• 제목/요약/키워드: integrated magnetic (IM)

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푸쉬 풀 포워드 컨버터의 효율 특성 고찰 (Considerations of Single Magnetic Integrated built-in Filter Push-Pull Forward Converter characteristics)

  • 전준석;김창선;김태식;임범선;우승훈
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2003년도 하계학술대회 논문집 B
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    • pp.1232-1234
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    • 2003
  • The push pull forward converter is a very suitable circuit for low output voltage, high output current applications with a wide input voltage range. This converter can be miniaturized by integrate magnetic components such as the output inductor, the transformer and the input inductor. We considered of the efficiency for the push pull forward converter. Developed the push pull forward converter rating are of $36{\sim}72V$ input and 3.3V/30A output. In this converter. the efficiency was measured by 76.4% at full load and 82.95% at half load. The maximum efficiency is up to 83.% at 200kHz, 11A output.

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Integrated Magnetics를 적용한 고 전력밀도 LLC 공진형 컨버터 (High Power Density LLC Resonant Converter using Integrated Magnetics)

  • 박철완;지상근;류동균;최흥균;한상규
    • 전력전자학회:학술대회논문집
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    • 전력전자학회 2017년도 전력전자학술대회
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    • pp.84-85
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    • 2017
  • 본 논문은 LLC 공진형 컨버터의 고전력밀도를 위한 IM(Integrated Magnetics)을 제안한다. 일반적으로 컨버터의 전력밀도는 사용되는 변압기, 인덕터와 같은 자기소자에 의해 결정되므로, 평판형 자기소자(Planar Magnetics)는 고 전력밀도화에 매우 적합하다. 하지만 LLC 공진형 컨버터에 평판형 자기소자를 적용할 경우 높은 자기 결합도에 의해 공진을 위한 충분한 누설 인덕턴스를 얻을 수 없다. 따라서 공진동작을 위한 추가적인 인덕터의 사용이 필수적이며, 전력밀도는 감소하게 된다. 반면, 제안방식은 자기소자 내부에 형성되는 두 개의 자화 인덕터를 공진 인덕터로 사용하기 때문에 공진동작에 필요한 누설 인덕터가 필요하지 않다. 또한, 이러한 두 개의 자화 인덕터는 하나의 자기소자에 집적화 할 수 있으므로 고 전력밀도에 유리한 구조를 갖는다. 더불어, 공진동작에 필요한 모든 파마리터가 설계자의 의도대로 설계가능하기 때문에 컨버터 최적설계가 매우 유리하다. 제안방식의 타당성을 확인하기 위하여 자기소자 모델을 통한 효율분석 및 350W-800kHz 시작품에 대한 실험결과를 제시한다.

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A Low-Loss On-Chip Transformer Using an Auxiliary Primary Part (APP) for CMOS Power Amplifier Applications

  • Im, Haemin;Park, Changkun
    • 전기전자학회논문지
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    • 제23권2호
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    • pp.403-406
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    • 2019
  • We propose a low-loss on-chip transformer using an auxiliary primary part (APP) for an output matching network for fully integrated CMOS power amplifiers. The APP is designed using a fifth metal layer while the primary and secondary parts are designed using a sixth metal layer with a width smaller than that of the primary and secondary parts of the transformer to minimize the substrate loss and the parasitic capacitance between the primary and secondary parts. By adapting the APP in the on-chip transformer, we obtain an improved maximum available gain value without the need for any additional chip area. The feasibility of the proposed APP structure is successfully verified.