Silicon carbide porous materials used for hot gas filters were prepared using oxide binder. Chamotte, frit and H3PO4 were starting materials to synthesize the oxide binder for high temperature-use. Room temperature bending strength of the silicon carbide porous body was increased with increasing firing temprature or with the amount of the content of frit in the oxide binder. However, in the oxidebinder fired above132$0^{\circ}C$, cristobalite form of AlPO4 phase which undergoes rapid inversion became more prominent with increasing firing time. the average pore size of the silicon carbide filter materials was found to be about one third of the average grain size of the silicon carbide powder used in this study.
The carbon nanotube emitters for field emission displays were fabricated by screen printing techniques. The pastes for screen printing are composed of organic binders, carbon nanotubes, and some additive materials. Then the pastes were printed on Cr-coated/Ag-printed soda-lime glass substrates. From the I-V characteristics, the turn-on field of SWNT was lower than that of MWNT. The decrease in the mesh size of screen masks resulted in decreasing the turn-on field and increasing the electron emission current. When the carbon nanotubes were mixed with glass frit, glass frit appeared to contribute to the vertically aligning of carbon nanotubes on glass.
An attempt was made to study wetting behavior of various low temperature molten frist on ceramic substrates including high alumina silicon carbide and porous fired clay plates by Sessile-drop method. The cosine values of contact angles between substrates and molten frist were linear as a function of temperature unless chemical reactions between substrate and molten frit occured. Addition of BaO to frit composition indicated that cosine of values of contact angles were gradually increased with increasing temperature but in the frist contained $Li_2O$ consine values were abruptly increased with increasing temperature after reached a certain temperature. The contact angle increased with increasing roughness of the substrate surface in case of alumina substrate plate.
Glass ceramics for crown were prepared by adding 3$\sim$11 wt% TiO2 to the weight percent composition of 34.7 CaO, 27.8 SiO2, 18.3P2O5, 12.6MgO and 6.6 TiO2. The starting glasses were prepared by melting the powdered batch in alumina crucible at 1350$\sim$1400 for 1 hr and then quenching into a distilled water. The nucleation and crystallization of the crystalline glass ceramics for crown were studied by DTA, SME and X-ray diffraction analysis. Frit containing 9.11 wt% TiO2 had crystallization temperature of 850$\sim$1075 and major crystalline phase was identified by X-ray diffraction as diopside(CaO-MgO-2SiO2). Activation energies for the crystallization processes were obtained from DTA by varing rates for the fits, and were calculated from modified Ozawa and Kissinger equations. Activation energy for the crystallization processes of the S-4 frit was 489.6 KJ/mol.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.25
no.3
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pp.236-240
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2012
Limiting thermal exposure time using rapid thermal processing(RTP) has emerged as promising simplified process for manufacturing of solar cell in a continuous way. This paper reports the simplification of co-firing using RTP. Actual temperature profile for co-firing after screen printing is a key issue for high-quality metal-semiconductor contact. The plateau time during the firing process were varied at $450^{\circ}C$ for 10~16 sec. Glass frit in Ag paste etch anti-reflection layer with plateau time. Glass frit in Ag paste is important for the Ag/Si contact formation and performances of crystalline Si solar cell. We achieved 17.14% efficiency with optimum conditions.
SiC had been widely applied for mechanical sealing as a sealing material. SiC sintering is commonly made of reaction sintering, presureless sintering, and hot isostatic pressing (HIP) sintering. In this investigation, however, clay bonded sintering was used to avoide any complications of the special sintering methods as mentioned above. In order to prevent harmful SiC oxidation in the clay bonded sintering, clay and frit were used to form the SiC oxidation protecting layer and graphite was added to provide high solid lubricity. As a result, the material with 6% clay (clay 5.4% and frit 0.6%) and 2~4% graphite (45 mesh) sintered at 140$0^{\circ}C$ for 3 hours, showed the following physical properties; porosity 6%, static friction coefficient 0.15, kinematic coefficient 0.1,. and specific wear rate 4.8$\times$10-8 $\textrm{mm}^2$kgf-1. On the other hand, the flexural strength was 900kgf/$\textrm{cm}^2$. This tribological characteristic properties were similar to those of the reaction sintered SiC except the flexural strength.
Lee, Hansol;Lee, Choon Yeob;Hwang, Jae Kwun;Chung, Woon Jin
Journal of the Korean Ceramic Society
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v.54
no.5
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pp.400-405
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2017
$P_2O_5-ZnO-SiO_2-R_2O$ glasses were synthesized as a sealing material for large scale dye-sensitized solar cells (DSSC). Compositional effects of $P_2O_5$ and ZnO were examined by varying their contents. Their viscosity and glass stability at sintering temperatures of less than $550^{\circ}C$ were examined by flow button test. Glass transition temperature and structural change upon compositional change were investigated. Chemical stability against electrolyte was also examined by immersing the glasses in the electrolyte for 72 h at $85^{\circ}C$.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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1999.11a
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pp.256-259
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1999
The purpose of this study is to develop the material for multiayer piezoelectric ceramic transformer because multiayer piezoelectric transformer must need low sintering temperature. So that PMN-PSN-PZT family ceramics were added with glass brit(SiO$_2$$.$ PbO). The dielectric and piezoelectric properties were increased with increasing it until the amounts of additive 0.8wt%. Sintering temperature were low about 100[$^{\circ}C$]. Accordingly, This material could be used to multiayer piezoelectric transformer .
The objective of this study was to investigate the sintering behavior, crystallization characteristic of glass-ceramic and optimal sintering condition on the glass/ceramic composite for fabricating substrate of LTCC. Glass/ceramic composite was made from alumina powder and glass frit, which was composed of SiO2-TiO2-RO-PbO/(R: Ba, Sr, Ca), and was sintered for 0, 30, 60minutes in the temperature range from 700$^{\circ}C$ to 1000$^{\circ}C$. Properties of frit and glass/ceramic compsoite were analyzed by DTA, XRD, SEM and Network Analyzer and so on. Main sintering mechanism was densification occurred above 730$^{\circ}C$ by viscous flow and crystallization starting about 780$^{\circ}C$ affected sintering also. So viscous flow was affected by sintering temperature, duration time, and creation of crystallization phase etc. From this study, it was possible to fabricate glass/ceramic composite by changing sintering temperature and duration time.
온도보상용 적층 칩 캐패시터 제작에 있어 다음과 같은 실험 결과를 얻을 수 있었다. 적층 칩 캐패시터의 제작에 있어 용량은 재료자제의 유전율과 압력 조건에 따라 변화함을 볼 수 있으며 설계시 이를 고려해야 한다. 또한, 외부 전극의 경우 glss frit 선정이 중요한 변수임을 확인하였으며 $T_s$에 따라 glass frit을 선정하여야하며 열충격 및 소결성 향상을 위한 glass을 동시에 적용하는 것이 유리함을 확인하였다. Ni 내부전극 적용시의 고주파 특성을 검토한 결과 Pd 전극과는 유사한 경향을 보이나 Ag-Pd에 비해서는 우수한 손실특성을 보여주고 있다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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