Free-standing multilayer distributed Bragg reflectors (DBR) porous silicon dielectric mirrors, prepared by electrochemical etching of crystalline silicon using square wave currents are treated with polystyrene to produce flexible, stable composite materials in which the porous silicon matrix is covered with caffeine-impregnated polystyrene. Optically encoded DBR PSi/polystyrene composite films retain the optical reflectivity. Optical characteristics of DBR PSi/polystyrene composite films are stable and robust for 2 hrs in a pH=7 aqueous buffer solution. The appearance of caffeine and change of DBR peak were simultaneously measured by UV-vis spectrometer and Ocean optics 2000 spectrometer, respectively.
Flexible copper clad laminates (FCCL) fabricated by sputtering has advantages in fine pitch etching and dimensional accuracy than previous casting or laminating type FCCL, But its lower adhesion is inevitable technical challenge to solve for commercializing it. Chromium (Cr) which strongly reacts with O moiety was used as tie-coating layer in order to improve low adhesion between copper (Cu) and polyimide (PI). Sputtering raw polyimide (SRPI) and casting raw polyimide (CRPI) were used as substrates at this research. PI was pretreated by plasma before sputtering, and each sample was varied with RF power and Cr thickness on sputtering. Peel strength of the FCCL on SRPI was higher than that on CRPI. Adhesion had maximum value when 10 nm of Cr was deposited on SRPI by RF power of 50 W. It seems to be by the formation of Cu-Cr-O solid solution at the metal-PI interface.
Methylene blue(MB) was photocatalytically degraded with one-body photoanode and solar simulator to investigate the possible application to both environmental purification and photoelectrochemical cell for hydrogen production. Photoactive titanium dioxide was formed on both sides of Ti plate following steps such as rinsing-annealing-calcination or anodizing(20 V, 30 V)-annealing($350^{\circ}C$, $450^{\circ}C)$ after etching. The prepared titania plate($2cm{\times}2\;cm$, ca 1.6 mg $TiO_2$ on the basis of $1\;{\mu}m$ thickness) was used to degrade MB(10 ppm in 200 mL solution). The reaction tended to follow the Langmuir-Hinshelwood kinetics with zero order. Comparative experiments with Degussa P25 showed the same zero order kinetics when 2 mg of P25 had been used, while the first order kinetics when 200 mg used. This concludes the feasibility of the prepared titania plate as a material for the purification of low-level harmful organics and an electrode or a membrane for photoelectrochemical system for hydrogen production.
The authors derived the criteria on the process parameters of laser depositions with metal powers(SUS316L & IN718) by evaluating the surface and cross-section properties of the deposition layers. The surface characteristics of the deposition layer are investigated through optical microscopy by controlling the process parameters of laser output, powder feeding rate and gas feeding rate. The cross-section characteristics were also analyzed after polishing and chemical etching process. As the gas feeding rate increased, the amount of powder loss increased and the difference in the dilution ratio and heat affected zone depending on laser outputs was observed. In addition, the powder feeding rate used in the experiment did not interfere with the energy absorption of the base material.
The relationship between the diffusivity and electrochemical characteristics of lithium secondary battery with the modified Si anode material prepared in HF/$AgNO_3$ solution was investigated. The crystallographic structure and images of the modified porous Si and modified Si/Cu was examined using the X-ray diffraction, BET and SEM. To examine the effect of metal composite and pore size distribution according to chemical etching on the electrochemical characterization, the electrodes for half cells were prepared with the modified Si, modified Si/Cu, and modified Si/Cu annealed with $600^{\circ}C$. Our results showed that the chemical diffusivity of lithium ions was related to structure and resistance of Si/Cu composite anode material. The lithium diffusivity in modified silicon compound calculated from the CV was at the range of $1{\times}10^{-12}$ to $9{\times}10^{-16}cm^2/s$. The effects of modified silicon structure and resistance on the cycling efficiency were significant.
