The effects of various electrodeposition conditions (deposition temperature and cathode current density) on preferred orientation and microhardness of electrodeposited Ni-Sn and Sn-Zn alloys were studied. At deposition temperatures from 25$^{\circ}$ to 95$^{\circ}C$ and constant cathode current density of 270 and 530 A/$m^2$ Ni-Sn and Sn-Zn were codeposited in chloride-fluoride acid and stannate-cyanide alkaline electrolyte bath respectively. Ni-Sn alloy deposited at temperatures from 25$^{\circ}$ to 35$^{\circ}C$ was composed of single phase of $Ni_3Sn_4$ with 73 wt.% Sn and the one deposited at temperatures from 45$^{\circ}$ to 95$^{\circ}C$ was made of multiphase mixture of NiSn, $Ni_3Sn_2$ and $Ni_3Sn_4$ with nearly equiatomic composition (65.5 wt.% Sn). The random orientation of thermody-namically metastable NiSn phase (hexagonal structure) predominated at deposition temperature range 25$^{\circ}$-45$^{\circ}C$, and the strong (110) preferred orientation was found at 65$^{\circ}$-85$^{\circ}C$ and then disappeared again at 95$^{\circ}C$. The microhardness of Ni-Sn deposits increased with deposition temperature up to 85$^{\circ}C$, and then decreased at constant cathode current density. The preferred orientation and the maximum microhardness were discussed in terms of lattice contractile stress which result from desorption of hydrogen atom absorbed in deposit lattice. The Sn content of Sn-Zn alloy deposits increased with deposition temperature up to 75$^{\circ}C$, and then decreased at constant cathode current density of 530 A/$m^2$. It also decreased with cathode current density up to 530 A/$m^2$, and then increased at constant deposition temperature of 25$^{\circ}C$. Sn-Zn alloy deposits were composed of two-phase mixture of ${beta}$-Sn and Zn. The preferred orientations of ${beta}$-Sn (tetragonal structure) changed with deposition temperature. The microhardness of Sn-Zn deposits decreased with deposition temperature. It also increased with cathode density up to 530 A/$m^2$, and then decreased at constant deposition temperature of 25$^{\circ}C$. The microhardness of Sn-Zn deposits was observed to be determinded more by the Sn content than by the preferred orientation.
Chemical bath deposition 방법으로 다결정 CdS 박막을 세라믹 기판 위에 성장시킨 다음 온도를 변화시켜 열처리하고 X-선 회절무늬를 측정하여 결정구조를 밝혔다. $550^{\circ}C$로 열처리한 시료의 경우 X-선 회절무늬로부터 외삽법에 의해 $a_{o}$와 $c_{o}$는 각각 $4.1364{\AA}$과 $6.7129{\AA}$인 육방정계임을 알았다. 이 때 낱알크기는 약 $0.35{\mu}m$이었다. Van der Pauw 방법으로 Hall 효과를 측정하여 운반자 농도와 이동도의 온도의존성을 연구하였다. 이동도는 33 K에서 150 K까지는 압전산란에 의하여, 150 K에서 293 K 까지는 곽성광학산란에 의하여 감소하는 경향을 나타냈다. 광전도 셀의 특성으로 스펙트럼 응답, 감도(${\gamma}$), 최대허용소비전력 및 응답 시간을 측정하였다.
Chemical bath deposition 방법으로 다결정 CdSe 박막을 세라믹 기판 위에 성장시킨 다음 온도를 변화시켜 열처리하고 X-선 회절무늬를 측정하여 결정구조를 밝혔다. $450^{\circ}C$로 열처리한 시료가 X-선 회절무늬로 부터 외삽법에 의해 $a_{o}$와 $c_{o}$는 각각 $4.302{\AA}$과 $7.014{\AA}$인 육방정계임을 알았다. 이 때 낱알크기는 약 $0.3{\mu}m$이었다. Van der Pauw 방법으로 Hall 효과를 측정하여 운반자 농도와 이동도의 온도의존성을 연구하였다. 이동도는 33 K에서 200 K까지는 압전산란에 의하여, 200K에서 293 K까지는 극성광학산란에 의하여 감소하는 경향을 나타냈다. 광전도 셀의 특성으로 스텍트럼 응답, 감도(${\gamma}$), 최대허용소비전력 및 응답 시간을 측정하였다.
