• 대한치과교정학회지
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• 제38권6호
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• pp.416-426
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• 2008

본 연구는 비글견에 식립된 sandblasted, large grit and acid-etched (SLA) 표면처리된 교정용 마이크로임플랜트와 평활면 마이크로임플랜트에 교정력을 가한 후 시간 경과에 따른 동요도와 골접촉률의 차이를 규명하기 위해 시행되었다. 비글 성견 네 마리를 이용하여 상, 하악 협측과 구개측 골에 대해 SLA 표면처리된 표면처리군 48개, 평활면의 비처리군 48개의 마이크로임 플랜트 96개를 식립하고 2주의 치유기간 후 교정력(150 - 200 g)을 지속적 으로 가했으며 식립 4주 후에 두 마리를 희생시키고, 12주 후에 나머지 2마리를 희생시켰다. 표면처리군과 비처리군 간의 마이크로 임플랜트의 동요도와 골과 임플랜트 간 접촉률을 조직학적인 측면에서 측정 비교하여 다음과 같은 결과를 얻었다. 상악 협측과 구개측에서는 표면처리군과 미처리군의 동요도에서 유의성 있는 차이가 없었으나 하악협측에서는 표면 처리군이 유의하게 안정적인 동요도를 보였다. 마이크로임플랜트와 인접골 간 접촉률은 상악 협측에서는 4주와 12주 모두 표면처리군과 미처리군 간에 유의 한 차이가 없었으나 하악 협측과 구개측의 경우 4주와 12주 모두 표면처리군이 비처리군에 비해 유의하게 높은 접촉률을 보였다. 표면처리군은 비처리군에 비해 임플랜트 주변에서 활발한 골개조가 관찰되었으며 모든 군에서 이물반응은 관찰되지 않았다. 본 연구를 통해 SLA 표면처리된 마이크로임플랜트는 평활면 마이크로임플랜트에 비하여 식립 초기에는 식립 부위에 따라 유의하게 높은 인접골 간 접촉률과 동요도의 안정성을 보임으로써 다양한 크기와 방향의 교정력의 적용이 가능할 것이라 생각한다.

• Restorative Dentistry and Endodontics
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• 제20권2호
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• pp.699-720
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• 1995

본 연구는 양이온 계면활성효과를 가져 소독제로 사용되고 있는 benzalkonium chloride 수용액을 상아질 표면에 대한 습윤용 처리제로 적용시킬 경우 상아질접착제의 접착성능에 미치는 영향을 관찰하기 위해 시행되었다. 소의 하악전치 80개를 8개군으로 분류하여 순면의 상아질을 노출시켜서 산처리한 후 물로 습윤 상태를 유지시킨 대조군과 0.1%, 0.5% 및 1% 농도의 benzalkonium chloride 수용액으로 습윤시킨 실험군으로 나누어 NTG-GMA/BPDM계 상아질접착제인 All-bond 2와 DSDM 계 상아질접착제인 Aelitebond를 각각 접착시킨 후 접착시험을 시행하였다. 상아질 표면을 10% 인산수용액으로 처리한 후 습윤과정을 거친 시편을 각 접착시스템의 primer와 bonding resin을 도포하고 Aelitefil 복합레진으로 접 착시 킨후 항온조에서 24시간 방치한 뒤 인장접착강도를 측정하고, 상아질표면 및 파단면의 양상을 주사전자 현미경으로 관찰하였으며 FT-IR을 사용하여 전처리 전후의 상아질 표면을 분석하여 다음의 결과를 얻었다. 1. NTG-GMA/BPDM 계 상아질접착제 (All-bond 2)로 접착시킨 경우 물로 습윤시킨 대조군에 비해 0.1 % benzalkonium chloride 수용액으로 습윤시킨 군에서 유의하게 높은 인장접착강도를 보였으나(p<0.05), 0.5% 및 1.0 % benzalkonium chloride 수용액으로 습윤시킨 군에서는 유의한 차이가 나타나지 않았다. 2. DSDM계 상아질접착제 (Aelitebond) 로 접착시킨 경우 물로 습윤시킨 대조군과 0.1 %, 0.5% 및 1.0 % benzalkonium chloride 수용액으로 습융시킨 군 간의 인장접착강도의 유의한 차이는 없었다(p>0.05). 3. Benzalkonium chloride 수용액의 적용과 관계 없이 전체적으로 NTG-GMA/ BPDM계 상아질접착제로 접착시킨 경우가 DSDM계 상아질접착제로 접착시킨 경우보다 인장접착강도가 높았으며, 파단양상의 관찰결과에서도 NTG-GMA /BPDM계 상아질접착제를 사용한 경우는 응집성 및 혼합성 파단양상이, DSDM 계 상아질접착제를 사용한 경우는 부착성 파단양상이 우세하였다. 4. 주사전자 현미경적 관찰상에서 benzalkonium chloride 수용액 적용 유무에 따른 각 상아질 표면의 primer 도포양상의 뚜렷한 차이는 관찰되지 않았으나, 상아질 표면에 대한 benzalkonium chloride 수용액 적용 전후의 FT-IR 분석결과 에서는 0.1 % benzalkonium chloride 수용액으로 습윤 처리 시킨 군이 대조군에 비해 NTG-GMA/ BPDM 및 DSDM primer의 도포효과를 다소 향상시킨 소견이었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 추계학술대회 논문집
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• pp.278-278
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• 2009

