In this study, hetero-electrode structures have been fabricated to increase luminescence efficiency. The presence of a thin layer of Sn or Ag at the organic-aluminum interface enhanced both electron injection efficiency and electroluminescence when compared to OLEDs using homogeneous electrode. In this paper, the effect of the cathode using Sn/Al hetero electrode structure is observed. Electric properties of the OLED using Sn/Al hetero cathode are improved in comparison of only Al cathode. The hetero-electrode existing different energy level induces the advanced structure of OLED can accumulate electron density. The luminescence efficiency of OLED with Sn/Al of Ag/Al cathode is higher because of their higher electron injection efficiency. And, the turn on voltage of the OLED device using Sn thin layer is lowest as about 10 V.
표면전위측정 수단을 이용하여 polyethylene terephthalate의 electret 구조를 해명하는 실험을 하였다. 시료에 전극을 증착하므로서 내부의 전하생성과 감쇠를 관측하였다. electret 의 기구에는 hetero charge 와 home charge가 공존하고 있으며 model로 2전하이론을 기반으로 연구하였는데 hetero charge는 쌍극자와 내부의 이온 변위로 되고 hetero charge를 형성하는 것은 외부에서 주입된 전하라고 생각된다.
Langmuir-Blodgett (LB) films of TCNQ(tetracyanoquinodimethane) with alkyl radical($C_{12}TCNQ$) were prepared on the sample of Al/LB film/Al type where Al are electrode, and polarization in LB film and dipolar moment of molecules in the films were measured by TSC. $Al_2O_3$ layer was yielded on the electrode by natural oxidation in air. According to the cooperation of $Al_2O_3$ dielectric layer and the polarization of $C_{12}TCNQ$-LB film, the macroscopic electrical field was yielded in LB film and $Al_2O_3$ layer. The field strength in $C_{12}TCNQ$-LB films was evaluated at about $1{\times}10^6{\sim}5{\times}10^6\;V/cm$.
The basic electrochemical and photochemical behavior of ultrathin mono- and hetero-type LB film of amphiphilic Ru bipyridine complex adsorbed on ITO electrode by the Langmuir- Blodgett(LB) method as monolayer and alternating multilayer state. With theoretical equation of cyclic voltammetry for redox species, the cyclic voltammogram were simulated successfully taking account the interaction parameters. We could fit almost all measured voltammograms with k$^{\circ}$=72s$\^$-1/, ${\alpha}$$\sub$a/=0.44, ${\alpha}$$\sub$c/=0.54, $\Gamma$$\sub$T/=1.4${\times}$10$\^$-10/, k=0.015s$\^$-1/ values. The AFM images of mono and hetero type LB film surfaces on ITO were also studied.
막결합 축전식 탈염에 적용하기 위하여 불균질 이온교환막을 제조하였다. 이온교환수지 분말과 LLDPE (linear low density polyethylene) 혼합물을 압착시켜 불균질 이온교환막을 제조하였다. 제조한 막의 막 특성 분석과 MCDI 탈염실험을 실시하였다. 이온교환수지의 함량이 증가할수록 막의 전기저항은 감소하였고 함수율은 증가하였다. 그러나 막의 이온선택성을 나타내는 이온 수송수는 상업용 균질 막과 유사한 성능을 나타냈다. MCDI 탈염실험 결과 탈염량은 불균질 막의 높은 전기저항으로 인해 균질 막을 이용한 셀의 탈염량의 90% 수준을 나타냈다. 불균질 이온교환막은 균질 막에 비해 탈염성능은 다소 감소하였지만 제조가 간편하고 가격이 저렴하여 MCDI에 적용이 가능할 것으로 판단되었다.
Hetero-junction sheet actuator composed of carbon nanotubes and $V_{2}O_5$ nanowires were demonstrated in a bimetal configuration. The successive filtration of $V_{2}O_5$ nanowire solution followed by carbon nanotube dispersed water solution in the same way produced a dark-gray colored sheet. A significant actuation was observed in sodium chloride electrolyte solution with a bending direction to the carbon nanotube side at the positive bias voltage against the copper counter-electrode. As the frequency of the applied voltage increased, the amplitudes decreased, indicating a rather slow response of the hetero-film actuator in the electrolyte solution. The hybrid structure enabled an easy fabrication of the film actuator with the enhanced efficiencies.
The electron charging and degradation of anode phosphor layers are showed major problems in high electric field with anode electrode of field emission devices. An AI metal layer on the phosphor layer may get rid of these problems. This Hetero-metal-oxide phosphor layer are formed with the roughness of phosphor surface layer without interlayer and cannot be given rise to enhance the luminance efficiency. In order to enhance the brightness, an anode layer need to be flated between phosphor layer and AI metal layer in anode electrode. After optimizing the anode phosphor layer, an anode layer with AI metal and inter layer increased the brightness and luminescence efficiency 1.2 times more than only phosphor laver in anode.
Transparent and conducting aluminum-doped ZnO electrodes were fabricated by atomic layer deposition methods. The electrode showed the lowest resistivity of $5.73{\times}10^{-4}{\Omega}cm$ at a 2.5% cyclic layer deposition ratio of Trimethyl-aluminum and Diethyl-zinc chemicals. The electrodes showed minimum resistivity when deposited at a temperature of $225^{\circ}C$. The electrode also showed optical transmittance of about 92% at 300 nm. An organic solar cell made with a 300-nm-thick aluminum-doped ZnO electrode exhibited 2.0% power conversion efficiency.
In the region of high temperature, a very appreciable short-circuit current Is was observed from M1(A1)-P(PET)-M2(Cu) system sandwitched with hetero metals without applying external field. The short-circuit current Is is greatly dependent on electrode material and it has been certified by measuring open-circuit voltage. From these experimental results, we can see that Is is due to electro-chemical action in M-P interface. In this electro-chemical reaction,the generation reaction and the solution reacftion of the oxidies from electrode are probably co-exist and the measured values of the open-circuit voltage was almost correspond to those calculated from Nernst equation.
In this study, we applied the low temperature curing Ag paste to replace PVD System. The electrode formation of low temperature curing Ag paste for silicon Hetero-junction solar cells is important for improving device characteristics such as adhesion, contact resistance, fill factor and conversion efficiency. The low temperature curing Ag paste is composed various additives such as solvent, various organic materials, polymer, and binder. it depends on the curing temperature conditions. The adhesion of the low temperature curing Ag paste was decided by scratch test. The specific contact resistance was measured using the transmission line method. All of the Ag electrodes were experimented at various curing temperatures within the temperature range of $160^{\circ}C-240^{\circ}C$, at $20^{\circ}C$ intervals. The curing time was also changed by varying the conditions of 10-50min. In the optimum curing temperature $200^{\circ}C$ and for 20 min, the measured contact resistance is $19.61m{\Omega}cm^2$. Over temperature $240^{\circ}C$, confirmed bad contact characteristic. We obtained photovoltaic parameter of the industrial size such as Fill Factor (FF), current density (Jsc), open-circuit voltage (Voc) and convert efficiency of up to 76.2%, 38.1 mA/cm2, 646 mV and 18.3%, respectively.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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