• Steel and Composite Structures
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• 제47권3호
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• pp.315-337
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• 2023

The steel structure is an assembly of individual structural members joined together by connections. The connections are the focal point to transfer the forces which is susceptible to damage easily. It is challenging to replace the affected connection parts after an earthquake. Hence, steel plates are utilised as a structural fuse that absorbs connection forces and fails first. The objective of the present research is to develop a beam-column end plate connection with single and dual fuse and study the effect of single fuse, dual fuse and combined action of fuse and damper. In this research, seismic resilient beam-column end plate connection is developed in the form of structural fuse. The novel connection consists of one main fuse was placed horizontally and secondary fuse was placed vertically over main fuse. The specimens are fabricated with the variation in number of fuse (single and dual) and position of fuse (beam flange top and bottom). From the fabricated ten specimens five specimens were loaded monotonically and five cyclically. The experimental results are compared with Finite Element Analysis results of Arunkumar and Umamaheswari (2022). The results are critically assessed in the aspect of moment-rotation behaviour, strain in connection components, connection stiffness, energy dissipation characteristics and ductility. While comparing the performance of total five specimens, the connection with fuse exhibited superior performance than the conventional connection. An equation is proposed for the moment of resistance of end-plate connection without and with structural fuse.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제19권3호
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• pp.21-30
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• 2012

Technology trend and application of laser fuse, anti-fuse, and eFUSE as well as the structure, programming mechanism, and reliability of eFUSE have been reviewed. In order to ensure eFUSE reliability in the field, a sensing circuit trip point consistent with the fuse resistance distribution, process variation, and device degradation in the circuit such as hot carrier or NBTI, as well as fuse resistance reliability must be considered to optimize and define a reliable fuse programming window.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제20권2호
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• pp.317-326
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• 2016

본 논문에서는 OTP (One-Time Programmable) IP (Intellectual Property)의 개발비용을 절감하고 개발 기간을 단축하기 위해 로직 트랜지스터만 이용한 로직 eFuse (electrical Fuse) OTP IP를 설계하였다. 웨이퍼 테스트 시 테스트 장비에서 FSOURCE 패드를 통해 VDD (=1.5V)보다 높은 2.4V의 외부 프로그램 전압을 eFuse OTP IP에만 공급하므로 eFuse OTP 이외의 다른 IP에는 소자의 신뢰성에 영향을 미치지 않으면서 eFuse OTP cell의 eFuse 링크에 높은 전압을 인가하도록 하였다. 한편 본 논문에서는 128행 ${\times}$ 8열의 2D (Dimensional) 메모리 어레이에 직접 FSOURCE 전압을 인가하여 eFuse에 인가되는 프로그램 파워를 증가시키면서 디코딩 로직 회로를 저면적으로 구현한 eFuse OTP 셀을 제안하였다. 동부하이텍 $0.11{\mu}m$ CIS 공정을 이용하여 설계된 1Kb eFuse OTP 메모리 IP의 레이아웃 면적은 $295.595{\mu}m{\times}455.873{\mu}m$ ($=0.134mm^2$)이다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2011년도 춘계학술대회
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• pp.687-691
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• 2011

본 논문에서는 아날로그 트리밍용으로 사용되는 $0.18{\mu}m$ generic 공정 기반의 EM(Electro-Migration)과 eFuse의 저항 변동을 고려한 8bit eFuse OTP (One-Time Programmable) 메모리를 설계하였다. eFuse OTP 메모리는 eFuse에 인가되는 program power를 증가시키기 위해 external program voltage를 사용하였으며, 프로그램되지 않은 cell에 흐르는 read current를 낮추기 위해 RWL (Read Word-Line) activation 이전에 BL을 VSS로 precharging하는 방식과 read NMOS transistor를 최적화 설계하였다. 그리고 프로그램된 eFuse 저항의 변동을 고려한 variable pull-up load를 갖는 sensing margin test 회로를 설계하였다. 한편 eFuse link의 length를 split하여 eFuse OTP의 프로그램 수율 (program yield)을 높였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2008년도 제39회 하계학술대회
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• pp.741-743
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• 2008

본 논문에서는 초고압 송전선의 조상설비나 안전도가 요구되는 변전설비 등에서 역률 개선용으로 사용되는 전력용 콘덴서의 Fuse를 설계하기 위해 Fuse 용단시험을 통해서 구한 Fuse 설계 데이터를 제시하고자 한다. 그리고, 제시한 데이터를 이용하여 주어진 사양의 전력용 콘덴서에 대하여 요구되는 실제 Fuse를 선정하여 적용하고 시제품을 제작하여 Fuse 동작시험을 실시한 결과를 제시하고자 한다.

