생시킴을 실험적으로 보여주고 있다.
본 논문에서는 Re-enterant 공동 공진기의 내부 도체봉 길이 변화에 따른 공진 주파수의 가변특성을 실험정그로 고찰하였다. 실험시 제작된 공진기는 동축 케이블과 원형 도파관을 경합한 형태로서 동축 케이블의 내부 도체봉의 길이를 축방향으로 면화시킬 수 있도록 하여, 내부 도체봉의 임의의 길이에 대한 Tmonq 모드의 공진 주파수를 측정하였다. 경과의 타당성을 입증하기 위해서 실험 경과와 여러 사람들의 이론치를 비교하였다. 본 실험의 결과는 파장계, 공진기?l 증폭기의 공진 회로의 설계및 제작에 활용할 수 있으며 마이크로 웨이브 집적회로(MIC, Microwave Integrated Circuits)나 여과기에 사용되는 유전체 공진기의 공진 주파수를 가변시키는데도 사용할 수 있다.
Radio-frequency (RF) amplifiers based on direct current (DC) superconducting quantum interference device (SQUID) have low-noise performance for precision physics experiments. Gain curves of SQUID RF amplifiers depend on several parameters of the SQUID and operation conditions. We are developing SQUID RF amplifiers for application to measure very weak RF signals from ultra-low-temperature high-magnetic-field microwave cavity in axion search experiments. In this study, we designed, fabricated and characterized SQUID RF amplifiers with different SQUID parameters, such as number of input coil turn, shunt resistance value of the junction and coupling capacitance in the input coil, and compared the results.
한국초전도학회 2000년도 High Temperature Superconductivity Vol.X
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pp.201-206
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2000
Effects of the post-annealing temperature of CeO$_2$ buffer layers on the properties of YBCO films on CeO$_2$-buffered sapphire were investigated. 45 nm-thick CeO$_2$ buffer layer was prepared in-situ on r-cut sapphire using an on-axis rf magnetron sputtering method, which was later post-annealed at temperatures between 950$^{\circ}$C and 1100$^{\circ}$C in an oxygen-flowing environment. YBCO films were prepared on CeO$_2$-buffered sapphire (CbS), for which the surface morphology, crystal structures and electrical properties of the YBCO films were studied. YBCO films on post-annealed CbS appeared to have better properties than those on as-grown CbS with regard to the morphological, structural and electrical properties when the YBCO films were prepared on CeO$_2$ buffer layer post-annealed at temperatures of 1000 - 1050$^{\circ}$C. A TE$_{011}$ mode rutileloaded cylindrical cavity resonators was fabricated with the YBCO films placed as the endplates, for which the unloaded Q of the resonator was measured. It turned out that the resonator with the endplates prepared from the YBCO films on postannealed CbS at 1000 $^{\circ}$C showed the highest unloaded Q with the value more than 8 ${\times}$ 10$^5$ at 30 K and 8.6 CHz, revealing that the YBCO films on post-annealed CbS at 1000$^{\circ}$C the temperature could be the lowest among the YBCO films on post-annealed CbS.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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