The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers P
/
v.67
no.2
/
pp.106-111
/
2018
Recently, due to the effect of global warming, the high temperature phenomenon continues, and the time for workers exposed to high temperature, cold and infrared is increasing and then safety is threatened. Due to the nature of on-site work, the work is being carried out in an unreasonable manner due to the process, which is exposed to disasters due to high temperature and cold. Even though the injured skin may be damaged, the worker may not be aware of it and may be injured. By understanding the working environment of the worker and calculating the risk index and expressing it on the helmet, the surrounding colleagues inform the worker of the risk and take appropriate measures so that the accident can be prevented in advance. This study was conducted to investigate the effect of exposure duration on the workers' by measuring the exposure time, the risk index is displayed in the form of a traffic light to the helm, informing neighboring workers and managers, and transmitting to the workers by voice.
Kim, C.K.;Noh, I.H.;Yang, S.J.;Lee, J.H.;Lee, J.H.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
/
2002.07b
/
pp.805-808
/
2002
A carbon monoxide gas sensor utilizing Pt-SiC, Pt-SnO2-SiC diode structure was fabricated. Since the operating temperature for silicon devices in limited to 200oC, sensor which employ the silicon substrate can not at high temperature. In this study, CO gas sensor operating at high temperature which utilize SiC semiconductor as a substrate was developed. Since the SiC is the semiconductor with wide band gap. the sensor at above $700^{\circ}C$. Carbon monoxide-sensing behavior of Pt-SiC, Pt-SnO2-SiC diode is systematically compared and analyzed as a function of carbon monoxide concentration and temperature by I-V and ${\Delta}$I-t method under steady-state and transient conditions.
Park, Gyu Jin;Yang, Jin Oh;Lee, Jae Joong;Kwak, Ho Sang
Journal of the Semiconductor & Display Technology
/
v.15
no.2
/
pp.74-80
/
2016
This study presents a thermal device specially designed for thermal nanoimprint lithography equipments, which requires the capability of rapid heating and cooling, high temperature uniformity and the material strength to endure high stamping pressure. The proposal to meet these requirements is a planar-type hot plate extensible to a large area, in which long circular cartridge heaters and heat pipes are installed inside in parallel. The heat pipes are connected to the outside water cooling chamber. A hot plate made of stainless steel is fabricated with a dimension $240mm{\times}240mm{\times}20mm$. Laboratory experiments are conducted to examine the thermal performance of the hot plate. The results illustrate that the employment of heat pipes leads to a notable enhancement of temperature uniformity in the device and provides an efficient heat delivery from the hot plate to outside. It is verified that the suggested hot plate could be a feasible thermal tool for thermal nanoimprint lithography, satisfying the major design requirements.
In this computational study of optical fiber manufacturing, WOW (wet-on-wet) double coating process on freshly drawn glass fiber has been numerical modelled and simulated using a simplified geometry of typical optical fiber coating apparatus. The numerical domain includes primary and secondary coating dies along with secondary coating cup and the interface between primary and secondary coating liquids are investigated using level set method. Coating liquid viscosity is an important parameter and its dependence on temperature is also considered. Since there would be possibility for pressure and temperature of primary coating liquid to be increased substantially at high fiber drawing speed, the effects of increased pressure and temperature of primary coating liquid are examined on flow patterns of coating liquids in secondary coating cup. In case that both pressure and temperature of primary coating liquid are high enough, liquid interface becomes noticeably unstable and this flow instability could adversely affect the uniform coatings and final quality of produced optical fiber.
Recently, in the semiconductor industry, memory device market is focusing on producing ultra-thin wafers for high integration. In the wafer manufacturing process, wafers after backgrinding and CMP process must be picked up as individual dies and subjected to be peeled off from the dicing tape. However, ultra-thin dies are vulnerable to the possibility of breakage and failure in their thickness and size. This research studies the mechanism of peeling a die with a high-aspect ratio using a thermopneumatic method instead of a die ejector with physical pins. Setting compressed air and the temperature as main factors, we determine the success of the digester using thermopneumatic system and analyze the good die to find the possibility of making mass-production equipment.
