본 연구는 리튬이온 이차전지용 탄소전극을 개발하기 위하여 다양한 종류의 흑연과 MCMB6-28을 대상으로 이루어졌다. 이들의 층간거리는 $3.358{\sim}3.363{\AA}$, BET 비 표면적은 $2.95{\sim}26.15m^2/g$이었다. 이들의 전기화학적 특성은 층간거리가 크고 적절한 크기의 BET 비 표면적을 가질 때 리튬의 삽입과 탈삽입 거동이 우수하였다. 다양한 결정성계 탄소전극 활물질에 도전재로 KJ-Black을 0, 3, 5wt% 첨가하였을 때 도전제의 함량이 많을수록 전극과 전해질의 계면저항은 작아지나 3wt%를 첨가하였을 때 우수한 가역성을 보였다. 정전류 충 방전 시 인가되는 전류밀도를 증가시킴에 따라 탄소부극의 방전용량은 작아졌다.
Nickel-doped lanthanum cobalt oxide (LaCo1-xNixO3-δ, LCN) was investigated as an alternative anode material for solid oxide fuel cells. To improve its catalytic activity for steam methane reforming (SMR) reaction, Ni2+ was substituted into Co3+ lattice in LaCoO3. LCN anode, synthesized using the Pechini method, reacts with yttria-stabilized zirconia (YSZ) electrolyte at high temperatures to form an electrochemically inactive phase such as La2Zr2O7. To minimize the interlayer by-products, the LCN was coated via a double-tape casting method on the Ni/YSZ anode as a catalytic functional layer. By increasing the Ni doping amount, oxygen vacancies in the LCN increased and the cell performance improved. CH4 fuel decomposed to H2 and CO via SMR reaction in the LCN functional layer. Hence, the LCN-coated Ni/YSZ anode exhibited better cell performance than the Ni/YSZ anode under H2 and CH4 fuels. LCN with 12 mol% of Ni (LCN12)-modified Ni/YSZ anode showed excellent long-term stability under H2 and CH4 conditions.
Recently, amorphous oxides such as InGaZnO (IGZO) and InZnO (IZO) as a channel layer of an oxide TFT have been attracted by advantages such as high mobility, good uniformity, and high transparency. In order to apply such an amorphous oxide TFTs to a display, the stability in various environments must be ensured. In the InGaZnO which has been studied in the past, Ga elements act as a suppressor of oxygen vacancy and result in a decreased mobility at the same time. Previous studies have been showed that the InZnO, which does not contain Ga, can achieve high mobility, but has relatively poor stability under various instability environments. In this study, the TFTs using $IZO/Al_2O_3$ double layer structure were studied. The introduction of an $Al_2O_3$ interlayer between source/drain and channel causes superior electrical characteristics and electrical stability as well as reduced contact resistance with optimally perfect ohmic contact. For the IZO and $Al_2O_3$ bilayer structures, the IZO 30nm IZO channels were prepared at $Ar:O_2=30:1$ by sputtering and the $Al_2O_3$ interlayer were depostied with various thickness by ALD at $150^{\circ}C$. The optimal sample exhibits considerably good TFT performance with $V_{th}$ of -3.3V and field effect mobility of $19.25cm^2/Vs$, and reduced $V_{th}$ shift under positive bias stress stability, compared to conventional IZO TFT. The enhanced TFT performances are closely related to the nice ohmic contact properties coming from the defect passivation of the IZO surface inducing charge traps, and we will provide the detail mechanism and model via electrical analysis and transmission line method.
압전 actuator를 위한 새로운 형태의 재료를 개발하여, 그 특성들을 조사하였다. 이 압전 actuator는 세 층으로 구성되어 있다: 압전 세라믹 층, 조성이 점차로 변하는 중간층, 그리고 또 다른 압전 세라믹 층, 이러한 형태이 재료는 경사 기능 재료(Functionally Gradient Material, FGM)라 불리운다. 경사 기능 재료를 제작하기 위한 재료설계의 개념을 도입하여, FGM화에 있어서 열팽창에 의한 시편의 박리를 막기 위해 $(Pb,\;La)(Zr,\;Ti)O_3$계에서 서로 다른 세라믹스의 조성을 선택하였다. $1300^{\circ}C$, 2시간의 소성에 의해 경사 기능화된 PLZT는 약 $20\mu\textrm{m}$정도의 중간층을 형성하는 미세구조를 가지고 있었다. 경사 기능 재료에서의 유전 및 압전 등의 여러 특성은 두 접합 조성층 특성의 사이의 값을 나타내었다. 인가 전압에 따른 strain특성은 전반적으로 단일 시편의 특성보다 증가하였으며, 특히 접합 조성층에서 고압전-저유전성 조성과 저압전-고유전성 조성을 경사 기능화하였을 경우에 변위의 증가 정도가 더욱 향상되었다.
Ir-Re thin films with Ti interlayer were deposited onto the tungsten carbide substrate by ion beam assisted DC magnetron sputtering. The Ir-Re films were prepared with targets of having two atomic percent of 7:3 and 5:5. The microstructure and surface analysis of the specimen were conducted by using SEM, XRD and AFM. Mechanical properties such as hardness and adhesion strength of Ir-Re thin film also were examined. The interlayer of pure titanium was formed with 100 nm thickness. The film growth of Ir-30at.%Re was faster than that of Ir-50at.%Re in the same deposition conditions. Ir-Re thin films consisted of dense and columnar structure irrespective of the different target compositions. The values of hardness and adhesion strength of Ir-30at.%Re thin film coated on WC substrate were higher than those of Ir-50at.%Re thin film.
