Luminscence spectra and decay of crystalline hexahydro-1,3,5-trinitro-1,3,5-s-tetrazine (RDX) are observed at 90 K and the effects of photochemical reaction on the luminescence of RDX are investigated. The uv light from high power Hg lamp is used for the photochemical reaction of RDX. While no significant changes are observed in the luminescence spectra after the photochemical reaction, the intensity profile of the spectra changes with the progress of chemical reactions. The biexponential decay of luminescence is modified by chemical reactions. Features of the electronic states of crystalline RDX are discussed in relation to the luminescence.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제6권3호
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pp.125-130
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2006
The optical gain and the luminescence of a ZnO quantum well with MgZnO barriers is studied theoretically. We calculated the non-Markovian optical gain and the luminescence for the strained-layer wurtzite quantum well taking into account of the excitonic effects. It is predicted that both optical gain and luminescence are enhanced for the ZnO quantum well when compared with those of InGaN-AlGaN quantum well structure due to the significant reduction of the piezoelectric effects in the ZnO-MgZnO systems.
The upconversion (UC) luminescence of $Li^+/Er^{3+}/Yb^{3+}$ co-doped $CaWO_4$ phosphors and effects of $Yb^{3+}$ concentration are investigated in detail. Single crystallized $CaWO_4$ : $Li^+/Er^{3+}/Yb^{3+}$ phosphor can be obtained, co-doped up to 35.0/5.0/30.0 mol% ($Li^+/Er^{3+}/Yb^{3+}$) by solid-state reaction. Under 980 nm excitation, $CaWO_4$ : $Li^+/Er^{3+}/Yb^{3+}$ phosphor exhibited strong green UC emissions visible to the naked eye at 530 and 550 nm induced by the intra 4f transitions of $Er^{3+}$ ($^4H_{11/2}$, $^4S_{3/2}{\rightarrow}^4I_{15/2}$). The optimum doping concentrations of $Yb^{3+}$ that would result in the highest UC luminescence were determined, and a possible UC mechanism that depends on the pumping power is discussed in detail.
한국정보디스플레이학회 2008년도 International Meeting on Information Display
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pp.1181-1184
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2008
$GeO_2$/ormosil organic-inorganic hybrid films doped with neodymium ions and $TiO_2$/Ormosil organic-inorganic hybrid films dispersed with neodymium oxide nanocrystals are prepared by combining an inverse microemulsion technique and a low-temperature sol-gel technique. The effects of $Nd^{3+}$ concentration, $Nd_2O_3$ nanocrystal content, and heat treatment temperature on up-conversion and photoluminescence luminescence properties of the hybrid films are studied.
본 연구는 스마트 포토닉 의류 중 발광 의류에 적용될 수 있는 유연 광섬유 직물 디스플레이의 구현 방식을 고찰하였다. 유연 광섬유의 가공방법, 직물의 디스플레이 반사구조, 광원 색채에 따른 고유 휘도를 비교 분석하고, 이를 토대로 발광효과가 높은 광섬유 직물 디스플레이의 최적의 조건을 도출하고자 하였다. 광섬유가공방법은 '직물화전 에칭(Pre-etching) 방법'과 '직물화후 에칭(Post-etching) 방법'을 비교하였고, 직물의 디스플레이 반사구조는 '백색 직물(White Fabric)'과 '재귀반사 직물(Reflective Fabric)'을 사용한 두 경우를 비교하였다. 광원 색채는 RGB(Red, Green, Blue)의 휘도값을 비교함으로써, 유연 광섬유 가공방법과 배면소재에 따른 휘도값 차이를 광원 색채별로 비교 분석하였다. 분석 결과, 유연 광섬유의 가공방법과 직물의 디스플레이 반사구조의 두 직물화 방식의 변인 중 유연 광섬유의 가공방법이 직물의 디스플레이 반사구조보다 더 지배적인 영향을 미치는 것으로 나타났다. 유연 광섬유의 가공방법 중에서는 '직물화후 에칭' 방식이 '직물화전 에칭' 방식보다 광섬유 직물의 발광효과를 높이는데 좀 더 주요한 것으로 나타났고, 직물의 디스플레이 반사구조에서는 전반적으로 '재귀반사 직물' 배면이 '백색 직물' 배면에 비해 유연 광섬유 직물의 발광효과를 높이는데 더 효과적인 것으로 나타났다. 유연 광섬유 직물 디스플레이의 발광효과를 높이기 위한 최적의 구현 조건은 유연 광섬유의 '직물화후 에칭' 방식과 '재귀반사 직물'의 배면 배치가 조합되는 경우인 겻을 알 수 있었다.
본 연구에서는 플라즈마 디스플레이 패널의 방전 특성과 MgO 보호막 물성에 영향을 미치는 MgO 증착률에 대해 분석을 하였다. 물성 특성으로 결정 방향과 표면 거칠기 결정 구조 및 음극선 발광을 XRD (X-ray Diffraction), AFM (Atomic Force Microscopy), Mono-CL (Mono Cathode Luminescence analysis)등을 이용하여 측정하였고, 방전 특성으로는 방전개시전압과 방전 전류, 휘도를 진공 챔버와 오실로스코프 (TDS 540C), 전류 프로브 (TCP 312A), 휘도 색차계 (CS-100A)를 이용하여 측정하였다. 실험 결과 $5{\AA}/sec$의 증착률이 최적의 증착률임을 확인하였고, 또한 MgO의 증착률에 따라서 MgO 보호막의 물성특성이 변화하고 이에 의해서 전기적 광학적 특징이 영향을 받는 것을 확인하였다. 즉, 증착률 $5{\AA}/sec$을 기준으로 증착률이 증가할수록 (200) 결정 방향 및 음극선 발광의 밀도가 감소되고, 동작 전압은 증가하며 점차 효율이 나빠지는 경향을 보인다.