Stable operation of semiconductor devices is needed even at high temperatures. Among the structures of semiconductor devices, the area that can cause unstable electrical responses at high temperatures is the contact layer between the metal and the semiconductor. In this study, the effect of annealing conditions included in the process of forming a contact layer of nickel silicide(NiSix) on a p-type SiC layer on the specific contact resistance of the contact layer and the total resistance between the metal and the semiconductor was investigated. To this end, a series of electrodes for TLM (transfer length method) measurements were patterned on the 4 inch p-type SiC layer under conditions of changing annealing temperature of 1700 and 1800 ℃ and annealing time of 30 and 60 minutes. As a result, it was confirmed that the annealing conditions affect the resistance of the contact layer and the electrical stability of the device.
$0.18-{\mu}m$ high voltage technology 13.5V high voltage well-based symmetric EDMOS isolated by MTI was designed and fabricated. Using calibrated process and device model parameters, the characteristics of the symmetric and asymmetric EDMOS have been simulated. The asymmetric EDMOS has higher performance, better $R_{sp}$ / BVDSS figure-of-merit, short-channel immunity and smaller pitch size than the symmetric EDMOS. The asymmetric EDMOST is a good candidate for low-power and smaller source driver chips. The low voltage logic well-based EDMOS process has advantages over high voltage well-based EDMOS in process cost by eliminating the process steps of high-voltage well/drift implant, high-temperature long-time thermal steps, etc. The specific on-resistance of our well-designed logic well-based EDMOSTs is compatible with the smallest one published. TCAD simulation and measurement results show that the improved logic well-based nEDMOS has better electrical characteristics than those of the conventional one. The improved EDMOS proposed in this paper is an excellent candidate to be integrated with low voltage logic devices for high-performance low-power low-cost chips.
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
/
v.21
no.2
/
pp.13-21
/
2014
Technology for high power devices has made impressive progress in increasing the current density of power semiconductor, system module, and design optimization, which realize high power systems with heterogeneous functional integration. Depending on the performance development of high power semiconductor, packaging technology of high power device is urgently required for efficiency improvement of the device. Power device packaging must provide superior thermal management due to high operating temperature of power modules. Here we, therefore, review critical challenges of typical power electronics packaging today including core assembly processes, component materials, and reliability evaluation regulations.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
/
v.13
no.6
/
pp.622-634
/
2013
The circuit level implementation of nanoscale Insulated Shallow Extension Silicon On Nothing (ISE-SON) MOSFET has been investigated and compared with the other conventional devices i.e. Insulated Shallow Extension (ISE) and Silicon On Nothing (SON) using the ATLAS 3D device simulator. It can be observed that ISE-SON based inverter shows better performance in terms of Voltage Transfer Characteristics, noise margin, switching current, inverter gain and propagation delay. The reliability issues of the various devices in terms of supply voltage, temperature and channel length variation has also been studied in the present work. Logic circuits (such as NAND and NOR gate) and ring oscillator are also implemented using different architectures to illustrate the capabilities of ISE-SON architecture for high speed logic circuits as compared to other devices. Results also illustrates that ISE-SON is much more temperature resistant than SON and ISE MOSFET. Hence, ISE-SON enables more aggressive device scaling for low-voltage applications.
The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
/
v.8
no.1
/
pp.12-16
/
1983
This paper is dealing a $V_3O_5-P_2O_5$ metal oxide glass semiconductor. This semiconductor is easy to fabricate in the atmospheric condition at relatively low temperature. The element is made like a bead, and platinum segments are used as electrodes. Other kind of metal withstanding high temperature near 1000C can also be used as electrode. Experiment verifies that the fabricated element has the resistance in the order of about ~$10^5\;\Omega$, and shows negative resistance characteristics and switching characteristics with respect to temperature. An equivalent circuit of the element is proposed based on its electrical characteristcs.
본 웹사이트에 게시된 이메일 주소가 전자우편 수집 프로그램이나
그 밖의 기술적 장치를 이용하여 무단으로 수집되는 것을 거부하며,
이를 위반시 정보통신망법에 의해 형사 처벌됨을 유념하시기 바랍니다.
[게시일 2004년 10월 1일]
이용약관
제 1 장 총칙
제 1 조 (목적)
이 이용약관은 KoreaScience 홈페이지(이하 “당 사이트”)에서 제공하는 인터넷 서비스(이하 '서비스')의 가입조건 및 이용에 관한 제반 사항과 기타 필요한 사항을 구체적으로 규정함을 목적으로 합니다.
