Kim, Jae-Hyun;Kim, Kang-Pil;Lyu, Hong-Kun;Woo, Sung-Ho;Seo, Hong-Seok;Lee, Jung-Ho
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2008.11a
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pp.418-418
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2008
The electrochemical etching of silicon in HF-based solutions is known to form various types of porous structures. Porous structures are generally classified into three categories according to pore sizes: micropore (below 2 nm in size), mesopore (2 ~ 50 nm), and macropore (above 50 nm). Recently, the formation of macropores has attracted increasing interest because of their promising characteristics for an wide scope of applications such as microelectromechanical systems (MEMS), chemical sensors, biotechnology, photonic crystals, and photovoltaic application. One of the promising applications of macropores is in the field of MEMS. Anisotropic etching is essential step for fabrication of MEMS. Conventional wet etching has advantages such as low processing cost and high throughput, but it is unsuitable to fabricate high-aspect-ratio structures with vertical sidewalls due to its inherent etching characteristics along certain crystal orientations. Reactive ion dry etching is another technique of anisotropic etching. This has excellent ability to fabricate high-aspect-ratio structures with vertical sidewalls and high accuracy. However, its high processing cost is one of the bottlenecks for widely successful commercialization of MEMS. In contrast, by using electrochemical etching method together with pre-patterning by lithographic step, regular macropore arrays with very high-aspect-ratio up to 250 can be obtained. The formed macropores have very smooth surface and side, unlike deep reactive ion etching where surfaces are damaged and wavy. Especially, to make vertical microwire or nanowire arrays (aspect ratio = over 1:100) on silicon wafer with top-down photolithography, it is very difficult to fabricate them with conventional dry etching. The electrochemical etching is the most proper candidate to do it. The pillar structures are demonstrated for n-type silicon and the formation mechanism is well explained, while such a experimental results are few for p-type silicon. In this report, In order to understand the roles played by the kinds of etching solution and mask patterns in the formation of microwire arrays, we have undertaken a systematic study of the solvent effects in mixtures of HF, dimethyl sulfoxide (DMSO), iso-propanol, and mixtures of HF with water on the structure formation on monocrystalline p-type silicon with a resistivity with 10 ~ 20 $\Omega{\cdot}cm$. The different morphological results are presented according to mask patterns and etching solutions.
Proceedings of the Korean Society of Applied Pharmacology
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2001.11a
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pp.95-95
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2001
Ciinidipine (FRC-8635) is a newly synthesized novel DHP type of organic Ca$\_$2+/channel blockers that have been developed so far in Japan (Yoshimoto et al., 1991 : Hosono et at., 1992). It also has a blocking action on L-type voltage-dependent Ca$\^$2+/channel (VDCCs) in the rabbit basilar artery (Oike et al., 1990) and a slow-onset and long-lasting hypotensive action in clinical and experimental studies (Ikeda et al., 1992 ; Tominaga et al., 1997). Recent electrophysiological data indicate that cilnidipine might be a dual-channel antagonist for peripheral neuronal N-type and vascular L-type Ca$\^$2+/channels (Oike et al., 1990 ; Fujii et al., 1997; Uneyama et at., 1997). However, little is known about the involvement of N-type VDCCs in contributing to the muscarinic receptor-mediated CA secretion. Therefore, the present study was attempted to investigate the effect of cilinidipine on secretion of catecholamines (CA) evoked by ACh, high K$\^$+/, DMPP and McN-A-343 from the isolated perfused rat adrenal gland. Cilnidipine (1-10 ${\mu}$M) perfused into an adrenal vein for 60 min produced dose- and time-dependent inhibition in CA secretory responses evoked by ACh (5.32${\times}$10$\^$-3/M), DMPP (10$\^$-4/ M for 2 min) and McN-A-343 (10$\^$-4/ M for 2 min). However, lower dose of lobeline did not affect CA secretion by high K$\^$+/(5.6${\times}$10$\^$-2/ M), higher dose of it reduced greatly CA secretion of high K$\^$+/. Cilnidipine itself did also fail to affect basal catecholamine output. Furthermore, in adrenal glands loaded with cilnidipine (10 ${\mu}$M), CA secretory response evoked by Bay-K-8644 (10 ${\mu}$M), an activator of L-type Ca$\^$2+/channels was markedly inhibited while CA secretion by cyclopiazonic acid (10 ${\mu}$M), an inhibitor of cytoplasmic Ca$\^$2+/-ATPase was no affected. Moreover, $\omega$-conotoxin GVIA (1 ${\mu}$M), given into the adrenal gland for 60 min, also inhibited time-dependently CA secretory responses evoked by ACh and high K$\^$+/.