Yanmin Yang;Qi Yuan;Yongqing Li;Jingyu Li;Yuan Gao;Yuzhe Zou
Computers and Concrete
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제32권1호
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pp.15-26
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2023
In order to study the anti-seismic performance of full light-weight concrete utility tunnel, EL Centro seismic waves were input, and the seismic simulation shaking table test was carried out on the four utility tunnel models. The dynamic characteristics and acceleration response of the system consisting of the utility tunnel structure and the soil, and the interlayer displacement response of the structure were analyzed. The influence law of different construction methods, haunch heights and concrete types on the dynamic response of the utility tunnel structure was studied. And the experimental results were compared with the finite element calculation results. The results indicated that with the increase of seismic wave intensity, the natural frequency of the utility tunnel structure system decreased and the damping ratio increased. The assembling composite construction method could be equivalent to replace the integral cast-in-place construction method. The haunch height of the assembling composite full light-weight concrete utility tunnel was increased from 30 mm to 50 mm to enhance the anti-seismic performance during large earthquakes. The anti-seismic performance of the full light-weight concrete utility tunnel was better than that of the ordinary concrete utility tunnel. The peak acceleration of the structure was reduced by 21.8% and the interlayer displacement was reduced by 45.8% by using full light-weight concrete. The finite element simulation results were in good agreement with the experimental results, which could provide reference for practical engineering design and application.
The effects of mechanical parameters on the characteristics of chemical mechanical polishing(CMP) can be directly evaluated by friction force. The piezoelectric quartz sensor for friction force measurement was installed, and friction force could be detected during CMP process. Furthermore, friction energy can be calculated by multiplying relative velocity by integration of the friction force throughout the polishing time. $SiO_2$ slurry for interlayer dielectric(ILD) CMP was used in this experiment to consider the relation of frictional characteristics and polishing results. From this experiment, it is proven that the friction energy is an essential factor of removal rate. Also, the friction force is related to removal amount per unit length(dH/ds) and friction energy has corelation to the removal rate(dH/dt) and process temporature. Moreover, within wafer non-unifornity(WIWNU) is related to coefficient of friction because of the mechanical moment equilibrium. Therefore, the prediction of polishing result would be possible by measuring friction force.
Seo, Soon-Joo;Peng, Guowen;Mavrikakis, Manos;Ruther, Rose;Hamers, Robert J.;Evans, Paul G.;Kang, Hee-Jae
한국진공학회:학술대회논문집
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한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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pp.299-299
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2011
A dipolar interlayer can cause dramatic changes in the device characteristics of organic field-effect transistors (OFETs) or photovoltaics. A shift in the threshold voltage, for example, has been observed in an OFET where the organic semiconductor active layer is deposited on SiO2 modified with a dipolar monolayer. Dipolar molecules can similarly be used to change the current-voltage characteristics of organic-inorganic heterojunctions. We have conducted a series of experiments in which different molecular linkages are placed between a pentacene thin film and a silicon substrate. Interface modifications with different linkages allow us to predict and examine the nature of tunneling through pentacene on modified Si surfaces with different dipole moment. The molecular-scale structure and the tunneling properties of pentacene thin films on modified Si (001) with nitrobenzene and styrene were examined using scanning tunneling spectroscopy. Electronic interfaces using organic surface dipoles can be used to control the band lineups of a semiconductor at organic/inorganic interfaces. Our results can provide insights into the charge transport characteristics of organic thin films at electronic interfaces.
한국전기전자재료학회 2006년도 영호남 합동 학술대회 및 춘계학술대회 논문집 센서 박막 기술교육
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pp.152-155
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2006
Carbon nitride ($CN_X$) films were prepared by reactive RF magnetron sputtering system at various deposition conditions and the C-V characteristics of MIS(metal - insulator - semiconductor) capacitors that have the structures of Al/$CN_x$/p-Si/Al and Al/$CN_x$/$Si_3N_4$/p-Si/Al were investigated. The resistivity of carbon nitride was above $2.40{\times}10^8{\Omega}{\cdot}cm$ at room temperature. The C-V plot showed a typical capacitance-voltage characteristics of semiconductor insulating layers, while it showed hysterisis due to interface charges. Amorphous carbon nitride (a-$CN_x$) films, that have relatively high resistivity and low dielectric constant could be useful as interlayer insulator materials of VLSI(very large-scale integration) and ULSI(ultra large-scale integration).
무정형탄소인 petroleum cokes를 대상으로 attrition mill을 이용하여 6~48시간 동안 분쇄한 후 이를 $700^{\circ}C$에서 1시간 동안 열처리한 후 재료특성과 전기화학적 특성을 조사하였다. 분쇄에 의한 효과에 의하여 입도분포와 BET 비표면적의 변화가 발생하였으며 내부의 층간거리도 변화시킬 수 있었다. 이들의 재료특성 변화에 의한 cyclic voltammogram과 충 방전 특성과의 관계를 조사한 결과, 분쇄시간 12~24시간에서 분쇄된 후의 경우가 $6{\sim}8{\mu}m$의 평균입도를 가지며 비교적 큰 층간거리와 표면적을 가질 때 전기화학적 특성이 비교적 우수하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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