• 제목/요약/키워드: information barrier

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단결정 β-Ga2O3 반도체를 이용한 쇼트키 배리어 다이오드 제작 (Schottky Barrier Diode Fabricated on Single Crystal β-Ga2O3 Semiconductor)

  • 김현섭;조민기;차호영
    • 전자공학회논문지
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    • 제54권1호
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    • pp.21-25
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    • 2017
  • 본 연구에서는 최근 차세대 전력 반도체로 관심을 받고 있는 단결정 ${\beta}-Ga_2O_3$를 이용한 쇼트키 배리어 다이오드 제작 및 특성 분석을 수행하였다. 쇼트키 배리어 다이오드는 Sn으로 도핑된 $2{\mu}m$ 두께의 저농도 N 타입 에피층 상에 Pt/Ti/Au 쇼트키 접합으로 제작되었으며 측정된 특성은 > 180 V의 항복전압, $1.26m{\Omega}{\cdot}cm^2$의 온 저항, 그리고 1 V의 순 방향 전압에서 $77A/cm^2$, 1.5 V에서 $473A/cm^2$의 순방향 전류 특성을 나타내었다. 본 연구를 통하여 단결정 ${\beta}-Ga_2O_3$의 전력반도체 활용 가능성을 확인 할 수 있었다.

이중게이트 MOSFET에서 채널내 도핑분포에 대한 드레인유기장벽감소 의존성 (Dependence of Drain Induced Barrier Lowering for Doping Profile of Channel in Double Gate MOSFET)

  • 정학기
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제15권9호
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    • pp.2000-2006
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    • 2011
  • 본 연구에서는 이중게이트(Double Gate; DG) MOSFET의 채널내 도핑분포 형태에 따른 드레인유기장벽감소(drain induced barrier lowering; DIBL) 현상을 분석하였다. DGMOSFET는 기존 MOSFET에서 발생하는 단채널효과를 감소시킬 수 있다는 장점 때문에 많은 연구가 진행 중에 있다. DIBL은 높은 드레인 전압에 의하여 발생하는 에너지밴드의 변화가 문턱전압의 감소로 니타나는 단채널효과이다. 이러한 DIBL을 DGMOSFET의 구조적 파라미터 및 채널 내 도핑분포함수의 변화에 따라 분석하고자 한다. 이를 위하여 가우시안 분포함수를 이용하여 포아송방정식의 해석학적 모델을 유도하였다. 본 논문에서 사용한 해석학적 포아송방정식의 전위분포모델 및 DIBL 모델의 타당성을 입증하기 위하여 수치해석학적 결과값과 비교하였으며 이 모델을 이용하여 DGMOSFET의 DIBL을 분석하였다.

원산지제도의 취약성, FTA 장벽 및 원산지검증 수준과 원산지성과에 대한 연구 (A Study on the relation of Vulnerability, FTA Barrier, Origin Verification and Origin Performance in Rules of Origin)

  • 김창봉;현화정
    • 통상정보연구
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    • 제16권5호
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    • pp.295-315
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    • 2014
  • 본 연구에서는 원산지제도의 취약성, FTA 장벽, 원산지검증 수준, 원산지성과 간의 구조적 관계를 규명하였다. 이를 위해서 원산지제도를 수행하고 있는 104개 기업들을 대상으로 설문조사를 수행하고, 구조방정식모형(Structural equation model)을 통해 가설을 검증하였다. 먼저, 원산지제도의 취약성, FTA 장벽 요인을 선행변수로 두고, 원산지검증 요인을 매개변수로 설정하였다. 기업의 원산지성과 요인과 함께 연구모형에 포함시켜 실증분석을 한 결과 다음과 같은 연구결과를 얻었다. 첫째, 원산지제도의 취약성은 원산지검증 수준 요인에 부(-)의 영향을 미쳤다. 둘째, 원산지검증 수준은 원산지성과 요인에 정(+)의 영향을 미쳤다. 본 연구 결과를 통하여 기업들은 경쟁력을 강화시키기 위해서 먼저, 원산지규정에 대한 이해력을 높이고, 파트너 기업들과 공동으로 협업하여 대처해 나가는 방법으로 연구성과를 거두었다. 둘째, 물품의 원산지를 증명에 대한 프로세스를 구축하여 이를 시스템화하여 체계적으로 관리해야 한다는 결론을 얻었다. 향후 원산지검증 수준에 관하여 기업내부 요인과 외부 요인을 도출하여 기업의 대 내외적 수준을 평가할 수 있는 연구가 필요할 것이라고 판단된다.