제 2 조 (용어의 정의)
① "이용자"라 함은 당 사이트에 접속하여 이 약관에 따라 당 사이트가 제공하는 서비스를 받는 회원 및 비회원을
말합니다.
② "회원"이라 함은 서비스를 이용하기 위하여 당 사이트에 개인정보를 제공하여 아이디(ID)와 비밀번호를 부여
받은 자를 말합니다.
③ "회원 아이디(ID)"라 함은 회원의 식별 및 서비스 이용을 위하여 자신이 선정한 문자 및 숫자의 조합을
말합니다.
④ "비밀번호(패스워드)"라 함은 회원이 자신의 비밀보호를 위하여 선정한 문자 및 숫자의 조합을 말합니다.
제 3 조 (이용약관의 효력 및 변경)
① 이 약관은 당 사이트에 게시하거나 기타의 방법으로 회원에게 공지함으로써 효력이 발생합니다.
② 당 사이트는 이 약관을 개정할 경우에 적용일자 및 개정사유를 명시하여 현행 약관과 함께 당 사이트의
초기화면에 그 적용일자 7일 이전부터 적용일자 전일까지 공지합니다. 다만, 회원에게 불리하게 약관내용을
변경하는 경우에는 최소한 30일 이상의 사전 유예기간을 두고 공지합니다. 이 경우 당 사이트는 개정 전
내용과 개정 후 내용을 명확하게 비교하여 이용자가 알기 쉽도록 표시합니다.
제 4 조(약관 외 준칙)
① 이 약관은 당 사이트가 제공하는 서비스에 관한 이용안내와 함께 적용됩니다.
② 이 약관에 명시되지 아니한 사항은 관계법령의 규정이 적용됩니다.
제 2 장 이용계약의 체결
제 5 조 (이용계약의 성립 등)
① 이용계약은 이용고객이 당 사이트가 정한 약관에 「동의합니다」를 선택하고, 당 사이트가 정한
온라인신청양식을 작성하여 서비스 이용을 신청한 후, 당 사이트가 이를 승낙함으로써 성립합니다.
② 제1항의 승낙은 당 사이트가 제공하는 과학기술정보검색, 맞춤정보, 서지정보 등 다른 서비스의 이용승낙을
포함합니다.
제 6 조 (회원가입)
서비스를 이용하고자 하는 고객은 당 사이트에서 정한 회원가입양식에 개인정보를 기재하여 가입을 하여야 합니다.
제 7 조 (개인정보의 보호 및 사용)
당 사이트는 관계법령이 정하는 바에 따라 회원 등록정보를 포함한 회원의 개인정보를 보호하기 위해 노력합니다. 회원 개인정보의 보호 및 사용에 대해서는 관련법령 및 당 사이트의 개인정보 보호정책이 적용됩니다.
제 8 조 (이용 신청의 승낙과 제한)
① 당 사이트는 제6조의 규정에 의한 이용신청고객에 대하여 서비스 이용을 승낙합니다.
② 당 사이트는 아래사항에 해당하는 경우에 대해서 승낙하지 아니 합니다.
- 이용계약 신청서의 내용을 허위로 기재한 경우
- 기타 규정한 제반사항을 위반하며 신청하는 경우
제 9 조 (회원 ID 부여 및 변경 등)
① 당 사이트는 이용고객에 대하여 약관에 정하는 바에 따라 자신이 선정한 회원 ID를 부여합니다.
② 회원 ID는 원칙적으로 변경이 불가하며 부득이한 사유로 인하여 변경 하고자 하는 경우에는 해당 ID를
해지하고 재가입해야 합니다.
③ 기타 회원 개인정보 관리 및 변경 등에 관한 사항은 서비스별 안내에 정하는 바에 의합니다.
제 3 장 계약 당사자의 의무
제 10 조 (KISTI의 의무)
① 당 사이트는 이용고객이 희망한 서비스 제공 개시일에 특별한 사정이 없는 한 서비스를 이용할 수 있도록
하여야 합니다.
② 당 사이트는 개인정보 보호를 위해 보안시스템을 구축하며 개인정보 보호정책을 공시하고 준수합니다.
③ 당 사이트는 회원으로부터 제기되는 의견이나 불만이 정당하다고 객관적으로 인정될 경우에는 적절한 절차를
거쳐 즉시 처리하여야 합니다. 다만, 즉시 처리가 곤란한 경우는 회원에게 그 사유와 처리일정을 통보하여야
합니다.
