• 마이크로전자및패키징학회지
• /
• 제13권1호통권38호
• /
• pp.1-5
• /
• 2006

반도체 메모리 소자의 스피드 향상을 위해 저저항 배선층을 채용하는 방안으로 70 nm-두께의 아몰퍼스실리콘과 폴리실리콘 기판부에 $TiSi_2$ 타켓으로 각각 80 nm 두께의 TiSix 복합실리콘을 스퍼터링으로 증착한 후 RTA $800^{\circ}C$-20sec 조건으로 실리사이드화 처리하고 사진식각법으로 선폭 $0.5{\mu}m$의 배선층을 만들었다. 배선층에 대해 다시 각각 $750^{\circ}C-3hr,\;850^{\circ}C-3hr$의 부가적인 안정화 열처리를 실시하였으며, 이때의 면저항의 변화는 four-point probe로 실리사이드층의 미세구조와 수직단면 두께 변화를 주사전자현미경과 투과전자현미경으로 관찰하였다. 아몰퍼스실리콘 기판인 경우 후속열처리에 따른 결정화 진행과 함께 급격한 면저항의 증가가 확인되었고, 이 원인은 결정화 과정에서 실리콘과 복합티타늄실리사이드 층과의 상호확산으로 표면 공공(void)을 형성한 것으로 미세구조 관찰에서 확인되었다. 따라서 복합티타늄실리사이드의 하지층의 종류와 열처리 조건을 바꾸어 저저항 또는 고저항 실리사이드를 조절하여 제작하는 것이 가능하여 복합 $TiSi_2$를 저저항 배선층 재료로 채용할 수 있음을 확인하였다.

• 전기전자학회논문지
• /
• 제17권1호
• /
• pp.71-76
• /
• 2013

본 연구에서는 AlGaN/GaN HEMT (High electron mobility transistor)를 제작하고 채널폭의 감소에 따른 특성의 변화를 고찰하였다. AlGaN/GaN 이종접합구조 기반의 기판 위에 채널의 길이는 $1{\mu}m$, 채널 폭은 각각 $0.5{\sim}9{\mu}m$가 되도록 전자선 리소그라피 방법으로 트랜지스터를 제작하였다. 게이트를 형성하지 않은 상태에서 채널의 면저항을 측정한 결과 sub-${\mu}m$ 크기로 채널폭이 작아짐에 따라 채널의 면저항이 급격히 증가하였으며, 트랜지스터의 문턱전압은 $1.6{\mu}m$와 $9{\mu}m$의 채널폭에서 -2.85 V 이었으며 $0.9{\mu}m$의 채널폭에서 50 mV의 변화, $0.5{\mu}m$에서는 350 mV로 더욱 큰 변화를 보였다. 트랜스컨덕턴스는 250 mS/mm 내외의 값으로부터 sub-${\mu}m$ 채널에서 150 mS/mm로 채널폭에 따라 감소하였다. 또한, 게이트의 역방향 누설전류는 채널폭에 따라 감소하였으나 sub-${\mu}m$ 크기에서는 감소가 둔화되었는데 채널폭이 작아짐에 따라 나타는 이와 같은 일련의 현상들은 AlGaN 층의 strain 감소로 인한 압전분극 감소가 원인이 되는 것으로 사료된다.

• 한국정보전자통신기술학회논문지
• /
• 제13권1호
• /
• pp.64-71
• /
• 2020

전력 반도체 소자의 게이트 구동 칩의 아날로그 회로를 트리밍하기 위해서는 eFuse OTP IP가 필요하다. 기존의 NMOS 다이오드 형태의 eFuse OTP 셀은 셀 사이즈가 작은 반면 DNW(Deep N-Well) 마스크가 한 장 더 필요로 하는 단점이 있다. 본 논문에서는 CMOS 공정에서 추가 공정이 필요 없으면서 셀 사이즈가 작은 PMOS-다이오드 형태의 eFuse OTP 셀을 제안하였다. 본 논문에서 제안된 PMOS-다이오드 형태의 eFuse OTP 셀은 N-WELL 안에 형성된 PMOS 트랜지스터와 기억소자인 eFuse 링크로 구성되어 있으며, PMOS 트랜지스터에서 기생적으로 만들어지는 pn 접합 다이오드를 이용하였다. 그리고 PMOS-다이오드 형태의 eFuse 셀 어레이를 구동하기 위한 코어 구동회로를 제안하였으며, SPICE 모의실험 결과 제안된 코어 회로를 사용하여 61㏀의 post-program 저항을 센싱하였다. 한편 0.13㎛ BCD 공정을 이용하여 설계된 PMOS-다이오드 형태의 eFuse OTP 셀과 512b eFuse OTP IP의 레이아웃 사이즈는 각각 3.475㎛ × 4.21㎛ (=14.62975㎛2)과 119.315㎛ × 341.95㎛ (=0.0408㎟)이며, 웨이퍼 레벨에서 테스트한 결과 정상적으로 프로그램 되는 것을 확인하였다.