A photovoltaic device consisting of arrays of radial p-n junction wires enables a decoupling of the requirements for light absorption and carrier extraction into orthogonal spatial directions. Each individual p-n junction wire in the cell is long in the direction of incident light, allowing for effective light absorption, but thin in orthogonal direction, allowing for effective carrier collection. To fabricate radial p-n junction solar cells, p or n-type vertical Si wire cores need to be produced. The majority of Si wires are produced by the vapor-liquid-solid (VLS) method. But contamination of the Si wires by metallic impurities such as Au, which is used for metal catalyst in the VLS technique, results in reduction of conversion efficiency of solar cells. To overcome impurity issue, top-down methods like noble metal catalytic etching is an excellent candidate. We used noble metal catalytic etching methods to make Si wire arrays. The used noble metal is two; Au and Pt. The method is noble metal deposition on photolithographycally defined Si surface by sputtering and then etching in various BOE and $H_2O_2$ solutions. The Si substrates were p-type ($10{\sim}20ohm{\cdot}cm$). The areas that noble metal was not deposited due to photo resist covering were not etched in noble metal catalytic etching. The Si wires of several tens of ${\mu}m$ in height were formed in uncovered areas by photo resist. The side surface of Si wires was very rough. When the distance of Si wires is longer than diameter of that Si nanowires are formed between Si wires. Theses Si nanowires can be removed by immersing the specimen in KOH solution. The optimum noble metal thickness exists for Si wires fabrication. The thicker or the thinner noble metal than the optimum thickness could not show well defined Si wire arrays. The solution composition observed in the highest etching rate was BOE(16.3ml)/$H_2O_2$(0.44M) in Au assisted chemical etching method. The morphology difference was compared between Au and Pt metal assisted chemical etching. The efficiencies of radial p-n junction solar Cells made of the Si wire arrays were also measured.

• 대한소아치과학회지
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• 제45권3호
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• pp.290-298
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• 2018

이 연구는 유전치 비와동성 우식 병소에 레진침투법을 시행할 때 sodium hypochlorite(NaOCl) 제단백 후 phosphoric acid($H_3PO_4$) 산부식 처리에 따른 법랑질 표면구조 및 레진 침투깊이 변화를 알아보았다. 90개의 발치된 비와동성 병소의 유전치를 전처리에 따라 5개 군으로 나누었다 : I군 hydrochloric acid(HCl) 2분; II군 NaOCl 1분, $H_3PO_4$ 1분; III군 NaOCl 2분, $H_3PO_4$ 1분; IV군 NaOCl 1분, $H_3PO_4$ 2분; V군 NaOCl 2분, $H_3PO_4$ 2분. 그 중 15개는 전계방사주사전자현미경을 통해 표면을 관찰하였고, 75개는 레진침투 후 공초점레이저주사현미경을 통해 병소 깊이와 레진 침투깊이를 측정하여 레진 침투도를 도출했다. NaOCl 적용 시간이 길어질수록 법랑질 산부식 I, II형 비율이 증가하였다. 레진 침투도는 V군이 II, III군에 비해 통계학적으로 유의하게 높았고(p < 0.05), IV, V군은 유의할 만한 차이가 없었다. 레진침투법은 유전치 초기 우식 병소의 치료로 사용될 수 있으며, 전처리 제로 15% HCl 산부식 대신 5.25% NaOCl 제단백 후 35% $H_3PO_4$ 산부식이 대안으로 고려될 수 있다.

