• 대한전자공학회논문지
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• 제21권4호
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• pp.58-64
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• 1984

이온주입형 E-IGFET에서 이온주입층내 불순물 profile을 임의의 형태로 가정하였으며, 가정한 불순물 profile을 이용하여 threshold 전압에 대한 간단한 model을 유도하였다. 유도한 model을 이용하여 Gaus-sian-profile일 때의 threshold 전압치를 구하였고, 실제의 측정 data와 비교하였을 때 일치함을 확인할 수 있었다. 더불어, box-profile일 때의 threshold 전압치의 오차를 계산해 보았다. 또한, substrate-bias에 의한 threshold 전압의 변화를 simulation하였으며. 계산과정에서 이온주입층의 깊이 D를 구하는 새로운 방법을 제시하였다.

• 한국진공학회지
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• 제10권2호
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• pp.225-233
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• 2001

Oxygen flooding을 이용한 Secondary ion Mass Spectrometry(SIMS) 분석에 있어서 표면에 산화막이 있을 때 발생하는 SIMS depth profile의 왜곡현상에 대한 원인을 분석하고 이를 보정하였다. 이러한 왜곡현상은 표면 산화막에서와 Si 매질에서의 sputter rate이 다른 데서 발생하는 깊이 보정 오류와 상대감도인자(relative sensitivity factor, RSF)가 다른 데서 발생하는 농도보정 오류로부터 발생됨이 밝혀졌다. 깊이보정 오류를 바로잡기 위하여 $N^a+$ 이온을 산화막과 Si 매질의 계면에 대한 marker로 사용하였으며 산화막 두께는 SEM 및 XPS로 측정하였다. 산화막과 Si 매질에서의 sputter rate 및 RSF의 차이는 주로 oxygen flooding이 유발한 산화막 형성시의 부피팽창에 의한 것으로 해석되었으며 이를 보정한 depth profile은 oxygen flooding없이 분석한 경우와 거의 동일한 결과를 보여주었다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제10권4호
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• pp.61-64
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• 2003

단일이온교환된 유리의 응력 특성을 관찰하기 위하여 파괴분석을 하였다. 프로세스변화로 인하여 이온교환된 유리의 응력층이 유리표면에서 안쪽으로 이동하였다. 깃털모양자국(hackle marker)과 거울면(mirror region)의 크기가 이온교환프로세스의 온도, 시간에 따라 변화하였으며, 파괴강도에 비례하였다. 또한 Indenter를 사용하여 응력층을 파괴하는 경우 일반유리와 같은 파괴특성을 나타냈다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제22권4호
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• pp.51-58
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• 1985

Ion-implanted E-IGFET의 도핑 profile을 임의로 가정하여 threshold 전압을 구하였고. short-channoel에 적용할 때 correction factor K의 개념을 사용하였다. Threshold전압의 이론치는 실험치와 잘 일치하였고, 또한 I-V특성도 실험치와 잘 일치하였다. 아울러 이 program을 package화 하여 실용화시켰다.

• 한국공작기계학회논문집
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• 제16권5호
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• pp.129-133
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• 2007

Focused Ion Beam(FIB) systems is a useful tool for the fabrication of micro-nano scale structures. In this study, the effects of FIB etching on the Au microstructure are systematically investigated. As the fabrication parameters, ion dose, dwell time and beam overlap ratio are studied. First, the increases of Ga ion dose makes the milling yield higher and the sidewall of milling profile steeper. Dwell time is found to have little effects on the milling profile due to the relatively large milling area of $1\times1{\mu}m^2$ used in this study. However, beam overlap significantly affects not only milling rate but also milling profile. As the beam overlap ratio changes from positive to negative, the development of regular cross-stripe patterns at the bottom with low milling rate is observed.

• 한국정밀공학회지
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• 제27권8호
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• pp.84-90
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• 2010

In focused ion beam (FIB) fabrication processes the ion beam intensity with Gaussian profile has a drawback for high resolution machining. In this paper, the fabrication method to modify the beam profile at substrate using silt mask is proposed to increase the machining resolution at high current. Slit mask is utilized to block the part of beam and transmit only high intensity portion. A nano manipulator is utilized to handle the silt mask. Geometrical analysis on fabricated profile through silt mask was conducted. By utilizing proposed method, improvement of machining resolution was achieved.