Km값 및 분광학적성질(分光學的性質)를 조사하고 아울러 이 효소(酵素)의 결정화법(結晶化法)을 검토하여 다음과 같은 결과를 얻었다. 1. 효소(酵素)의 정제(精製)과정에서 유안분별침전(硫安分別沈澱)을 한 조효소(粗酵素)를 pH6.0 및 7.0의 인산염(燐酸鹽)완충액으로 48시간 이상의 충분한 투석(透析)을 시키고 DEAE-Sephadex column chromatography에서는 11mg protein/ml DEAE-Sephadex 정도의 DEAE-Sephadex를 사용하는 것이 효과적이였다. 2. 효소(酵素)의 정제과정(精製過程)에서 이미 알려진 protamin 황산(黃酸) 처리와 Sephadex G-150의 gel여과는 생략하여도 무방하였다. 3. 효소(酵素)의 결정화(結晶化)에서는 단백질을 20mg/ml의 농도가 되게끔 2-mercaptoethanol를 함유하는 0.01M 인산(燐酸)카리 완충액에 녹여 고체유안(固體硫安) 첨가(添加)법으로 결정(結晶)시키는 것이 가장 큰 육각봉상(六角棒狀)의 결정(結晶)이 얻어졌다. 4. Pyridoxal phosphate와 결합(結合)한 holo형 ${\beta}-tyrosinase$는 340nm와 430nm의 파장(波長)에서 각각 최대흡수(最大吸收)를 나타내었다. 5. ${\beta}-tyrosinase$의 L-tyrosine에 대한 Km값은 $2.31{\times}10^{-4}M$이였으며 SDS-polyacrylamide 전기영동법(電氣泳動法)에 의한 이 효소(酵素)의 subunit의 분자량(分子量)은 약 5,000이였다.
M-type Ba-ferrite(${BaFe}_{12-2X}{Ti}_{X}{Co}_{X}{O}_{19}$)의 ${Fe}^{3+}$ 이온 대신에 A이온의 위치에는 비자성 이온인 ${Ti}^{4+}$을, Me이온은 위치에는 ${Co}^{2+}$을 치환시켜 치환량 x의 변화에 따른 결정자기이방성 감소를 관찰하고, 고주파 대역에서 전파흡수재로서 사용가능 여부를 실험하였다. 치환결과 보자력은 결정자기이방성이 감소함에 따라 급격히 감소하는 경향을 보였으며, 포화자화값은 ${Fe}^{3+}$이온 대신에 비자성인 ${Ti}^{4+}$이온이 치환됨에 따라 거의 직선적으로 감소하였다. 특히, 치환량이 1.2일 때 보자력은 185 Oe로 가장 낮았고, 포화자화는 43.5emu/g의 값을 나타내었다. 반사손실을 계산한 결가 Ti-Co 치환량 0.8일 때 2mm흡수체의 경우 10~16㎓의 대역에서 반사손실-10㏈(90%흡수)이하였으며, 감쇠능의 측정결과 12~16㎓의 대역에서 20㏈(99% 감쇠)로 12~16㎓의 고주파 대역에서 전파흡수재로 사용이 가능함을 예측할 수 있었다.