Journal of the Korean Society of Fisheries and Ocean Technology
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v.52
no.2
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pp.130-140
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2016
This study analyzed annual catch trend during 45 years and monthly catch of the least 10 years (2005~2014) for chub mackerel caught in the Korean coastal waters. To determine fishing status of chub mackerel, fork length measurements were conducted at least twice every week for 100 individuals randomly selected at the Busan Cooperative Fish Market from January of 2012 to December of 2014; and biological characteristics and proximate composition (moisture, protein, fat, ash) were analyzed by length class (I~IV) on a monthly basis from January to December of 2014. Monthly catch trend showed low level below 5,000 mt from February to July, whereas high level above 15,000 mt from October to December. For the period between 2012 and 2014, annual average catch proportion of juvenile were relatively high at 68.1%, 53.1% and 53.2% from January to April, before spawning season, while those were low at 21.5%, 20.7% and 29.12% from June to November. As for the change in the proximate composition per 100 g of muscle, protein and ash did not change much by seasons and length class, whereas fat and moisture contents showed large fluctuations and complementary relationship between the two factors. Regardless of length class, monthly average fat content, containing Omega-3, showed the lowest at 7.18 g in April and highest at 19.27 g in December, which exhibited 2.6 times difference from one another. Regardless of fishing seasons, fat content by length class were 19.06 g for the class I and 6.43 g for the class IV, which showed three times difference. Fat contents of the class I were high at 26.97 g and 27.19 g in November and December, while low at 8.37 g and 9.99 g in April and May. Especially, fat contents from January to May were 5.0 g, which was the lowest. Therefore, it is expected that consumer could indirectly contribute fisheries management through their understanding and wise consumption based on fishing status and fluctuation of proximate composition.
Sin, Sang-Hun;Jeong, Byeong-Gwon;Bae, Seong-Beom;Lee, Yong-Hyeon;Lee, Jeong-Hui;Ham, Seong-Ho
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.38
no.10
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pp.671-677
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2001
A RuO$_2$ Schottky photo-detector was designed and fabricated with GaN layers on the sapphire substrate. For good absorption of UV light, an epitaxial structure with undoped GaN(0.5 ${\mu}{\textrm}{m}$)/n ̄-GaN(0.1${\mu}{\textrm}{m}$)/n+-GaN(1.5${\mu}{\textrm}{m}$) was grown by MOCVD. The structure had the carrier concentrations of 3.8$\times$10$^{18}$ cm ̄$^3$, the mobility of 283$\textrm{cm}^2$/V.s. After ECR etching process for mesa structure with the diameter of about 500${\mu}{\textrm}{m}$, Al ohmic contact was formed on GaN layer. After proper passivation between the contacts with Si$_3$/N$_4$, was formed on undoped GaN layer. The fabricated Schottky diode had a specific contact resistance of 1.15$\times$10$^{-5}$ [$\Omega$.$\textrm{cm}^2$]. It has a low leakage current of 305 pA at -5 V, which was attributed by stable characteristics of RuO$_2$ Schottky contact. In optical measurement, it showed the high UV to visible extinction ratio of 10$^{5}$ and very high responsivity of 0.23 A/W at the wavelength of 365nm.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2014.02a
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pp.363-363
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2014
