Sol-Gel derived ferroelectric Pb(Z $r_{0.52}$$Ti_{0.48}$) $O_{3}$ thin films have been fabricated on Pt/Ti/ $SiO_{2}$/Si substrate. Two kinds of fast annealing methods, F-I (six times of intermediate and final annealing) and F-II(one final annealing after six times of intermediate annealing) were used for preparation of multi-coated PZT thin films. As the annealing temperature was increased, high capacitance could be obtained, for instance, 2700.angs.-thick PZT thin film annealed at 680.deg. C had a capacitance value of approximately 20nF at 1kHz. In addition, it is found that the dielectric constant is a function of the perovskite phase fraction. In case of F-I method, PZT thin film had a remanent polarization(Pr) of 8-15.mu.C/c $m^{2}$ and a coercive field( $E_{c}$) of 35-44kV/cm according to annealing temperature, whereas PZT film fabricated by F-II method had as high as 24-25.mu.C/c $m^{2}$ and 48-59kV/cm, respectively. As a result of measuring Curie temperature, PZT thin film had a range of 460-480.deg. C by F-I method and more or less higher range of 525-530.deg. C by F-II method, which implied that different microstructures could cause the different Curie temperature. Through I-V measurement, leakage current of PZT thin film fabricated by F-I and F-II methods was 64nA/c $m^{2}$ and 2.2.mu.A/c $m^{2}$ in the electric field of 100kV/cm, respectively.y.y.y.
From extensive measurements of the resistance and the dynamic resistance as functions of magnetic field and temperature, we find that the transport in the insulating state beyond the superconductor-insulator (S-I) transition is dominated by bosons(Cooper pairs and/or vortices) and cannot be described by the theory of the fermionic insulating phase. The maximum of the magnetoresistance at B = B$_m$ and the following negative slope in R(B) with increasing field can be explained by the crossover from the "Bose-glass" to the "Fermi-glass" phase as suggested by Paalanen, Hebard, and Ruel. The zero bias peak in dv/dl for biases below the characteristic voltage V$_c$ (or current $I_c$), gives a clue for the assumption of the "dirty boson" model which states that the insulating state above the critical magnetic field is the phase where Cooper pairs are localized due to the Coulomb blockade with a nonvanishing order parameter. The shift to a lower value of the critical magnetic field by overlaying thin Au layer, which is known as a strong spin-orbit scatterer, also supports the bosonic nature of the S-I transition.
The Transactions of The Korean Institute of Electrical Engineers
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v.63
no.2
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pp.266-271
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2014
The Electromagnetic Interference(EMI) generating from corona discharge of transformer area can interference the digital Instrument and Control(I&C) systems located nearby transformers. When the potential gradient of the electric field around the conductor is high enough to form a conductive region but not high enough to cause electrical breakdown to nearby objects, the EMI of corona discharge emits with the conducted and radiated noise and it interferences the signals of the I&C systems. Since digital I&C systems have an efficiency and competitive price, the analog I&C systems have been upgraded and displaced with the digital I&C systems but which have less EMI Immunity. There was no assessment to I&C systems by EMI generating corona discharge nearby transformers. When the safety-related I&C systems are installed in plants, the verification of equipment EMI should be done not in site-specific test but in test facilities. There are the need to do the site-specific EMI evaluation of corona discharge nearby transformers. This paper assesses the margin between plant emission limits and the highest composite plant emission of corona. When the non safety-related I&C systems are placed in transformer area, it suggests the appropriate radiated susceptibility level to EMI of corona discharge.
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers C
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v.48
no.8
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pp.557-562
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1999
Electrical conduction characteristics of XLPE film evaporated with different metal electrode are discussed. The relation between electrical current(I) and Voltage(V) in the M(metal)-I(XLPE)-M(metal) structure are measured in the temperature range from 25$[^{\circ}C]$ to 90[$[^{\circ}C]$ . Several kinds of metals are used as electrode, such as, Al, Ag and Cu.From the experimental results, it is conclused that the conduction mechanism at highelectric field is SCLC. The dependences of temperature and kinds of metal on the trap filled electric field level can be well explained by this theory.