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가우스분포를 이용한 이중게이트 MOSFET의 드레인유기장벽감소 분석 (Analysis of Drain Induced Barrier Lowering for Double Gate MOSFET Using Gaussian Distribution)

  • 정학기
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제16권2호
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    • pp.325-330
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    • 2012
  • 본 연구에서는 차세대 나노소자인 이중게이트(Double gate; DG) MOSFET에서 발생하는 단채널효과 중 하나인 드레인유기장벽감소(Drain Induced Barrier Lowering; DIBL)에 대하여 분석하였다. 포아송방정식을 풀어 전위분포에 대한 분석학적 해를 구할 때 전하분포함수에 대하여 가우시안 함수를 사용함으로써 보다 실험값에 가깝게 해석하였으며 이때 가우시안 함수의 변수인 이온주입범위 및 분포편차 그리고 소자 파라미터인 채널의 크기, 도핑강도 등에 대하여 드레인유기장벽감소의 변화를 관찰하고자 한다. 본 연구의 모델에 대한 타당성은 이미 기존에 발표된 논문에서 입증하였으므로 본 연구에서는 이 모델을 이용하여 드레인유기장벽감소에 대하여 분석한 결과 드레인유기장벽감소 현상은 채널의 구조 및 도핑강도에 따라 매우 급격히 변화하는 것을 알 수 있었다.

이원계 $SiO_2$$TiO_2$ 박막의 저항 변화 특성 (Resistance Switching Characteristics of Binary $SiO_2\;and\;TiO_2$ Films)

  • 박인성;김경래;안진호
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제13권2호
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    • pp.15-19
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    • 2006
  • 이원계 산화막인 비정질 $SiO_2$와 다결정 $TiO_2$의 저항 변화 특성을 연구하였다. Metal-Insulator-Metal의 저항 소자를 형성하여 전압 sweep에 의한 I-V를 측정하여 저항 상태를 확인하였다. 즉, 낮은 저항 상태 (LRS) 와 높은 저항 상태 (HRS) 의 두 가지 저항 상태가 존재하였으며, LRS는 전압에 의한 절연체의 불완전한 breakdown 후에, HRS는 전압에 의한 negative differential resistance 후에 각각 나타났다. LRS의 경우에는 Ohmic 전도 mechanism에 의해서, HRS의 경우에는 Schottky contact에 의한 potential barrier의 생성이 저항 상태를 결정한다고 제안하였다. 즉, potential barrier의 생성과 소멸이 두 저항 상태를 형성한다고 할 수 있다. 유전율이 높은 $TiO_2$$SiO_2$에 비하여, 낮은 동작 특성 전압을 나타내었으며, 1 V에서의 저항비도 높았다.

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가우스분포를 이용한 이중게이트 MOSFET의 드레인유기장벽감소분석 (Analysis of Drain Induced Barrier Lowering for Double Gate MOSFET Using Gaussian Distribution)

  • 정학기;한지형;정동수;이종인;권오신
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국해양정보통신학회 2011년도 추계학술대회
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    • pp.878-881
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    • 2011
  • 본 연구에서는 차세대 나노소자인 DGMOSFET에서 발생하는 단채널효과 중 하나인 드레인유기 장벽 감소(Drain Induced Barrier Lowering; DIBL)에 대하여 분석하고자 한다. 포아송방정식을 풀어 전위분포에 대한 분석학적 해를 구할 때 전하분포함수에 대하여 가우시안 함수를 사용함으로써 보다 실험값에 가깝게 해석하였으며 이때 가우시안 함수의 변수인 이온주입범위 및 분포편차 그리고 소자 파라미터인 채널의 두께, 도핑강도 등에 대하여 드레인유기장벽감소의 변화를 관찰하고자 한다. 본 연구의 모델에 대한 타당성은 이미 기존에 발표된 논문에서 입증하였으므로 본 연구에서는 이 모델을 이용하여 드레인유기장벽감소에 대하여 분석할 것이다.

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스켈링 이론에 따른 DGMOSFET의 문턱전압 및 DIBL 특성 분석 (Analysis of Threshold Voltage and DIBL Characteristics for Double Gate MOSFET Based on Scaling Theory)

  • 정학기
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제17권1호
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    • pp.145-150
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    • 2013
  • 본 연구에서는 차세대 나노소자인 DGMOSFET에 대하여 문턱전압 이하영역에서 발생하는 단채널 효과 중 문턱전압 및 드레인유도장벽감소의 변화를 스켈링 이론에 따라 분석하였다. 포아송방정식의 분석학적 해를 구하기 위하여 전하분포함수에 대하여 가우시안 함수를 사용함으로써 보다 실험값에 가깝게 해석하였으며 이때 가우시안 함수의 변수인 이온주입범위 및 분포편차 그리고 소자 파라미터인 채널의 두께, 도핑농도 등에 대하여 문턱전압 특성의 변화를 관찰하였다. 본 연구의 모델에 대한 타당성은 이미 기존에 발표된 논문에서 입증하였으며 본 연구에서는 이 모델을 이용하여 문턱전압이하 특성을 분석하였다. 분석결과 스켈링 이론 적용 시 문턱전압 및 드레인유도장벽감소 현상이 변화하였으며 변화 정도는 소자파라미터에 따라 변화한다는 것을 관찰하였다.

