Journal of electromagnetic engineering and science
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제16권2호
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pp.106-111
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2016
A resistive and capacitive (RC) microwave absorber with a layer thickness less than a quarter of a wavelength is investigated based on closed-form design equations, which are derived from the equivalent circuit of the RC absorber. The RC absorber is shown to have a theoretical 90% absorption bandwidth of 93% when the electrical layer thickness is $57^{\circ}$ (about ${\lambda}_0/6$). The trade-offs between the layer thickness and the absorption bandwidth are also elucidated. The presented formulation is validated by a design example at 3 GHz. The RC absorber is realized using a silver nanowire resistive rectangular structure with surrounding gaps. The measured 90% absorption bandwidth with a layer thickness of ${\lambda}_0/8$ is 76% from 2.3 GHz to 5.1 GHz in accordance with the theory and EM simulations. The presented design methodology is scalable to other frequencies.
A double layered photoreceptor using phthalocyanine dye was made by dip-coating method. The under cutting layer(UCL) was coated with A1$\_$2/O$\_$3/ or polyamide, and the charge generation layer(CGL) was formed by .tau.-type metal-free phthalocyanine. The oxadiazole was used as a charge transport layer(CTL) and polycarbonate and poly(vinyl butyral) was employed as a host polymer. The .tau.-H$\_$2/Pc had an absorption peak around 780nm, which coincided with the emitting wavelengths of GaAlAs diode lasers. Maximum charge acceptance of CTL that gives thickness of 12.mu.m was -900V by corona charge of -6.0kV. In photo-induced discharge measurements, residual potential was less than -20V and sufficient for ordinary use, and sample films using of poly(vinyl butyral) was showed good charge retention. In printing test, drum that was employed polycarbonate as a host polymer showed the good print quality.
한국표면공학회 2011년도 춘계학술대회 및 Fine pattern PCB 표면 처리 기술 워크샵
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pp.135-136
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2011
본 연구에서는 실리콘 기판위의 형성된 AAO (Anodic Aluminum Oxide)의 barrier layer를 $Cl_2/BCl_3$ gas mixture에서 Neutral Beam Etching (NBE)과 Ion Beam Etching (IBE)로 각각 식각한 후 그 결과를 비교하였다. 이온빔의 경우 나노사이즈의 AAO pore의 charging에 의해 pore 아래쪽의 위치한 barrier layer를 어떤 식각조건에서도 제거하지 못하였다. 하지만, charging effect가 없고, 높은 중성화율을 나타내는 low angle forward reflected 방식의 neutral beam etching (NBE)에서는 $BCl_3$-rich $Cl_2/BCl_3$ gas mixture인 식각조건에서 AAO pore에 휘발성 $BO_xCl_y$를 형성하면서 barrier layer를 제거할 수 있었다.
We investigated solution-processed indium-zinc oxide (IZO) thin-film transistors (TFTs) by inserting a 2-(4-biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole (PBD) buffer layer. This buffer layer efficiently tuned the energy level between the semiconducting oxide channel and metal electrode by increasing charge extraction, thereby enhancing the overall device performance: the IZO TFT with embedded PBD layer (thickness: 5 nm; width: $2,000{\mu}m$; length: $200{\mu}m$) exhibited a field-effect mobility of $1.31cm^2V^{-1}s^{-1}$, threshold voltage of 0.12 V, subthreshold swing of $0.87V\;decade^{-1}$, and on/off current ratio of $9.28{\times}10^5$.
Molecular layer deposition (MLD) is sequential, self-limiting surface reaction to form conformal and ultrathin polymer film. This technique generally uses bifunctional precursors for stepwise sequential surface reaction and entirely organic polymer films. Also, in comparison with solution-based technique, because MLD is vapor-phase deposition based on ALD, it allows epitaxial growth of molecular layer on substrate and is especially good for surface reaction or coating of nanostructure such as nanopore, nanochannel, nanwire array and so on. In this study, polyurea film that consisted of phenylenediisocyanate and phenylenediamine was formed by MLD technique. In situ Fourier Transform Infrared (FTIR) measurement on high surface area SiO2 substrate was used to monitor the growth of polyurethane and polyurea film. Also, to investigate orientation of chemical bonding formed polymer film, plan-polarized grazing angle FTIR spectroscopy was used and it showed epitaxial growth and uniform orientation of chemical bones of polyurea films.
To examine how London energy controls the c-dimensions of phyllosilicates, London energy, as well as Coulomb and Pauli repulstion energy was calculated as a function of d(001) for 1M and d(002) for 2M 1 phyllosilicates. London and Pauli repulstion energy calcualtion use a direct interaction calculation method and Coulomb energy calculation adopts Fourier synthesis method. The energy calculations show that Coulmb and Pauli repulsion energy dominantly control the c-dimensions of phyllosilicates having the interlayer cationss, i.e., the layer charges. On the other hand, if phyllosilicates have no interlayer cations, London energy is solely responsible for holding the layers and maintain the c-dimensions. The significance of London energy in determining the c-dimensions of phyllosislicates de-creases as the layer charge increases. When the layer charge is lower than one equivalent on the basis of Oη(OH)2 formula, London energy plays an important role in determing the c-dimensions. however, if the layer charge is higher than one equivalent, London energy becomes insignifi-cant in determining the c-dimension.