Ruthenium (Ru) has attractive material properties due to its promising characteristics such as a low resistivity ($7.1{\mu}{\Omega}{\cdot}cm$ in the bulk), a high work function of 4.7 eV, and feasibility for the dry etch process. These properties make Ru films appropriate for various applications in the state-of-art semiconductor device technologies. Thus, it has been widely investigated as an electrode for capacitor in the dynamic random access memory (DRAM), a metal gate for metal-oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET), and a seed layer for Cu metallization. Due to the continuous shrinkage of microelectronic devices, better deposition processes for Ru thin films are critically required with excellent step coverages in high aspect ratio (AR) structures. In these respects, atomic layer deposition (ALD) is a viable solution for preparing Ru thin films because it enables atomic-scale control of the film thickness with excellent conformality. A recent investigation reported that the nucleation of ALD-Ru film was enhanced considerably by using a zero-valent metallorganic precursor, compared to the utilization of precursors with higher metal valences. In this study, we will present our research results on the synthesis and characterization of novel ruthenium complexes. The ruthenium compounds were easy synthesized by the reaction of ruthenium halide with appropriate organic ligands in protic solvent, and characterized by NMR, elemental analysis and thermogravimetric analysis. The molecular structures of the complexes were studied by single crystal diffraction. ALD of Ru film was demonstrated using the new Ru metallorganic precursor and O2 as the Ru source and reactant, respectively, at the deposition temperatures of $300-350^{\circ}C$. Self-limited reaction behavior was observed as increasing Ru precursor and O2 pulse time, suggesting that newly developed Ru precursor is applicable for ALD process. Detailed discussions on the chemical and structural properties of Ru thin films as well as its growth behavior using new Ru precursor will be also presented.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.02a
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pp.358-359
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2012
최근 분극 특성이 상이한 무분극 GaN 에피성장에 관한 심도 있는 연구와 함께 전자-전공 캐리어의 주입 및 캐리어의 거동, 방출되는 편광 특성 및 다양한 물리적 특성들에 대해 보고되고 있으며, 광학적 특성 및 물리적 특성의 확보를 위한 많은 연구가 활발히 진행 중이다 [1]. GaN의 ohmic 접촉(ohmic contact)의 형성은 발광 다이오드(light emitting diode), 레이저 다이오드(Laser), 태양전지(solar cell)와 같은 고신뢰도, 고효율 광전자 소자를 제조하기 위해서는 매우 중요하다 [2]. 그러나 이와 함께 병행 되어야 할 무분극 p-GaN 의 ohmic contact에 관한 연구는 많이 이루어지고 있지 않는 실정이다. 따라서 본 논문에서는 r-plane 사파이어 기판 상에 성장된 p-GaN에서의 ohmic 접촉 형성 연구를 위하여 Ni/Au ohmic 전극의 접촉저항 특성을 연구하였다. 본 실험에서는 성장된 a-plane GaN의 Hole농도가 $3.09{\times}1017cm3$ 인 시편을 사용하였다. E-beam evaporation 장비를 이용하여 Ni/Au를 각각 20 nm 그리고80 nm 증착 하였으며 비접촉저항을 측정하기 위해 Circle-Transfer Length Method (C-TLM) 패턴을 사용하였다. 샘플은 RTA (Rapid Thermal Annealing)를 사용하여 $300^{\circ}C$에서 $700^{\circ}C$까지 온도를 변화시키며 전기적 특성을 비교하여 그림 1(a) 나타내었다. 그림에서 알 수 있듯이 $400^{\circ}C$에서 가장 낮은 비접촉저항 값인 $6.95{\times}10-3{\Omega}cm2$를 얻을 수 있음을 발견하였다. 이 때의 I-V curve 도 그림1(b)에 나타낸 바와 같이 열처리에 의해 크게 향상됨을 알 수 있다. 그러나, $500^{\circ}C$ 이상 온도를 증가시키면 다시 비접촉 저항이 증가하는 것을 관찰하였다. XRD (x-Ray Diffraction) 분석을 통하여 $400^{\circ}C$ 이상열처리 온도가 증가하면 금속 표면에 $NiO_2$가 형성되며, 이에 따라 오믹특성이 저하 된다고 사료된다. 또한 $Ni_3N$의 존재를 확인 하였으며 이는 nonpolar surface의 특성으로 인해 nitrogen out diffusion 현상이 동시에 발생하여 계면에는 dopant로 작용하는 질소 공공을 남기고 표면에 $Ni_3N$을 형성하여 ohmic contact의 특성이 저하되기 때문인 것으로 사료된다.
This study introduces integrated approach on detection of a leakage in a sea wall based on remote sensing, electric resistivity survey, electromagnetic survey, and borehole survey for the Seosan A-Region sea wall. The satellite temperature distribution from Landsat ETM+ data identifies water leakage distribution and period by analyzing temperature mixing patterns between sea water and fresh water. Electric resistivity survey provides both horizontal and vertical anomaly distributions over the sea wall showing below average electric resistivity. Electromagnetic survey(electrical conductivity survey) reveals the potential possible leakage areas with minimal background impact by comparing electrical conductivity values between high and low tides. Borehole image processing system confirmed the locations of anomalies identified from the other survey methods and distributions of vertical fracture zones. The integrated approach identified 41.7% of the sea wall being the most probable area vulnerable to water leakage and effectively approximated both horizontal and vertical distribution of water leakage. The integrated analysis of remote sensing, electric resistivity survey, electromagnetic survey and borehole survey is considered to be an optimal method in identifying water leakage distribution, period, and extent of fractures knowledged from the boreholes.