10 nm 이하 저도핑 DGMOSFET의 SPICE용 DIBL 모델 (Drain Induced Barrier Lowering(DIBL) SPICE Model for Sub-10 nm Low Doped Double Gate MOSFET)

  • 정학기
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제21권8호
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    • pp.1465-1470
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    • 2017
  • 기존의 MOSFET에서는 반전층보다 항상 실리콘 두께가 크기 때문에 드레인유도 장벽감소가 실리콘 두께에 관계없이 산화막 두께 및 채널길이의 함수로 표현되었다. 그러나 10 nm 이하 저도핑 이중게이트 구조에서는 실리콘 두께 전체가 공핍층이 형성되기 때문에 기존의 SPICE 모델을 사용할 수 없게 되었다. 그러므로 이중게이트 MOSFET에 대한 새로운 SPICE 용 드레인유도 장벽감소 모델을 제시하고자 한다. 이를 분석하기 위하여 전위분포와 WKB 근사를 이용하여 열방사 및 터널링 전류를 구하였다. 결과적으로 드레인유도 장벽감소는 상하단 산화막 두께의 합 그리고 실리콘 두께의 2승에 비례하며 채널길이의 3승에 반비례한다는 것을 알 수 있었다. 특히 SPICE 파라미터인 정적 궤환계수가 1과 2사이에서 사용할 수 있어 합당한 파라미터로써 사용할 수 있었다.

Enhancement of skin barrier and hydration-related molecules by protopanaxatriol in human keratinocytes

  • Lee, Jeong-Oog;Hwang, So-Hyeon;Shen, Ting;Kim, Ji Hye;You, Long;Hu, Weicheng;Cho, Jae Youl
    • Journal of Ginseng Research
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    • 제45권2호
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    • pp.354-360
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    • 2021
  • Background: Protopanaxatriol (PPT) is a secondary intestinal metabolite of ginsenoside in ginseng. Although the effects of PPT have been reported in various diseases including cancer, diabetes and inflammatory diseases, the skin protective effects of PPT are poorly understood. Methods: HaCaT cells were treated with PPT in a dose-dependent manner. mRNA and protein levels which related to skin barrier and hydration were detected compared with retinol. Luciferase assay was performed to explore the relative signaling pathway. Western blot was conducted to confirm these pathways and excavated further signals. Results: PPT enhanced the expression of filaggrin (FLG), transglutaminase (TGM)-1, claudin, occludin and hyaluronic acid synthase (HAS) -1, -2 and -3. The mRNA expression levels of FLG, TGM-1, HAS-1 and HAS-2 were suppressed under NF-κB inhibition. PPT significantly augmented NF-κB-luc activity and upregulated Src/AKT/NF-κB signaling. In addition, PPT also increased phosphorylation of the mitogen-activated protein kinases (MAPKs) ERK, JNK and p38 and upstream MAPK activators (MEK and MKK). Furthermore, transcriptional activity of AP-1 and CREB, which are downstream signaling targets of MAPK, was enhanced by PPT. Conclusion: PPT improves skin barrier function and hydration through Src/AKT/NF-κB and MAPK signaling. Therefore, PPT may be a valuable component for cosmetics or treating skin disorders.

낙동강 하구둑 방류량이 하구지역 지형 변화에 미치는 영향 분석 (An Analysis of the Effect of Barrier Discharge on the Topographic Change of Nak-dong River Estuary)

  • 공태욱;김성보
    • 한국산업융합학회 논문집
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    • 제26권1호
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    • pp.163-173
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    • 2023
  • In this study, topographic change analysis was performed on the Nak-dong River estuary area. The factors affecting the changes in the bathymetry of the Nak-dong River estuary were analyzed using data from the discharge, suspended sediments, and rainfall of the Nak-dong River barrier as analysis data. As a result, erosion and sedimentation are judged to appear repeatedly due to complex effects such as discharge of the estuary barrier of the Nak-dong River and invasion of the open sea waves, and it is judged that there is no one-sided tendency. However, as a result of checking the data in the second half of 2020, it was possible to confirm a large amount of erosion, which is different from the past data. It is clear that this is a result beyond the trend of erosion in the first half and sedimentation in the second half. In the summer of 2020, the rainy season lasted for more than a month and torrential rains occurred, which seems to be due to about three times higher rainfall than other periods, and erosion is believed to have occurred as the discharge increased rapidly compared to the time deposited by river water outflow. In addition, compared to other times, the influence of many typhoons in the summer of 2020 is believed to have affected the topographical change at the mouth of the Nak-dong River.