구리와 강철의 성질을 혼합한 것과 같은 우수한 성질을 갖고 있어서 열전도율이 좋고 내마모성이 뛰어난 베릴륨동 기판(BeCu foil)에 대한 식각 특성에 관하여 연구하였다. 일반적으로 베결륨구리에 대한 식각용액은 염화제이철($FeCl_3$)이 널리 알려져 있으며, 이 용액은 농도와 온도에 따라 식각시간이 달라지게 되어 식각되는 면의 상태가 영향을 받게 된다. 염화제이철의 농도를 변화시켜 본 결과 염화제이철의 농도가 증가할수록 식각률이 증가하였고, 염화제이철에 염산(HCI)을 첨가한 결과 식각률이 증가함을 알 수 있었다. 이는 염화제이철의 성분 중에서 염산(HCl)의 농도가 식각률에 영향을 미치고 있음을 나타낸다. 또한 염화제이철의 온도가 $40^{\circ}C$일때 식각률이 가장 우수하며 식각되는 면의 상태가 매우 양호해지고 각각 되는 면의 각도도 수직에 가까워진다.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제3권1호
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pp.4-8
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2002
The typical mold method for FED (field emission display) fabrication is used to form a gate electrode, a gate oxide layer, and emitter tip after fabrication of a mold shape using wet-etching of Si substrate. However, in this study, new mold method using a side wall space structure was developed to make sharp emitter tips with the gate electrode. In new method, gate oxide layer and gate electrode layer were deposited on a Si wafer by LPCVD (low pressure chemical vapor deposition), and then BPSG (Boro phosphor silicate glass) thin film was deposited. After then, the BPSG thin film was flowed into the mold at high temperature in order to form a sharp mold structure. TiN was deposited as an emitter tip on it. The unfinished device was bonded to a glass substrate by anodic bonding techniques. The Si wafer was etched from backside by KOH-deionized water solution. Finally, the sharp field emitter array with gate electrode on the glass substrate was formed.
In this study, five different specimen preparation methods were introduced and their advantages and disadvantages were presented. One of them, an epoxy mounting method has advantages of constant exposure area, ease of surface preparation without touching the specimen surface during polishing or cleaning, use of small amount of material and ease of specimen reuse by polishing or etching. However, in order to eliminate unexpected errors resulting from preferable reaction at the specimen/epoxy interface and contact resistance between the specimen and copper conducting line for electrical connection, it is recommended to cover the wall side of the specimen with porous anodic oxide films and to remain the contact resistance lower than 1 ohm. The increased contact resistance between the specimen and Cu conducting line appeared to result in increases of anodizing voltage and solution temperature during anodizing by which thickness and hardness of anodizing film on Al2024 alloy were drastically decreased and color of the films became more brightened.
Hafnium oxide ($HfO_2$) was very advantageous for substitute material of gate on existing transistor. $HfO_2$ has been widely studied due to high contact with polysilicon and thermal stability and also, it is easily etched by using HF solution. In this study, $HfO_2$ and thermal oxide films were etched by wet etch method using chemical etchant. Etch rate of $HfO_2$ and thermal oxide was linearly increased with increasing concentration of HF and temperature but etch rate of $HfO_2$ was higher than thermal oxide due to $H^+$, $F^-$, and $HF_2^-$ ions at below 0.5% concentration of HF. And also, etch selectivity was improved by adding Hydrazine as additive.
ZnO film has been investigated during several decades because it has excellent optical property like a transmittance among the range of visible light for using transparent conducting oxide (TCO) films. But ZnO film has not enough conductivity for applying to TCO devices. Therefore we synthesized platinum nanoparticles and they incorporated into ZnO due to improve the electrical property of ZnO film by sol-gel synthesis method. Also, we fabricated photosensitive ZnO thin film containing Pt nanoparticles by sol-gel process and spin-coating for using photochemical solution deposition. Photosensitive ZnO film could carry out the direct-pattern which allow the etching process to be convenient. The optical and electrical properties of ZnO film with or without various atomic percent of Pt nanoparticles annealed at various temperatures were investigated by using UV-Vis spectroscopy and 4-point probe method, respectively. We characterized the ZnO thin film containing Pt nanoparticles using X-ray diffraction, scanning electron microscopy, and X-ray photoelectron spectroscopy.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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