• 한국정보통신학회논문지
• /
• 제12권7호
• /
• pp.1227-1234
• /
• 2008

본 논문에서는 자동차 전장용 Power IC, 디스플레이 구동 칩, CMOS 이미지 센서 등의 응용분야에서 필요로 하는 동기식 256-bit OTP(one-time programmable) 메모리를 설계하였다. 동기식 256-bit OTP 메모리의 셀은 고전압 차단 트랜지스터 없이 안티퓨즈인 NMOS 커패시터와 액세스 트랜지스터로 구성되어 있다. 기존의 3종류의 전원 전압을 사용하는 대신 로직 전원 전압인 VDD(=1.5V)와 외부 프로그램 전압인 VPPE(=5.5V)를 사용하므로 부가적인 차단 트랜지스터의 게이트 바이어스 전압 회로를 제거하였다. 그리고 프로그램시 전류 제한 없이 전압 구동을 하는 경우 안티퓨즈의 ON 저항 값과 공정 변동에 따라 프로그램 할 셀의 부하 전류가 증가한다. 그러므로 프로그램 전압은 VPP 전원 선에서의 저항성 전압 감소로 인해 상대적으로 증가하는 문제가 있다. 그래서 본 논문에서는 전압 구동 대신 전류 구동방식을 사용하여 OTP 셀을 프로그램 할 때 일정한 부하전류가 흐르게 한다. 그래서 웨이퍼 측정 결과 VPPE 전압은 5.9V에서 5.5V로 0.4V 정도 낮출 수 있도록 하였다. 또한 기존의 전류 감지 증폭기 대신 Clocked 인버터를 사용한 감지 증폭기를 사용하여 회로를 단순화시켰다. 동기식 256-bit OTP IP는 매그나칩 반도체 $0.13{\mu}m$ 공정을 이용하여 설계하였으며, 레이아웃 면적은 $298.4{\times}3.14{\mu}m2$이다.