• 한국표면공학회지
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• 제48권4호
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• pp.179-184
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• 2015

Quadrupole Mass Spectrometers (QMS) is a very useful tool in vacuum process diagnosis. Tungsten filament based ion sources are vulnerable to contamination from process gas monitoring. Common symptoms of quadrupole mass spectrometer malfunction is appearance of unwanted contaminant mass peaks or no detection of any ion peaks. We disassembled used quadrupole mass spectrometer and found out black insulating deposits on inside of ion source parts. Five steps of cleaning procedure were applied and almost full restoration of functions were confirmed in two types of closed ion source quadrupole mass spectrometer. By using a numerical modeling (CFD-ACE+) technique, the electric potential profile of ion source with/without insulating deposit was calculated and showed the possibility of quadrupole mass spectrometer malfunction by the deterioration of designed potential profile inside the ion source.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1995년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.73-76
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• 1995

In this study, the slab waveguide was fabricated using potassium-nitride(KNO$_3$) or silver-nitride (AgNO$_3$) molten sources by ion-exchange process. The effective refractive indices of waveguide were measured by Prism-Coupling method. and The characteristics of waveguide(mode dispersion, effective diffusion depth. surface refractive index, diffusion coefficient, and refractive index profile etc,) were investigated by WKB method, In the case of potassium ion-exchange, the computer calculation showed that the refractive index profile of waveguide followed Gaussian function, the surface refractive index increased with ion-exchange time and the effective diffusion depth increased a little as ion-exchange time increased, while the surface refractive index of silver ion-exchanged waveguide decreased with ion-exchange time because of the ion depletion on the surface of waveguide, and the effective diffusion depth seriously with ion-exchange tim. Double ion-exchanged waveguide was fabricated by performing silver ion-exchange after potassium ion-exchange. Double ion-exchanged waveguide had a tight mode binding force since the surface refractive index was larger than single step ion-exchanged waveguide.

• 한국세라믹학회지
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• 제40권10호
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• pp.967-972
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• 2003

직경 5 cm cold hollow cathode 이온원을 박막의 이온보조증착법 또는 이온보조반응법에 사용하기에 적합한 이온빔으로 넓은 면적을 균일하게 조사할 수 있는 이온원을 설계, 제작하기 위한 방안으로 연구하게 되었다. 이온원은 글로우 방전을 위한 음극과 이온화 효율의 증가를 위한 자석, 플라즈마 챔버, 그리드 전극으로 이루어진 이온광학시스템, 직류전원공급장치로 이루어진다. 전자인출전극의 구조 및 형태로 구분하여 한개의 노즐로 이루어진 (I) 형태와 복수개의 노즐로 변형된 (II) 형태로 제작하였다. 서로 다른 구조의 전자인출전극 (I)형태와 (II) 형태를 부착한 이온원에 beam profile을 측정한 결과 (I) 형태의 전자인출전극을 부착한 경우에는 이온원의 중심에서 140 $\mu\textrm{A}$/$\textrm{cm}^2$으로 측정되어 졌으며, 외곽으로 멀어질수록 급격히 전류밀도가 감소하여 균일한 영역(최대값의 90%)은 직경 5 cm로 측정되어졌다. (II) 형태로 변형되어진 이온원의 경우 중심에서 65 $\mu\textrm{A}$/$\textrm{cm}^2$으로 (I) 형태와 비교하여 상대적으로 낮은 전류밀도가 측정되었지만 외각으로 멀어졌을 경우에도 전류밀도는 완만하게 감소하여 균일한 영역은 직경 20 cm로 측정되었으며, 본 연구목적에 부합되는 특성이 측정되었다. 이온빔 균일도가 증가한 (II) 형태의 전자인출전극을 부착한 이온원으로 주입하는 아르곤 가스량의 변화, 이온광학시스템의 플라즈마 그리드 전극과 가속 그리드 전극 간격의 조절, 이온빔 에너지 변화에 따른 beam profile 및 특성을 괸찰하였다.

• 한국해안·해양공학회논문집
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• 제23권1호
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• pp.11-17
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• 2011

항만콘크리트 구조물의 내구성 저하의 중요한 요인은 염소이온침투에 의한 철근의 부식이다. 따라서, 항만콘크리트 구조물의 염소이온 깊이와 깊이별 염소이온농도를 정량적으로 파악할 수 있다면, 구조물의 잔존수명을 사전에 비교적 정확하게 평가할 수 있다. 이러한, 구조물에서의 염소이온농도를 예측하기 위해서는 모델식의 개발이 필요하고 모델식은 정확한 현장데이타를 기반으로 한다. 이에 본 연구에서는 현장 항만구조물에 대한 코어시료를 채취하고 본 시료들에 대한 염소이온침투깊이와 깊이별 염소이온농도를 측정하고자 하였다. 시료는 1차로 완도항, 마산항, 인천항에서 채취하였고, 2차로 여수항과 동해항에서 채취하였다. 수직 높이별 영향을 파악하기 위해서 대기부, 비말대, 간만대로 나뉘어 각 층별 8개의 시료를 획득하였다. 채취된 시료중에서 4개는 강도 실험을 실시하였고, 나머지 4개로 내구성 실험을 실시하였다. 2개의 시료에 대해서는 질산은 변색법을 이용하여 염소이온 침투깊이를 측정 하였다. 나머지 2개의 시료는 깊이별로 5 mm 두께의 절편을 채취하고 이를 ASTM C 114의 시험법에 따라 염화물 이온농도를 측정하였다. 측정결과를 바탕으로 지역과 수직위치에 따른 염소이온 침투의 특성을 파악하였다.