• 한국세라믹학회지
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• 제41권10호
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• pp.728-734
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• 2004

평균입자크기가 서로 다른 WC-Co계 모재위에 고온 열처리법과 화학적 에칭방법을 이용하여 다이아몬드 막을 코팅하고 압흔법을 통해 그 접착력(adhesion strength)을 평가하였다. $1450^{\circ}C$의 고온 열처리 방법에 의해 준비된 WC-Co 시편표면에서는 WC 입자가 성장하였으며, 그 결과 20$\mu$m 이상의 다이아몬드 막이 증착된 경우에도 100kg의 하중에서도 우수한 접착력이 얻어졌다. 그러나, 모재 표면입자의 과도한 입성장으로 시편 인선부에는 변형이 발생하였으며, 증착된 다이아몬드 막은 거친 표면조도를 보였다. 이와 비교하여, 화학적 부식의 경우에는 submicron 크기의 WC 입자를 제외하고, 2$\mu$m 이상의 WC 입자를 가지는 모재를 이용하여 10$\mu$m의 다이아몬드 코팅막을 증착시킨 경우에는, 60kg의 하중에서도 양호한 접착력이 유지되었다 특히, WC 입자가 클수록 접착력의 신뢰성이 대폭 향상되었다. 이는 수 $\mu$m 이내의 비교적 얇은 두께의 다이아몬드 막을 증착하는 경우 화학적 에칭방법이 시편 형상의 변형을 방지하고, 양호한 표면조도를 얻을 수 있어 고온 열처리 방식에 비해 효과적임을 의미한다.

• 전기화학회지
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• 제5권3호
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• pp.111-116
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• 2002

묽은 불산용액에서 Si(111) 산화막 (SiOx) 표면을 전기화학적으로 에칭할 때 생성되는 Si(111)-H 표면변화를 전기화학적 주사터널링현미경을 사용하여 조사하였다. pH가 4.7인 0.2M $NH_4F$ 용액에서 순환전압전류곡선은 순환 횟수가 증가할수록 양극 암전류가 감소하였고 두 번 이상 순환한 시료의 암전류는 일정한 형태의 전압전류곡선을 나타냈다. 이때 표면은 모든 SiOx층이 벗겨져 수소말단화된 구조를 가졌으며, 그 이후 순환에서는 생성된 Si(111)-H 표면의 이중 수소결합이 없어지는 step-flow반응이 일어나, 표면이 단일수소결합을 가지는 [112]모서리의 안정한 삼각형 모양을 나타냈으며 또한 생성된 삼각형 흠의 깊이가 점차 깊어졌다. 일정전압법에서는 초기에 큰 양극 암전류 최고 값을 나타낸 후, 시간에 따라 양극 암전류가 감소하였다. 양극 암전류 최고 값 후. 표면의 모든 SiOx가 벗겨졌으며 이후 양극 암전류는 작은 값을 띠면 조금씩 더 낮아졌다. 이 낮아지는 양극 암전류 역시 이중수소 결합의 step-How반응에 안정한 단일수소결합의 [112]모서리 생성에 의해 나타난다. pH 4.7인 0.2M $NH_4F$용액중의 Si(111)-H표면에 +0.4V를 가할 때 진행되는 에칭반응의 메커니즘에 관해서 논하였다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 1999년도 추계학술발표회 초록집
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• pp.49-49
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• 1999

In this study, $Cl_2/BCI_3$ magnetized inductively coupled plasmas (MICP) were used to etch GaN and the effects of magnetic confinements of inductively coupled plasmas on the GaN etch characteristics were investigated as a function of $Cl_2/BCI_3$. Also, the effects of Kr addition to the magnetized $Cl_2/BCI_3$ plasmas on the GaN etch rates were investigated. The characteristics of the plasmas were estimated using a Langmuir probe and quadrupole ma~s spectrometry (QMS). Etched GaN profiles were observed using scanning electron microscopy (SEM). The small addition of $Cl_2/BCI_3$ (10-20%) in $Cl_2$ increased GaN etch rates for both with and without the magnetic confinements. The application of magnetic confinements to the $Cl_2/BCI_3$ inductively coupled plasmas (ICP) increased GaN etch rates and changed the $Cl_2/BCI_3$ gas composition of the peak GaN etch rate from 10% $BCI_3$ to 20% $BCI_3$. It also increased the etch selectivity over photoresist, while slightly reducing the selectivity over $Si0_2$. The application of the magnetic field significantly increased positive $BCI_2{\;}^+$ measured by QMS and total ion saturation current measured by the Langmuir probe. Other species such as CI, BCI, and CI+ were increased while species such as $BCl_2$ and $BCI_3$ were decreased with the application of the magnetic field. Therefore, it appears that the increase of GaN etch rate in our experiment is related to the increased dissociative ionization of $BCI_3$ by the application of the magnetic field. The addition of 10% Kr in an optimized $Cl_2/BCI_3$ condition (80% $Cl_2/$ 20% $BCI_3$) with the magnets increased the GaN etch rate about 60%. More anisotropic GaN etch profile was obtained with the application of the magnetic field and a vertical GaN etch profile could be obtained with the addition of 10% Kr in an optimized $Cl_2/BCI_3$ condition with the magnets.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2012년도 춘계학술발표대회
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• pp.81.2-81.2
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• 2012