• 한국정보전자통신기술학회논문지
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• 제10권2호
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• pp.168-175
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• 2017

본 논문에서는 PMIC 칩에 사용되는 BCD 공정기반에서 5V NMOS 트랜지스터와 기억소자인 eFuse 링크로 구성된 저면적의 5V NMOS-Diode eFuse OTP 셀을 제안하였다. 그리고 eFuse OTP 메모리 IP가 넓은 동작전압 영역을 갖도록 하기 위해서 VREF 회로와 BL S/A 회로의 풀-업 부하 회로에 기존의 VDD 파워 대신 voltage regulation된 V2V ($=2.0V{\pm}10%$)의 전압을 사용하였다. 제안된 VREF 회로와 BL S/A회로를 사용하므로 eFuse OTP IP의 normal read 모드와 program-verify-read 모드에서 프로그램 된 eFuse 센싱 저항은 각각 $15.9k{\Omega}$, $32.9k{\Omega}$으로 모의실험 되었다. 그리고 eFuse OTP 셀에서 blowing되지 않은 eFuse를 통해 흐르는 읽기 전류를 $97.7{\mu}A$로 억제하였다. 그래서 eFuse OTP 셀의 unblown된 eFuse 링크가 unblown 상태를 그대로 유지되도록 하였다. 동부하이텍 130nm BCD 공정을 이용하여 설계된 1kb eFuse OTP 메모리 IP의 레이아웃 면적은 $168.39{\mu}m{\times}479.45{\mu}m(=0.08mm^2)$이다.

• 한국정보전자통신기술학회논문지
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• 제16권6호
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• pp.509-518
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• 2023

본 논문에서는 아날로그 회로 트리밍과 Calibration 등에 필요한 4Kb Poly-Fuse OTP IP를 설계하였다. NMOS Select 트랜지스터와 Poly-Fuse 링크로 구성된 Poly-Fuse OTP 셀의 BL 저항을 줄이기 위해 BL은 Metal 2와 Metal 3를 stack하였다. 그리고 BL 라우팅 저항을 줄이기 위해 4Kb 셀은 64행 × 32열 Sub-block 셀 어레이 2개로 나뉘었으며, BL 구동회로는 Top과 Bottom으로 나누어진 2Kb Sub-block 셀 어레이의 가운데에 위치하고 있다. 한편 본 논문에서는 1 Select 트랜지스터에 1 Poly-Fuse 링크를 사용하는 OTP 셀에 맞게 코어회로를 제안하였다. 그리고 OTP IP 개발 초기 단계에서 프로그램되지 않은 Poly-Fuse의 저항이 5kΩ까지 나올수 있는 경우까지를 고려한 데이터 센싱 회로를 제안하였다. 또한 Read 모드에서 프로그램되지 않은 Poly-Fuse 링크를 통해 흐르는 전류를 138㎂ 이하로 제한하였다. DB HiTek 90nm CMOS 공정으로 설계된 Poly-Fuse OTP 셀 사이즈는 11.43㎛ × 2.88㎛ (=32.9184㎛2)이고, 4Kb Poly-Fuse OTP IP 사이즈는 432.442㎛ × 524.6㎛ (=0.227mm²)이다.

• 전자공학회논문지 IE
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• 제47권4호
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• pp.28-33
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• 2010

본 연구에서는 Fuse의 캡 tinning 후 불량선별 공정을 자동화하기 위한 알고리즘을 설계하였다. 퓨즈 제조공정에서 퓨즈의 캡에 납을 삽입하는 것을 tinning 공정이라 한다. Tinning 후 불량선별을 하는 공정에서 기존에는 사랑의 육안에 의해 검사 하였으나, 본 연구에서는 CCD 카메라를 이용하여 불량을 검사 하는 알고리즘을 설계 하였다. 검사 알고리즘은 캡의 내부를 촬영한 후 촬영된 이미지를 영상처리 과정을 거쳐서, 캡 내부의 납의 분포도를 검사하고 기준값과 비교하여 불량을 선별하도록 하였다.

• 항공우주기술
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• 제11권1호
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• pp.1-6
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• 2012

인공위성의 전력 시스템을 보호하기 위해서 퓨즈나 LCL (Latching Current Limiter) 등을 부하와 전원 공급 장치 사이에 연결한다. 본 논문에서는 인공위성에서 장착되는 퓨즈의 용량 선정 기법에 대해 논하였다. 퓨즈 용량 선정 방법에 대해 기술하였고, 병렬 (Parallel) 퓨즈 연결 방식을 수학식으로도 단일 (Single) 퓨즈 연결 방식으로 나타낼 수 있음을 보였다. 또한, 퓨즈에 연결되는 부하의 정확한 전류 특성이 알려지지 않은 상태에서 적절한 퓨즈 선정 기법을 새롭게 제시하였다.

• 한국안전학회지
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• 제28권5호
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• pp.15-20
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• 2013

This paper dealt with melting characteristics of low-voltage miniature cartridge fuse used for 220 V electronic equipment. The experimental sample is low-voltage miniature cartridge fuse with rating of 250 V(3A) and size of $5{\times}20$ mm. In order to evaluate melting and scattering characteristics of the fuse, we applied to 8/20 ${\mu}s$ surge current, overload current and external thermal stress such as flame of fire. From the experimental results, the fuse element was melted and scattered by applied surge current(above 0.79 kA) and overload current(above 4.5 A). It was also attached to the inner surface of the fuse tube. The fuse element was attached as a thin film on inner surface of fuse tube when large surge current was applied. It was confirmed, however, the fuse element was not changed by external thermal stress such as flame and hot-air.