Red-emitting nitride phosphors recently attracted considerable attention because of their high thermal stability and high color rendering index properties. For excellent phosphor of white light-emitting-diode, ternary nitride phosphor of $Sr/SmSi_5N_8:Eu^{2+}$ with different $Eu^{2+}$ ion concentration were synthesized by solid state reaction method. In this work, red-emitting nitride $Sr/SmSi_5N_8:Eu^{2+}$ phosphor was successfully synthesized by using multi-step high frequency induction heat treatment. The effects of molar ratio of component and experimental conditions on luminescence property of prepared phosphors have been investigated. The structure and luminescence properties of prepared $Sr/SmSi_5N_8:Eu^{2+}$ phosphors were investigated by XRD and photoluminescence spectroscopy. The excitation spectra of $Sr/SmSi_5N_8:Eu^{2+}$ phosphors indicated broad excitation wavelength range of 300 - 550 nm, namely from UV to visible area with distinct enhanced emission peaks. With an increase of $Eu^{2+}$ ion concentration, the peak position of emission in spectra was red-shifted from 613 to 671 nm. After via multi-step heat treatment, prepared phosphor showed excellent luminescence properties, such as high emission intensity and low thermal quenching, better than commercial phosphor of $Y_3Al_5O_{12}:Ce^{3+}$. Using $Eu_2O_3$ as a raw material for $Eu^{2+}$ dopant with nitrogen gas flowing instead of using commercial EuN chemical for $Sr/SmSi_5N_8:Eu^{2+}$ synthesis is one of characteristic of this work.
Under the condition of femtosecond impulsive nonlinear optical irradiation, the bright and narrowed blue emission of silicon nanocrystal was observed. This synthetic method produced very small (~ 4 nm) oxide-capped silicon nanocrystal having probably ultra small emitting core (~ 1 nm) inferred from luminescence. By controlling the stirring condition, very high efficiencies of luminescence ( 4 fold higher) were obtained compared with the other conventional femtosecond laser fragmentation methods, which was attributed to the differences in hydration shell structure during the femtosecond laser induced irreversible phase transition reaction. When we properly adjusted the irradiation times of the white light continuum and stirring condition, very homogeneous luminescent silicon nanocrystal bands having relatively sharp lineshape were obtained, which can be attributable to the luminescent core site isolated and free from the surface defects.
Kang, SukHyun;Jung, Kyung-Hwan;Kim, Kang Min;Kim, Won Rae;Han, HyukSu;Mhin, Sungwook;Son, Yong;Shim, Kwang Bo;Lee, Jung-Il;Ryu, Jeong Ho
Journal of Ceramic Processing Research
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제20권2호
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pp.158-163
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2019
Er3+/Yb3+-codoped NaLa(MoO4)2 colloidal nanocrystals were synthesized by pulsed laser ablations in de-ionized water and sodium dodecyl sulfate (NaC12H25SO4, SDS) aqueous solution for up-conversion (UC) luminescence bio-labeling applications. The influences of the SDS molecules on the crystallinities, crystal morphologies, crystallite sizes, and UC luminescence properties of the prepared Er3+/Yb3+-codoped NaLa(MoO4)2 colloidal nanocrystals were investigated in detail. Under a 980-nm excitation, the Er3+/Yb3+-codoped nanocolloidal NaLa(MoO4)2 suspension exhibited a weak red emission near 670 nm and strong green UC emissions at 530 and 550 nm, corresponding to the intra 4f transitions of Er3+ (4F9/2, 2H11/2, 4S3/2) → Er3+ (4I15/2). When the SDS solution was used, a smaller average crystallite size, narrower size distribution, and enhanced UC luminescence were observed. These characteristics were attributed to the amphoteric SDS molecules attached to the positively charged Er3+/Yb3+-codoped NaLa(MoO4)2 colloidal nanocrystals, effectively occupying the oxygen defect on their surfaces. The Er3+/Yb3+-codoped nanocrystalline NaLa(MoO4)2 suspension prepared in the SDS solution exhibited a remarkably strong green emission visible to the naked eyes.
A new technique to grow a manganese-doped zinc-sulfide(ZnS:Mn) has been proposed using the repeated deposition of the Hot Wall method. The optical characteristics and crystallinity for the ZnS and ZnS:Mn thin films deposited on a quartz glass substrate by the method were investigated. Also, The ZnS:Mn thin film elcetroluminescent devices were fabricated by the method to study luminescence characteristics. All films showed (111)-oriented cubic structure. By the repeated deposition, the deposition rates were decreased, and the optical characteristics and crystalline properties were improved, which clarifies that the method is effective to deposit the thin films with good crystallinity Futhermore, the crystallinity was more improved by the doping of Mn. Only one peak emission at around 585nm originating from Mn luminescent center is observed In the photoluminescent and electroluminescent spectra of ZnS:Mn films and the luminance of the ZnS:Mn-based thin film electroluminescent devices was obtained below 60cd/$m^2$ . The optical and crystalline properties, luminescence characteristics are discussed in terms of the effects of the repeated deposition and Mn-doping.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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