• 한국산림과학회지
• /
• 제29권1호
• /
• pp.20-53
• /
• 1976

주요(主要) 조경수목(造景樹木)의 $SO_2$에 대(對)한 감수성(感受性) 및 저항성(抵抗性)을 구명(究明)하여서 우수(優秀)한 조경수종(造景樹種) 및 대기오염(大氣汚染) 정화수종(淨化樹種)을 선발(選拔)하는데 있어서의 학리적(學理的) 근거(根據)를 얻을 목적(目的)으로 가스 접촉시험(接觸試驗)과 아울러 공기오염도(空氣汚染度)가 극심(極甚)한 서울시내(市內) 각처소(各處所)에서 생육(生育)하고 있는 주요(主要) 가로수(街路樹)에 대(對)하여 계절(季節)에 따른 엽내(葉內) S함량(含量)의 증가현상(增加現象)을 조사(調査)하여 공기중(空氣中) 아황산(亞黃酸)가스에 대(對)한 내성(耐性)과 가스흡수(吸收)에 의(依)한 공기정화능력(空氣淨化能力)에 대(對)하여 연구(硏究)한 결과(結果) 다음과 같은 결론(結論)을 얻었다. 1. 아황산(亞黃酸)가스 접촉(接觸)에 대(對)한 수종별(樹種別) 감수성(感受性) 1) 공시수종(供試樹種) 범위(範圍)에 있어서 피해엽(被害葉) 연반면적(煙斑面積)의 크기를 기준(基準)으로 한 아황산(亞黃酸)가스 접촉(接觸)에 대(對)한 내성순위(耐性順位)는 대체(大體)로 무궁화, 은행나무, 개나리, 수수꽃다리, 일본(日本)잎갈나무, 리기다소나무의 순위(順位)이며 특(特)히 무궁화와 은행나무는 아황산(亞黃酸)가스에 대(對)하여 강(强)하고 리기다소나무와 일본잎갈나무는 약(弱)하며 수수꽃다리와 개나리는 그 중간(中間)에 속한다. 2) 엽중(葉中) 유황함량(硫黃含量)은 접촉(接觸)가스의 농도증가(濃度增加)에 따라서 증가(增加)하며 수종별(樹種別)로는 침엽수종(針葉樹種)이 활엽수종(濶葉樹種)에 비(比)해서 함량(含量)이 적은 경향(傾向)이나 침엽수종중(針葉樹種中)에서도 은행나무는 그 함량(含量)이 활엽수(濶葉樹)와 비등(比等)하게 높다. 3) 수목(樹木)의 생장초기엽(生長初期葉)(6월접촉(月接觸))은 1ppm을 한계(限界)로 하는 각농도(各濃度)에서 모든 수종(樹種)에서 엽내(葉內) S함량(含量)이 가스농도(濃度)에 정비례적(正比例的)인 증가경향(增加傾向)을 보이나 농도간(濃度間)의 격차(隔差)는 그리 크지 않았다. 4) 생장후기엽(生長後期葉)(10월(月) 접촉(接觸))은 모든 수종(樹種)에서 전체적(全體的)으로 생장초기엽(生長初期葉)보다 엽내(葉內) S함량(含量)이 많아지며 또한 각농도(各濃度)에 있어서 모든 수종(樹種)의 엽내(葉內) S함량(含量)의 농도(濃度)에 따른 격차(隔差)가 심(甚)한 동시에 가스농도(濃度)에 따라서 정비례적(正比例的)인 증가(增加)를 보이지 않고 S흡수농도(吸收濃度)에 한계(限界)가 있음을 나타낸다. 즉(即) 활엽수종(濶葉樹種)인 수수꽃다리, 무궁화, 개나리의 S흡수한계농도(吸收限界濃度)는 0.6mg/L부근이다. 따라서 S흡수한계농도(吸收限界濃度) 구명(究明)에는 성숙엽(成熟葉)을 재료(材料)로 사용(使用)함이 가(可)함을 말해준다. 5) 무궁화, 수수꽃다리, 개나리는 부정아(不定芽) 발생(發生)에 의(依)한 맹아재생력(萠芽再生力)이 강(强)해서 전체엽(全體葉)이 피해(被害)를 받아도 회복(回復)되는 힘이 강(强)하다. 6) 연반(煙斑)의 색조(色調)는 수종(樹種)에 따라 상이(相異)하며 은행나무는 선명(鮮明)한 황갈색(黃褐色), 무궁화는 백색(白色), 수수꽃다리는 오갈색(汚褐色), 리기다소나무는 선명(鮮明)한 황갈색(黃褐色) 또는 적갈색(赤葛色)을 보인다. 7) 엽부위별(葉部位別) 감수성(感受性)은 엽록(葉緣)이 감수성(感受性) 부위(部位)였고 주맥(主脈)의 부착점(附着點)의 엽신부(葉身部) 즉(即) 엽저부분(葉底部分)이 현저(顯著)한 내성(耐性)을 띠운다. 또한 은행나무와 일본잎갈나무에 있어서는 신엽(新葉)이 성숙엽(成熟葉)(2년생엽(年生葉))에 비(比)해서 내성(耐性)이 더 강(强)하다. 2. 서울시내(市內) 각처소(各處所)의 조경수목(造景樹木)의 엽내유황(葉內硫黃) 함량(含量)과 대기오염(大氣汚染) 1)서울시내(市內) 각처소(各處所)의 조경수목(造景樹木)의 엽내(葉內) 유황함량(硫黃含量)은 비오염지(非汚染地)의 대조엽(對照葉)에 비(比)하여 보다 현저(顯著)히 큰 수치(數値)를 나타내며 각(各) 수종(樹種)의 유황(硫黃) 흡수능(吸收能)은 그 대조수목(對照樹木)의 비오염지(非汚染地)에서의 엽내(葉內) 유황함유도(硫黃含有度)에 비례(比例)하여 크며 능수버들, 은행나무, 가중나무, 양버즘나무, 미류나무등(等)이 그 흡수능(吸收能)이 높았다. 2) 엽중(葉中) 유황함량(硫黃含量)의 순위(順位)를 종합(綜合)하면 함량(含量)이 가장 많은 처소(處所)가 서울역전(驛前), 아현동(阿峴洞)고개, 이화여대(梨花女大) 입구(入口)등이며, 동숭동(東崇洞), 동대문(東大門), 을지로(乙支路) 입구(入口), 서대문(西大門)등이 그 중간(中間)이며 덕수궁(德壽宮), 경복궁(景福宮), 창덕궁(昌德宮), 창경원(昌慶苑), 혜화동(惠化洞) 로타리 등이 가장 적은 처소(處所)이다.