• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제19권1호
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• pp.75-80
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• 2006

We have fabricated a carbon nanotube field emission display(CNT-FED) panel with a 2 inch diagonal size using a screen printing method and in-situ vacuum sealing technology. The field emission properties of CNT FED panel with square-type CNT emitters. As results, the square-characterized and compared with those of the line-type CNT emitters. As results, the square-type CNT emitters showed much larger emission current and more stable I-V characteristics. Light emission started to be occurred at an electric field of 3.5 V/${\mu}m$ corresponding to the anode-cathode voltage of 700 V. The vacuum level inside of the in-situ vacuum sealed panel was obtained with $1.4 {\times} 10^{-5}$ torr. The sealed panel showed the similar I-V characteristics with the unsealed one and the uniform light emission with very high brightness at a current density of $243 {\mu}A/ cm^2$ obtained by the electric field of 10 V/${\mu}m$.

• 한국세라믹학회지
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• 제32권11호
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• pp.1262-1268
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• 1995

Photoelectrochemical properties of p-GaAs electrode have been investigated. I-V characteristic shows that the cathodic photocurrent is observed at -0.7 V vs. SCE. The photoresponse at near 870~880nm wavelength indicates that the photogenerated carriers contibuted to the observed current. The maximum converson efficiency of 35% is obtained for a Xe lamp light source at 400nm. In C-V relation, capacitance peaks appeared at the frequencies of 100Hz and 300Hz due to the activation of the interfacial states which exist at the energy level corresponding to the one-third of the GaAs band gap. The difference of about 1.1V between flatband potential (Vfb) from the Mott-Schottky method and onset voltage from I-V curve is observed due to the trap of carriers at the interfacial states in the boundary between GaAs and electrolyte. In case of WO3 deposited p-GaAs electrode, higher positive onset current and photocurent density are obtained. This can be explained by the fact that carriers are generated by light penetrated into the WO3 thin flm as well as p-GaAs substrate and then move into the electrolyte effectively.

• Journal of Radiation Protection and Research
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• 제29권4호
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• pp.251-256
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• 2004

Phoswich 검출기를 제작하기 위하여 무기 섬광체인 CsI(Tl), $CdWO_4(CWO),\;Bi_4Ge_3O_{12}(BGO)$와 $Gd_2SiO_5:Ce(GSO)$의 특성을 연구하였다. CsI(Tl), CWO, BGO 및 GSO 섬광체의 radioluminescence 중심파장은 550 nm, 475 nm, 490 nm 및 440 nm이였고, neutral filter를 사용하여 측정한 CsI(Tl), CWO, BGO 및 GSO 섬광체의 절대광량은 각각 54890 phonon/MeV, 17762 phonon/MeV, 8322 phonon/MeV 및 8932 phonon/MeV이였으며, single photon method로 측정한 형광감쇠시간은 각각 $1.3{\mu}s,\;8.17{\mu}s$, 213 ns 및 37 ns이였다. 플라스틱 섬광체와 CsI(Tl) 섬광체를 사용하여 phoswich 검출기를 제작하였고 PSD(pulse shape discriminator) 방법으로 ${\beta}$ 입자와 ${\gamma}$ 선을 구별하며 각각의 방사선에 대한 파고 스펙트럼을 측정하였다.

• Journal of Astronomy and Space Sciences
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• 제21권2호
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• pp.73-82
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• 2004

Samec et al.(1997)의 UBV 광도곡선과 Lu ＆ Rucinski(1999)의 시선속도곡선을 2003년에 개정한 Wilson-Devinney 쌍성모델을 적용하여 W형 과접촉쌍성 V417 Aql의 측광 및 분광학적 해를 새롭게 산출하였다. 광도곡선 분석에서 Qian(2003)이 제안한 제3천체의 광도를 광도곡선 분석에서 고려한 결과, 삼체의 광도가 U, B, V 필터에서 각각 2.7%, 2.2%, 0.4% 존재하고, 삼체의 광도를 고려한 경우가 그렇지 않은 경우보다 이론치와 관측치가 극심 부근에서 더 잘 일치하였다. 우리의 해로부터 V417 Aql의 절대 물리량을 $M_1$= 0.53 $M_{ }$, $M_2$= 1.45 $M_{*}$, $R_1$= 0.84 $R_{*}$, 그리고 $R_2$= 1.31 $M_{*}$으로, 거리를 216pc으로 산출하였다. 우리가 구한 거리는 Rucinski ＆ Duerbeck(1997)의 관계식 $M_{v}$ = $M_{v}$(log P, B-V)으로부터 계산한 거리(204pc)와 잘 일치하는 반면, Hipparcos 삼각시차에 의한 거리(131$\pm$40pc)보다 멀다. 그 차이는 Hipparcos 시차의 비교적 큰 오차 때문에 생긴 것일 수 있다. 수 있다.