제 11 조 (회원의 의무)
① 이용자는 회원가입 신청 또는 회원정보 변경 시 실명으로 모든 사항을 사실에 근거하여 작성하여야 하며,
허위 또는 타인의 정보를 등록할 경우 일체의 권리를 주장할 수 없습니다.
② 당 사이트가 관계법령 및 개인정보 보호정책에 의거하여 그 책임을 지는 경우를 제외하고 회원에게 부여된
ID의 비밀번호 관리소홀, 부정사용에 의하여 발생하는 모든 결과에 대한 책임은 회원에게 있습니다.
③ 회원은 당 사이트 및 제 3자의 지적 재산권을 침해해서는 안 됩니다.
제 4 장 서비스의 이용
제 12 조 (서비스 이용 시간)
① 서비스 이용은 당 사이트의 업무상 또는 기술상 특별한 지장이 없는 한 연중무휴, 1일 24시간 운영을
원칙으로 합니다. 단, 당 사이트는 시스템 정기점검, 증설 및 교체를 위해 당 사이트가 정한 날이나 시간에
서비스를 일시 중단할 수 있으며, 예정되어 있는 작업으로 인한 서비스 일시중단은 당 사이트 홈페이지를
통해 사전에 공지합니다.
② 당 사이트는 서비스를 특정범위로 분할하여 각 범위별로 이용가능시간을 별도로 지정할 수 있습니다. 다만
이 경우 그 내용을 공지합니다.
제 13 조 (홈페이지 저작권)
① NDSL에서 제공하는 모든 저작물의 저작권은 원저작자에게 있으며, KISTI는 복제/배포/전송권을 확보하고
있습니다.
② NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 상업적 및 기타 영리목적으로 복제/배포/전송할 경우 사전에 KISTI의 허락을
받아야 합니다.
③ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 보도, 비평, 교육, 연구 등을 위하여 정당한 범위 안에서 공정한 관행에
합치되게 인용할 수 있습니다.
④ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 무단 복제, 전송, 배포 기타 저작권법에 위반되는 방법으로 이용할 경우
저작권법 제136조에 따라 5년 이하의 징역 또는 5천만 원 이하의 벌금에 처해질 수 있습니다.
제 14 조 (유료서비스)
① 당 사이트 및 협력기관이 정한 유료서비스(원문복사 등)는 별도로 정해진 바에 따르며, 변경사항은 시행 전에
당 사이트 홈페이지를 통하여 회원에게 공지합니다.
② 유료서비스를 이용하려는 회원은 정해진 요금체계에 따라 요금을 납부해야 합니다.
제 5 장 계약 해지 및 이용 제한
제 15 조 (계약 해지)
회원이 이용계약을 해지하고자 하는 때에는 [가입해지] 메뉴를 이용해 직접 해지해야 합니다.
제 16 조 (서비스 이용제한)
① 당 사이트는 회원이 서비스 이용내용에 있어서 본 약관 제 11조 내용을 위반하거나, 다음 각 호에 해당하는
경우 서비스 이용을 제한할 수 있습니다.
- 2년 이상 서비스를 이용한 적이 없는 경우
- 기타 정상적인 서비스 운영에 방해가 될 경우
② 상기 이용제한 규정에 따라 서비스를 이용하는 회원에게 서비스 이용에 대하여 별도 공지 없이 서비스 이용의
일시정지, 이용계약 해지 할 수 있습니다.
제 17 조 (전자우편주소 수집 금지)
회원은 전자우편주소 추출기 등을 이용하여 전자우편주소를 수집 또는 제3자에게 제공할 수 없습니다.
제 6 장 손해배상 및 기타사항
제 18 조 (손해배상)
당 사이트는 무료로 제공되는 서비스와 관련하여 회원에게 어떠한 손해가 발생하더라도 당 사이트가 고의 또는 과실로 인한 손해발생을 제외하고는 이에 대하여 책임을 부담하지 아니합니다.
제 19 조 (관할 법원)
서비스 이용으로 발생한 분쟁에 대해 소송이 제기되는 경우 민사 소송법상의 관할 법원에 제기합니다.
[부 칙]
1. (시행일) 이 약관은 2016년 9월 5일부터 적용되며, 종전 약관은 본 약관으로 대체되며, 개정된 약관의 적용일 이전 가입자도 개정된 약관의 적용을 받습니다.