In Mn-Ge equilibrium phase diagram, many Mn-Ge intermetallic phases can be formed with difference structures and magnetic properties. The MnGe has the cubic structure and antiferromagnetic(AFM) with Neel temperature of 197 K. The calculation predicted that the $MnGe_2$ with $Al_2Cu$-type is hard to separate between the paramagnetic(PM) states and the AFM states because this compound displays PM and AFM configuration swith similar energy. Mn-doped Ge showed the FM with Currie temperature of 285 K for bulk samples and 116 K for thin films. In addition, the $Mn_5Ge_3$ compound has hexagonal structure and FM with Curie temperature around 296K. The $Mn_{11}Ge_8$ compound has the orthorhombic structure and Tc is low at 274 K and spin flopping transition is near to 140 K. While the bulk $Mn_3Ge_2$ exhibited tetragonal structure ($a=5.745{\AA}$;$c=13.89{\AA}$) with the FM near to 300K and AFM below 150K. However, amorphous $Mn_3Ge_2$ ($a-Mn_3Ge_2$) was reported to show spin glass behavior with spin-glass transition temperature (Tg) of 53 K. In addition, the transition of crystalline $Mn_3Ge_2$ shifts under high pressure. At the atmospheric pressure, $Mn_3Ge_2$ undergoes the magnetic phase transition from AFM to FM at 158 K. The pressure dependence of the phase transition in $Mn_3Ge_2$ has been determined up to 1 GPa. The transition was found to occur at 1 GPa and 155 K with dT/dP=-0.3K/0.1 GPa. Here report that Ferromagnetic $Mn_3Ge_2$ thin films were successfully grown on GaAs(001) and GaSb(001) substrates using molecular beam epitaxy. Our result revealed that the substrate facilitates to modify magnetic and electrical properties due to tensile/compressive strain effect. The spin-flopping transition around 145 K remained for samples grown on GaSb(001) while it completely disappeared for samples grown on GaAs(001). The antiferromagnetism below 145K changed to ferromagnetism and remained upto 327K. The saturation magnetization was found to be 1.32 and $0.23\;{\mu}B/Mn$ at 5 K for samples grown on GaAs(001) and GaSb(001), respectively.
Kwon, Eunhee;Kang, Eun Kyu;Min, Jung Wook;Lee, Yong Tak
한국진공학회:학술대회논문집
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한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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pp.221-221
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2013
Vertical LED (VLED) has been recognized as a way to obtain the high-power LED due to their advantages [1]. However, approximately 4% of the light generated from the active region is extracted, if the light extraction from side walls and back side is neglected because of Fresnel reflection (FR) and total internal reflection (TIR) [2,3]. In this study, the optical simulation of the VLED with the various microstructures was performed. Among them, the microlens having the diameter of 3 ${\mu}m$ and the height of 1.5 ${\mu}m$ shown the best result was chosen, and then, optimized microlens was formed on a GaN template using conventional semiconductor process. Various microstructures were proposed to improve the light extraction efficiency (LEE) of the VLED for the simulation. The LEE was simulated using LightTools based on a Monte Carlo ray tracing. The microstructures with hemisphere, cone, truncated and cylinder pattern having diameter of 3 ${\mu}m$ were employed on the top layer of the VLED respectively. The improvement of the LEE by using the microstructure is 87% for the hemisphere, 77% for the cone, 53% for the truncated, 21% for the cylinder, compared with the LEE of the flat surface at the reflectance of 85%. The LEE was increased by 88% at the height of 1.5 ${\mu}m$, compared with the LEE of the flat surface. We found that the microlens on the top layer is the most suitable for increasing the LEE. In order to apply the proposed microlens on n-GaN surface, we fabricated microlens on a GaN template. A photoresist array having hexagonal-closed packed microlens was fabricated on the GaN template. Then, optimization of etching the GaN template was performed using a dry etching process with ICP-RIE. The dry etching carried out using a gas mixture of Cl2 and Ar, each having a flow rate of 16 sccm and 10 sccm, respectively with RF power of 50 W, ICP power of 900 W and chamber pressure of 2 mTorr was the optimum etching condition as shown in Fig. 2(a).