To fabricate a metal mold for injection molding, hot-embossing and imprinting process, mechanical machining, electro discharge machining (EDM), electrochemical machining (ECM), laser process and wet etching ($FeCl_3$ process) have been widely used. However it is hard to get precise structure with these processes. Electrochemical etching has been also employed to fabricate a micro structure in metal mold. A through mask electrochemical micro machining (TMEMM) is one of the electrochemical etching processes which can obtain finely precise structure. In this process, many parameters such as current density, process time, temperature of electrolyte and distance between electrodes should be controlled. Therefore, it is difficult to predict the result because it has low reliability and reproducibility. To improve it, we investigated this process numerically and experimentally. To search the relation between processing parameters and the results, we used finite element simulation and the commercial finite element method (FEM) software ANSYS was used to analyze the electric field. In this study, it was supposed that the anodic dissolution process is predicted depending on the current density which is one of major parameters with finite element method. In experiment, we used stainless steel (SS304) substrate with various sized square and circular array patterns as an anode and copper (Cu) plate as a cathode. A mixture of $H_2SO_4$, $H_3PO_4$ and DIW was used as an electrolyte. After electrochemical etching process, we compared the results of experiment and simulation. As a result, we got the current distribution in the electrolyte and line profile of current density of the patterns from simulation. And etching profile and surface morphologies were characterized by 3D-profiler(${\mu}$-surf, Nanofocus, Germany) and FE-SEM(S-4800, Hitachi, Japan) measurement. From comparison of these data, it was confirmed that current distribution and line profile of the patterns from simulation are similar to surface morphology and etching profile of the sample from the process, respectively. Then we concluded that current density is more concentrated at the edge of pattern and the depth of etched area is proportional to current density.

• Journal of Periodontal and Implant Science
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• 제27권3호
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• pp.469-478
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• 1997

The purpose of this study was to evaluate the structural change of root surface and the occlusion of dentinal tubule following $CO_2$ laser treatment. Seven extracted healthy human premolar werw curetted, sectioned, and four specimens were randomly assigned to each of 6 different treatment groups : 1) untreated EDTA etched control: 2) root plande only: 3) $CO_2$ laser treated with 2W mode 6(10msec/pulse, 20pps) for 1 minute: 4) $CO_2$ laser treated with 2W mode 6(lOmsec/pulse, 20pps) for 2 minutes: 5) $CO_2$ laser treated with 2W mode 7(20msec/pulse, 20pps) for 1 minute: 6) $CO_2$ laser treated with 2W mode 7(20msec/pulse, 20pps) for 2 minutes. Following the prescribed treatment, the specimens were prepared for SEM evaluation. Results showed that $CO_2$ laser may be effective to occlude dentinal tubules tor dentin sensitivity treatment. The effect of dentinal tubule occlusion was enhanced with increasing the total energy level lased to specimen regardless of lasing mode. The structural changes of root surfaces were restricted to superficies, and these changes included fissuring, charring, crater formation over the smooth lava like texture. The charring and crater formation implying root damage was observed in the case of the longer duration of a pulse. The results of the present study suggests that the pulsed $CO_2$ laser with shorter pulse duration and longer exposure time can be used effectively in order to obtain the optimal dentinal tubule occlusion with minimal root damage.

• Journal of Periodontal and Implant Science
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• 제37권2호
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• pp.165-180
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• 2007

Dental Implants have been proved to be successful prosthetic modality in edentulous patients for 10 years. However, there are few reports on the survival of implant according to location in molar regions. The purpose of this study was to evaluate the $4{\sim}5$ years' cumulative survival rate and the cause of failure of dental implants in different locations for maxillary and mandibular molars. Among the implants placed in molar regions in Gwangju Mir Dental Hospital from Jan. 2001 to Jun. 2002, 473 implants from 166 patients(age range; $26{\sim}75$) were followed and evaluated retrospectively for the causes of failure. We included 417 implants in 126 periodontally compromised patients, 56 implants in 40 periodontal healthy patients, and 205 maxillary and 268 mandibular molar implants. Implant survival rates by various subject factors, surgical factors, fixture factors, and prosthetic factors at each location were compared using Chi-square test and Kaplan-Meier cumulative survival analysis was done for follow-up(FU) periods. The overall failure rate at 5 years was 1O.2%(subject level) and 5.5%(implant level). The overall survival rates of implants during the FU periods were 94.5% with 91.3% in maxillary first molar, 91.1% in maxillary second molar, 99.2% in mandibular first molar and 94,8% in mandibular second molar regions. The survival rates differed significantly between both jaws and among different implant locations(p<0.05), whereas the survival rates of functionally loaded implants were similar in different locations. The survival rates were not different according to gender, age, previous periodontal status, surgery stage, bone graft type, or the prosthetic type. The overall survival rate was low in dental implant of too wide diameter(${\geq}5.75$ mm) and the survival rate was significantly lower for wider implant diameter(p