Let D be an integral domain with quotient field K,$\mathcal{I}(D)$ be the set of nonzero ideals of D, and $w$ be the star-operation on D defined by $I_w=\{x{\in}K{\mid}xJ{\subseteq}I$ for some $J{\in}\mathcal{I}(D)$ such that J is finitely generated and $J^{-1}=D\}$. The D is called a Pr$\ddot{u}$fer $v$-multiplication domain if $(II^{-1})_w=D$ for all nonzero finitely generated ideals I of D. In this paper, we show that D is a Pr$\ddot{u}$fer $v$-multiplication domain if and only if $(A{\cap}(B+C))_w=((A{\cap}B)+(A{\cap}C))_w$ for all $A,B,C{\in}\mathcal{I}(D)$, if and only if $(A(B{\cap}C))_w=(AB{\cap}AC)_w$ for all $A,B,C{\in}\mathcal{I}(D)$, if and only if $((A+B)(A{\cap}B))_w=(AB)_w$ for all $A,B{\in}\mathcal{I}(D)$, if and only if $((A+B):C)_w=((A:C)+(B:C))_w$ for all $A,B,C{\in}\mathcal{I}(D)$ with C finitely generated, if and only if $((a:b)+(b:a))_w=D$ for all nonzero $a,b{\in}D$, if and only if $(A:(B{\cap}C))_w=((A:B)+(A:C))_w$ for all $A,B,C{\in}\mathcal{I}(D)$ with B, C finitely generated.
The present study was undertaken to confirm whether melittin, a major constituent of whole bee venom (WBV), had the ability to produce the same nociceptive responses as those induced by WBV. In the behavioral experiment, changes in mechanical threshold, flinching behaviors and paw thickness (edema) were measured after intraplantar (i.pl.) injection of WBV (0.1 mg & 0.3 mg/paw) and melittin (0.05 mg & 0.15 mg/paw), and intrathecal (i.t.) injection of melittin $(6{\mu}g)$. Also studied were the effects of i.p. (2 mg & 4 mg/kg), i.t. $(0.2{\mu}g\;&\;0.4{\mu}g)$ or i.pl. (0.3 mg) administration of morphine on melittin-induced pain responses. I.pl. injection of melittin at half the dosage of WBV strongly reduced mechanical threshold, and increased flinchings and paw thickness to a similar extent as those induced by WBV. Melittin- and WBV-induced flinchings and changes in mechanical threshold were dose- dependent and had a rapid onset. Paw thickness increased maximally about 1 hr after melittin and WBV treatment. Time-courses of nociceptive responses induced by melittin and WBV were very similar. Melittin-induced decreases in mechanical threshold and flinchings were suppressed by i.p., i.t. or i.pl. injection of morphine. I.t. administration of melittin $(6{\mu}g)$ reduced mechanical threshold of peripheral receptive field and induced flinching behaviors, but did not cause any increase in paw thickness. In the electrophysiological study, i.pl. injection of melittin increased discharge rates of dorsal horn neurons only with C fiber inputs from the peripheral receptive field, which were almost completely blocked by topical application of lidocaine to the sciatic nerve. These findings suggest that pain behaviors induced by WBV are mediated by melittin-induced activation of C afferent fiber, that the melittin-induced pain model is a very useful model for the study of pain, and that melittin-induced nociceptive responses are sensitive to the widely used analgesics, morphine.
Interface-engineered junctions with $YbBa_2$$Cu_3$$O_{7}$ as the counter electrode were demonstrated. The junctions exhibited excellent Josephson characteristics with a Josephson critical current ($I_{c}$) ranging from 0.1 mA to 8 mA and a magnetic field modulation of the $I_{c}$ exceeding 80% at 4.2 K while maintaining complete c-axis orientation of the counter-electrode layer. The$ 1\sigma$ spreads in $I_{c}$ for junctions with an average $I_{c}$ of 1-2 mA were 5-8% for 16 junctions within a chip, and 9.3% for a 100-junction array. Our dI/dV measurements suggest that a theoretical approach taking into account both a highly transparent barrier and the proximity effect is required to fully understand the Junction characteristics.ristics.