The present study was undertaken to demonstrate the surface structure of Paragonimus westermani metacercaria in Korea with special reference to the distribution of sensory papillae. Metacercariae were isolated from crayfish, one of the second intermediate tost of P. westermani in Bogil island, Chollanam-do (Province), Korea, where has been known as an endemic area of human paragonimiasis. Isolated metacercariae were encysted and examined with light. scanning and transmission electron microscopes for morphological features. On the surface of iBetacercariae, three types of sensory FaFillae were identified. Large domed papillae ($3~5{\mu\textrm{m}}$), which were covered with wrinkled plasma n!embrane of the worm, were distributed on the oral and ventral suckers only. On the oral sucker, these large domed papillae were 12~13 in number. On the other hand large domed papillae on the ventral sucker were constantly 6 in number and hexagonal in distribution. Small domed papillae ($2~3{\mu\textrm{m}}$), of which surface was more smooth than those of large ones, were distributed symmetrically on the ventral (30~32 pairs) and dorsal surfaces (40~42 Pairs). Ciliated Papillae ($0.8~1.5{\mu\textrm{m}}$) were observed about 5~6 in number around the oral sucker and 3~5 pairs each on the ventral and dorsal surface of the body. Single Fcinted spines covered the entire surface of the body except around the excretory pore. Spines on the anterior fart of the body were 0.9~2.0${\mu\textrm{m}}$ in length and $45~55/100{\mu\textrm{m}}$2 in number, and were gradually reduced in length ($0.4~1.4{\mu\textrm{m}}$) and in nuns.her ($12~27/100{\mu\textrm{m}}$2) toward the posterior part. The body wall of p. westermoni metacercariae was consisted with anucleated syncytium layer, fibrous interstitial layer and musclar layer. In the anucleated syncytium, biconcave ($0.15~0.55{\mu\textrm{m}}$) and spherical ($0.08~0.16{\mu\textrm{m}}$) secretory granules, which were transferred from epidermal cells via protoplasmic tubules, mitochondria and rihoEorses, T-ere observed. Spines originated around the basement membrane protruded externally. Epidermal cells were consisted with a nucleus and a cytoplasm, and connected to syncytium with protoplasmic tubules. In the cytoplasm many secretory granules, mitochondria, Golgi complex, endoplasmic reticula, ribosomes and lipid droplets were observed.
산화망간이 영양소물질과 오염물질과의 반응 및 망간이 식물의 필수 미량원소 등으로 인해 토양학에서 산화망간은 중요한 연구의 대상이 되어왔다. 토양 내에서 가장 흔한 산화망간 광물중의 하나인 버네사이트를 철의 존재 하에서 합성하였다. 토양 내에서 흔한 원소의 하나인 철이 버네사이트의 결정도, 형태 및 화학적 활성에 미치는 영향을 X-선회절, 전지현미경, 양이온 교환능력 및 크롬 산화력을 이용하여 연구하였다. 침전용액내의 철의 함량이 증가할수록 버네사이트의 결정도와 입자의 크기는 감소하였다. 침전된 버네사이트는 낮은 철의 농도에서 육각 판상형이 우세하였으나 농도가 증가 할 수록 미세입자로된 입단이 증가하였다. 그리고 크롬 산화능력은 철의 농도가 증가함에 따라 증가하였다. 양이온 치환능력은 철의 농도와 상관관계가 없었다. 침전용액속의 철은 버네사이트의 결정핵의 형성을 증가시켰고 표면흡착에 의해 결정의 성장을 방해하였다. 철은 토양 망간단과 내에서 산화철과 산화망간의 공존으로 미루어 보아 토양내의 버네사이트의 작은 입자, 낮은 결정도 및 높은 화학적 활성에 기여한 것으로 사료된다. 본 연구에서 입증된 버네사이트의 높은 양이온 교환 능력과 산화력은 버네사이트를 환경과 농업에 활용 가능성이 있음을 제시해준다.
2017~2018년에 거쳐 인천 및 경기지역 뱀장어 양식장 4개소를 대상으로 질병 예찰 및 모니터링을 실시한 결과, 특징적으로 아가미울혈증상을 동반한 질병이 빈번히 발생하였다. 이 질병은 크기에 상관없이 발생하지만 입식 후 3개월 이내의 당년생 뱀장어에서 감염 빈도와 누적 폐사율이 높게 나타났다. 감염어는 새변의 중심정맥동(CVS)의 심한 울혈과 팽창, 간과 신장 조직의 출혈 등과 같은 병리조직학적 감염 특성을 보였다. 또한 아가미 혈관내피세포의 핵과 세포질에서 정이십면체 구조를 가진 직경 70 nm 전후의 바이러스 입자가 관찰되었다. PCR에 의한 분자생물학적 진단법과 유전자 분석을 통해 이 질병의 원인 병원체는 일본에서 주로 보고한 뱀장어바이러스성내피세포괴사증(VECNE)의 원인체인 JEECV로 밝혀졌다. 본 연구는 국내 뱀장어 양식장에서 JEECV 및 VECNE 감염특성을 밝힌 첫 보고이다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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