Possible role of hydrogen atoms on the formation of microcrystalline silicon films was schematically investigated using a plasma enhanced chemical vapor deposition system. A layer-by-layer technique that can alternate deposition of ${\alpha}$-Si thin film and then exposure of H2 plasma was used for this end. The experimental process was extensively carried out under different hydrogen plasma times (t2) at a fixed number of 20 cycles in the deposition. structural properties, such as crystalline volume fractions and grain shapes were analyzed by using a Raman spectroscopy and a scanning electron microscopy. Electrical transports were characterized by the temperature dependence of the dark conductivity that gives rise to the calculation of activation energy (Ea). Optical absorption was measured using an ultra violet spectrophotometer, resulting in the optical energy gap (Eopt). Our experimental results indicate that both of the hydrogen etching and the structural relaxation effects on the film surface seem to be responsible for the growth mechanism of the crystallites in the ${\mu}$c-si films.
블록체인 기술이 발전됨에 따라서 확장성의 보장과 향상을 위한 다양한 기술이 연구 및 개발되고있다. 기존에는 Layer 1에서의 확장성을 주로 연구하는 추세였지만, 현재 Layer 2의 등장으로 인하여, 보다 빠르고 효율적으로 트랜잭션을 처리 및 기록하고, 더 낮은 거래 비용을 제공하는 기술로 발전하였다. 따라서 본 논문에서는 Layer 2 스케일링 솔루션의 최신 동향을 조사하고 현재 기술 개발 사례를 탐색한다. 예를 들어 스테이트 채널, 사이드 체인, 롤업 등을 분석하고, 각 기술의 장단점과 특성을 검토한다. 또한, 이러한 솔루션들이 현재 활용되고 있는 상태와 향후 블록체인 네트워크에서 어떤 역할을 할 수 있는지에 대해 논의한다. 본 논문은 블록체인 네트워크의 확장성과 성능 향상을 위한 접근 방법과 기술적 한계점을 탐색함으로써, 블록체인 기술의 발전 방향과 관련하여 심도높은 이해를 제공한다.
본 연구는 한국 온대중부지역 소나무림 군락식재 모델을 제시하기 위해 충청남도 당진군 일대 소나무림을 대상으로 다양한 경급의 소나무림을 조사하였다. 유령림부터 장령림까지 총 $10{\times}10m(100m^2)$의 방형구 92개소를 설치하고, 출현개체별 규격을 모두 조사하였으며, 개체간 생육거리 분석을 위해 44개 조사구에 대해서는 1/100 scale로 교목층과 아교목층 수목의 위치를 조사하였다. 분석결과, 모든 조사구의 교목층은 양호하게 발달해 있었으나, 아교목층의 흉고단면적이 교목층의 10%에 미치지 못하고 있었으며, 관목층의 경우 일정한 피복율을 보이지 않고 조사구마다 매우 다양하였다. 이에 소나무 군락식재는 교목층과 관목층의 구조로 조성하는 것이 바람직한 것으로 판단되었으며, 관목층의 경우에는 특정 경향이 없어 식재하려는 인접 지역의 소나무림을 별도로 조사하여 적용하는 것이 바람직한 것으로 판단되었다. 군락식재 모델을 위한 소나무 교목층 흉고직경급별 단위면적당 생육개체수 및 단위면적당 생육개체수와 생육수목간 최단거리와의 회귀식은 높은 설명력을 보였다.
본 연구는 계방산 온대북부 낙엽활엽수림에서 하층식생(관목층과 초본층)의 식생조성 변화를 구명하였다. 조사지에 출현하는 식물은 56과 93속 124종 17변종 3품종 2아종 1미분류군으로 총 146분류군이 조사되었으며, 종면적 곡선에서 초본층과 관목층의 종수는 시간이 경과함에 따라 감소하는 것으로 나타났다. Mantel-test 분석 결과, 상층의 기저면적은 하층의 변화에 영향을 주는 인자 중 하나로 분석되었다(p < 0.0001). 평균중요치는 관목층에서 생강나무(21.585%), 철쭉(19.774%)이 우점하는 것으로 분석되었으며, 초본층에서는 조릿대(14.082%)와 생강나무(7.921%)가 우점하는 것으로 나타났다. 관목층의 NMS 배열 결과, 높은 연관성을 가지는 종은 시간이 경과함에 따라 감소하는 것으로 분석되었으며, 상층의 기저면적 증가에 따라 반응하는 종이 다른 것으로 분석되었다. 초본층 조사구의 NMS 배열 결과, 관목층의 철쭉과 진달래가 지속적으로 영향을 미치는 것으로 분석되었다. 그리고 MRPP-test에 대한 식생조성의 변화 결과, 관목층은 5년 그리고 10년에 따른 식생조성의 변화가 유의차가 없는 것으로 분석되었다. 하지만 초본층은 5년 그리고 10년에 따른 식생조성의 변화가 유의성 있게 분석되어, 하층식생 중 초본층의 종조성은 관목층보다 종조성의 변화가 큰 것으로 나타났다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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