Jung, J. H.;Lee, H. J.;Kim, K. W.;Kim, M. W.;Noh, T. W.;Wang, Y. J.;Kang, W. N.;Jung, C. U.;Lee, Sung-Ik
Progress in Superconductivity
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v.3
no.1
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pp.31-35
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2001
We investigated the temperature and magnetic field dependent optical properties of a$ MgB_2$ thin film in the far-infrared region. In the superconducting state, i.e. 5 K, we obtained the values of superconducting gap $2\Delta$ ~ 5.2 meV and $2\Delta$$_{k}$$B/T_{c}$ ~1.8. Although the value of$ 2\Delta$$B/T_{c}$ was nearly half of the BCS value, the $2\Delta$ seemed to follow the temperature dependence of the BCS formula. Under the magnetic field (H), the superconducting state became suppressed. Interestingly, we found that the normal state area fraction abruptly increased at low field but slowly increased at high field. It did not follow the H-dependences predicted for a s-wave superconductor (i.e. a linear dependence) nor for a s-wave one (i.e. $H^{1}$2/ dependence). We discussed the complex gap nature of $MgB_2$ in comparison with two gap and anisotropic s-wave scenarios.ios.
The five-year national project in Japan for R&D of coated conductors and applications, named as the Materials and Power Applications of Coated Conductors (M-PACC) project, was finished at the end of FY2013. The project consists of four sub-themes as cable, transformer, SMES and coated conductors. In the theme of coated conductors, the fabrication process had been developed to satisfy the requirements from the applications such as in-field $I_c$ performance, low AC loss in the long tapes etc. Through the project, the remarkable progress was achieved as follows; a high in-field minimum $I_c$ value over 54A/cm-width under 3T at 77K was realized in a 200m long EuBCO tape with artificial pinning centers of $BaHfO_3$ by the pulsed laser deposition (PLD) technique on the IBAD template. On the other hand, the AC loss reduction was confirmed in the tapes fabricated by both PLD and the metal organic deposition (MOD) techniques by scribing 100m tapes into 10-filamments. Additionally, the mechanism of the delamination phenomenon was systematically investigated and the strength was improved by eliminating the origins of the weak points in the films. Through the development, all targeted goals were accomplished and the several results were appreciated as a world champion data.
Proceedings of the Korean Society of Applied Pharmacology
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1997.04a
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pp.86-86
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1997
Human annexin I is a member of annexin family of calcium dependent phospholipid binding proteins, which have been implicated in various physiological roles including phospholipase A$_2$ (PLA$_2$) inhibition, membrane fusion and calcium channel activity. In this work, the structure of N-terminally truncated human annexin I (Δ-annexin I) and its interactions with Ca$\^$2+/, ATP and cAMP were studied at atomic level by using $^1$H, $\^$15/N, $\^$l3/C NMR (nuclear magnetic resonance) spectroscopy. The effect of Ca$\^$2+/ binding on the structure of Δ-annexin I was investigated, and compared with that of Mg$\^$2+/ binding. The addition of Ca$\^$2+/ to Δ-annexin I caused some changes in the high field and low field regions of $^1$H NMR spectra. Whereas, upon addition of Mg$\^$2+/ to Δ-annexin I, almost no change could be observed. Also we found that the binding ratio of ATP to Δ-annexin I is 1. Because Δ-annexin I is a large protein with 35 kDa molecular weight, site-specific (carbonyl-$\^$l3/C, amide-$\^$15/N) labeling technique was used to determine the interaction sites of Δ-annexin I with Ca$\^$2+/ and ATP. Assignments of all the histidinyl carbonyl carbon resonances have been completed by using Δ-annexin I along with its specific 1,2-subdomain. The carbonyl carbon resonances originating from His52 and His246 of Δ-annexin I were significantly affected by Ca$\^$2+/ binding, and some Tyr and Phe resonances were also affected. The carbonyl carbon resonances originating from His52 is significantly affected by ATP binding, therefore His52 seems to be involved in the ATP binding site of Δ-annexin I.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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