Park, Byung-Rim;Lee, Moon-Young;Kim, Min-Sun;Lee, Sung-Ho;Na, Han-Jo;Doh, Nam-Yong
The Korean Journal of Physiology and Pharmacology
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v.3
no.5
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pp.481-490
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1999
To investigate the changes in the responses of vestibular neurons with time during vestibular compensation, the resting activity and dynamic responses of type I and II neurons in the medial vestibular nuclei to sinusoidal angular acceleration were recorded following unilateral labyrinthectomy (ULX) in Sprague-Dawley rats. The unitary extracellular neuronal activity was recorded from the bilateral medial vestibular nuclei with stainless steel microelectrodes of $3{\sim}5\;M{\Omega}$ before ULX, and 6, 24, 48, 72 hours, and 1 week after ULX under pentobarbital sodium anesthesia (30 mg/kg, i.p.). Gain (spikes/s/deg/s) and phase (in degrees) were determined from the neuronal activity induced by sinusoidal head rotation with 0.05, 0.1, 0.2, and 0.4 Hz. The mean resting activity before ULX was $16.7{\pm}8.6$ spikes/s in type I neurons $(n=67,\;M{\pm}SD)$ and $14.5{\pm}8.4$ spikes/s in type II neurons (n=43). The activities of ipsilateral type I and contralateral type II neurons to the lesion side decreased markedly till 24 hr post-op, and a significant difference between ipsilateral and contralateral type I neurons sustained till 24 hr post-op. The gain at 4 different frequencies of sinusoidal rotation was depressed in all neurons till 6 or 24 hr post-op and then increased with time. The rate of decrease in gain was more prominent in ipsilateral type I and contralateral type II neurons immediately after ULX. Although the gain of those neurons increased gradually after 24 hours, it remained below normal levels. The phase was significantly advanced in all neurons following ULX. These results suggest that a depression of activities in ipsilateral type I and contralateral type II neurons is closely related with the occurrence of vestibular symptoms and restoration of activities in those neurons ameliorates the vestibular symptoms.
Chul Hyun Yo;Hyung Rak Kim;Kwon Sun Roh;Kyu Hong Kim;Eung Ju Oh
Journal of the Korean Chemical Society
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v.36
no.4
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pp.511-516
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1992
The x-values of the nonstoichiometric compound YbO$_x$ have been measured in a temperature range of 600 to 1150$^{\circ}C$ under oxygen partial pressure of 1.00 ${\times}$ 10$^{-2}$ atm∼atmospheric air pressure. The values are varied between 1.55453 and 1.60794 in the conditions. The enthalpy of the formation for x' in YbO$_{1.5+x'}$(${\Delta}$H$_f$) was 1.55, 1.18, and 1.05 kJ/mol under the above conditions, respectively. The electrical conductivities of the oxides or ${\sigma}$ have been measured in the temperature range from 600 to 1100$^{\circ}C$ under oxygen partial pressure of 1.00 ${\times}$ 10$^{-5}$ ∼ 2.00 ${\times}$ 10$^{-1}$ atm. They varied from 10$^{-9}$ to 10$^{-5}$ ohm$^{-1}$ cm$^{-1}$ within the semiconductor range. The Arrhenius plots of the electrical conductivities show a linearity and the activation energy for the conduction was about 1.7eV. The oxygen partial pressure dependence of the conductivity or 1/n value increases with the pressure. The nonstoichiometric conduction mechanism of the oxide was discussed in terms of the x values, ${\sigma}$ values, and the thermodynamic data.
Yoon, Ji-Seon;Yabuzoe, Astushi;Sekiguchi, Maiko;Park, Jinho;Iwasaki, Toshiroh;Nishifuji, Koji
Journal of Veterinary Clinics
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v.30
no.3
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pp.210-213
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2013
We herein describe a feline case of facial dermatitis whose histopathological features resembled to those of FHV-associated ulcerative dermatitis. A 3-year-old, intact male domestic short-haired cat was presented with 2-years history of pruritic dermatitis that initially appeared on periocular area and extended toward the entire face. The cat had ocular discharge and conjunctivitis from 2-month of age. Clinically, skin lesions were characterized as erythema, erosions and ulcers covered with crusts on the facial and perianal area. Histopathologically, the facial lesion was characterized as interface dermatitis with hydropic degeneration at the basal layer, and single cell necrosis of keratinocytes. In addition, the epidermal and dermal necrosis infiltrated with eosinophils, and intranuclear inclusion bodies in keratinocytes were also recognized. Moreover, feline herpesvirus-1 gene was detected by a PCR analysis using a swab obtained from the crusted lesions. Based upon these findings, the present case was considered as having FHV-associated ulcerative dermatitis. Therapy including oral acyclovir and topical recombinant feline interferon omega resulted in marked improvement of the skin and mucosal lesions.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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