• 융합신호처리학회논문지
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• 제13권3호
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• pp.162-165
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• 2012

본 논문에서는 차량의 흐름을 지체시키는 병목 지점에서 차량의 연료소비 감소를 위한 WAVE 방식 기반 V2V 및 V2I 의 정보 통신 기술을 이용하여 차량의 상대적인 속도를 제어하는 방법을 제안하였다. 연비 효율 비교 분석을 위한 모델을 제시하여 주기적으로 차량의 정차를 요하는 교통 신호등 방식보다 제안하는 방식이 병목 지점에서 연비 효율이 높아짐을 보였다. 또한 이 방식에서 병목지점에 진입하는 차량 간 속도 제어를 위한 감 가속도 유도 알고리즘을 제시하였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제33권2호
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• pp.93-98
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• 2020

We investigated the effect of a post-annealing process using ultraviolet (UV) light on the electrical properties of solution-processed InZnO (IZO) thin-film transistors (TFTs). UV light was irradiated on IZO TFTs for different time periods of 0s, 30s, and 90s. We measured transfer and retention stability curves to evaluate the performance of the fabricated TFTs. In addition, we measured height, amplitude, and phase AFM images to analyze changes in the surface and morphology of the devices. AFM measurements were performed by setting the drive amplitude of the cantilever tip to 47.9 mV in tapping mode, then dividing the device surface into 500 nm × 500 nm. In the case of IZO TFT irradiated with UV for 30s, the electron mobility and I_on/I_off ratio were improved, the threshold voltage was reduced by approximately 2 V, and the subthreshold swing also decreased form 1.34 V/dec to 1.11 V/dec.

• 한국응용과학기술학회지
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• 제39권5호
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• pp.589-595
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• 2022

안트라센의 골격을 갖는 청색 발광 물질, 9-(2-naphthyl)-10-(p-tolyl)anthracene (2-NTA)를 기본으로 하고, 오렌지 도판트인 루브렌을 다양한 부피비로 사용하여 백색 유기발광소자를 제작하였다. 그 결과 C.I.E. 좌표가 (0.32, 0.39)인 백색 유기발광소자를 얻었다. 다양한 부피비의 소자 중 루브렌을 1.5% 이하로 증착된 소자가 3% 이상으로 증착된 소자 보다 전기발광 효율이 높았다. 더욱이 2-NTA를 포함하는 백색 유기발광소자는 같은 조전하에서 2-NTA 만의 청색 유기발광소자 보다 낮은 턴온 전압을 갖는다. 결론적으로 2-NTA는 적은 양의 오렌지 도판트만으로 순수한 백색 유기발광소자를 구현할 수 있다.

• 폴리머
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• 제30권3호
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• pp.253-258
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• 2006

4 종류의 n형 유기 반도체 물질 F16CuPC, NTCDA, PTCDA, PTCDI C-8을 사용하여 ITO/n형 활성물질/Al gate/n형 활성물질/Al으로 구성되는 세로형 유기 박막트랜지스터를 제작하였다. 캐리어 이동도의 차이를 갖는 유기 물질의 종류와 유기 박막층의 두께 조절에 따른 유기 박막트랜지스터의 전류전압(I-V) 특성 및 전류의 온오프비에 미치는 영향을 조사하였다. PTCDI C-8을 사용한 세로형 유기 박막트랜지스터에서 낮은 구동전압과 높은 스위칭 특성을 보였다. ITO/PEDOT-PSS/P3HT/F16CuPc/Al gate/F16CuPc/Al으로 구성되는 발광트랜지스터를 제작하였고, 20 V에서 최고 0.054의 양자 효율을 나타내었다.

• International Journal of Quality Innovation
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• 제7권3호
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• pp.58-69
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• 2006

This paper presents neural network-based recognition system for automatic light emitting diode (LED) inspection. The back-propagation neural network (BPNN) is proposed and tested. The current-voltage (I-V) characteristic data of LED from the inspection process is used for the network training and testing. This study selects 300 random samples as network training and employs 100 samples as network testing. The experimental results show that if the classification work is done well, the accuracy of recognition is 100%, and the testing speed of the proposed recognition system is almost one half faster than the traditional inspection system does. The proposed neural-network approach is successfully demonstrated by real data sets and can be effectively developed as a recognition system for a practical application purpose.

• 한국광학회지
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• 제14권2호
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• pp.184-188
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• 2003

TM 모드에는 영향을 끼치지 않으면서 TE 모드의 위상만을 변조시키는 P-I-i-I-N $GaAs/Al_{0.35}Ga_{0.65}As$ 도파로 위상변조기를 제작하였다. TE 모드에 대해서만 위상변조를 일으키게 하기 위해 P-I-i-I-N 구조를 선택하였다. Fabry-Perot 공명 방법을 이용해서 TE-와 TM 모드에 대해 $\lambda=1.55$\mu\textrm{m}$ 파종에서 각각 측정하였다. TE-편광된 빛에 대한 위상변조 효율은 $\Delta\phi=7.9^{\circ}/V.mm$ 였다. 이것은 비슷한 구조를 갖는 위상변조기의 변조 효율 보다 거의 2.5배정도 향상된 결과이다. 또한, TM-편광된 빛에 대해 서는 위상변조가 관측되지 않았다.