• 제목/요약/키워드: electronic scrap

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폐전기전자기기(廢電氣電子機器) 스크랩으로부터 귀금속(貴金屬) 및 유가금속(有價金屬) 회수(回收)를 위한 건식공정(乾式工程) 기술(技術) 현황(現況) (Current Status on the Pyrometallurgical Process for Recovering Precious and Valuable Metals from Waste Electrical and Electronic Equipment(WEEE) Scrap)

  • 김병수;이재천;정진기
    • 자원리싸이클링
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    • 제18권4호
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    • pp.14-23
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    • 2009
  • 각종 전기전자제품의 제조과정 또는 사용 후 해체 과정에서 배출되는 폐전기전자기기(WEEE) 스크랩으로부터 금, 은, 팔라듐등 귀금속과 구리, 주석, 니켈등 유가금속의 회수는 금속 재활용측면뿐만 아니라 환경 유해물질 저감의 측면에서도 매우 중요하다. 일반적으로 WEEE 스크랩은 여러 종류의 금속과 합금뿐만 아니라 내화 산화물과 플라스틱 성분 등으로 구성된 복합물질이다. WEEE 스크랩에 함유된 귀금속과 유가금속은 가스휘발공정, 건식공정 또는 습식공정으로 회수될 수 있다. 그러나 가스휘발공정과 습식공정은 아직 기초연구단계에 머물고 있는 실정으로, 현재 WEEE 스크랩으로부터 금, 은, 팔라듐 및 구리 등을 회수하기위한 상업적인 플랜트의 대부분은 건식공정으로 이루어지고 있다. 따라서 본 논문에서는 WEEE 스크랩으로부터 귀금속 및 유가금속을 회수하는 건식공정에 대하여 소개하고, 폐동슬래그를 슬래그 형성제로 활용하여 WEEE 스크랩으로부터 귀금속 및 유가금속을 회수하기 위한 규모 확대 실험에 대한 결과를 제시한다.

함(含)루테늄 스크랩으로부터 질산침출(窒酸浸出)에 의한 불순물(不純物) 제거(除去) (Removal of impurities from the rutenium containing scraps by nitric acid leaching)

  • 안재우;정동화;서재성;이기웅;이강명;이재훈
    • 자원리싸이클링
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    • 제18권5호
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    • pp.26-36
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    • 2009
  • 폐스크랩으로부터 Ru을 회수하기 위한 전처리 공정으로 질산을 침출제로 사용하여 Pb, Ba, Zn, Al, Bi, Ag Fe, Co, Zr, Si 등의 침출 거동을 고찰하고, 이들 성분들을 제거 할 수 있는 최적조건을 도출하고자 하였다. 실험결과 고액농도 250 g/L에서 10-15% 질산 용액으로 약 90%의 Pb를 침출시켜 제거할 수 있었다. 또한 Ba의 경우도 Pb와 유사한 침출 거동을 나타내었으며, 기타 금속원소들 중 Zn, Al, Bi, Ag, Fe, Co, Zr은 질산농도 증가에 따라 침출율이 증가하나 질산농도가 10% 이상에서는 침출율이 거의 일정하였다. 한편, Ru의 경우는 약 100 ppm 이하로 침출율이 미미하였고, 질산침출 후 잔사중에 Ru이 50%이상으로 농축됨을 알 수 있었다.

국내 구리 함유 폐자원의 재활용 상용화 기술 및 연구동향 분석 (Analysis of Commercial Recycling Technology and Research Trend for Waste Cu Scrap in Korea)

  • 강이승;안혜란;강홍윤;이찬기
    • 자원리싸이클링
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    • 제28권1호
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    • pp.3-14
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    • 2019
  • 구리는 뛰어난 전기전도성 및 열전달 특성으로 인해 많은 전자기기 및 건축 부품에 활용되고 있고 니켈 등 다른 도금의 밑 도금으로 사용되는 등 현대 산업에서 필수적으로 사용되는 소재이다. 뿐만 아니라 차세대 산업군에서 배선, 센서, 데이터 장비의 사용량과 중요도가 더욱 커지면서 그 활용도가 더욱 커질 것으로 예상됨에도 불구하고 유럽발 경제위기, 중국 경제 저성장 기조, 트럼프 대통령의 공공 산업설비 투자 공약 등에 따라 가격이 급동하는 추세를 보여 안정적인 수급 확보 및 자원관리에 어려움을 겪는 실정이다. 국내 구리 사용량의 거의 대부분을 전기동을 이용하여 사용하기 때문에 본 연구에서는 상용화 되고 있는 구리 재활용 기술과 연구 단계에 머물고 있는 구리 재활용 기술을 구분하여 각각의 기술적 수준을 파악하였다. 이를 통해 각 공정별 특징과 향후 기술개발이 요구되는 분야를 고찰해 보고자 하였다.

破壤檢査詩의 最小費용 샘플링 檢査方式 (A minimum cost sampling inspection plan for destructive testing)

  • 趙星九;裵道善
    • Journal of the Korean Statistical Society
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    • 제7권1호
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    • pp.27-43
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    • 1978
  • This paper deals with the problem of obtaining a minimum cost acceptance sampling plan for destructive testing. The cost model is constructed under the assumption that the sampling procedure takes the following form; 1) lots rejected on the first sample are acreened with a non-destructive testing, 2) the screening is assumed to be imperfect, and therefore, after the screening, a second sample is taken to determine whether to accept the lot of to scrap it. The usual sampling procedures for destructive testing can be regarded as special cases of the above one. Utilizing Hald's Bayesian approach, procedures for finding the global optimal sampling plans are given. However, when the lot size is large, the global plan is very different to obtain even with the aid of an electronic computer. Therefore a method of finding suboptimal plan is suggested. An example with uniform prior is also given.

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폐 리튬이온 배터리 양극으로부터 유기산을 이용한 코발트 회수 (Recovery of Cobalt from Waste Cathode Active Material Using Organic Acid)

  • 문지훈;안지은;김현종;손성호;이헌우;김한성
    • 응용화학
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    • 제16권1호
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    • pp.73-76
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    • 2012
  • Due to the developments of communications equipment and electronic devices, lithium ion secondary battery usage is growing. Along with demand increasing, the amount of scrap has been steadily increasing. In this study, method of cobalt recovery using organic eco-friendly is proposed. Sulfuric acid, Malic acid, Citric acid at reflux device had good cobalt leaching efficiency. And Sulfuric acid, Malic acid at the autoclave increased cobalt leaching efficiency.

금속도금공정에서의 최적 모수 값 결정 (Optimum Parameter Values for A Metal Plating Process)

  • 김영진;홍성훈;이민구;권혁무
    • 대한산업공학회지
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    • 제34권3호
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    • pp.337-343
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    • 2008
  • The problem of determining the optimum metal plating thicknesses on the plane and curved surfaces of an electronic part is considered. A lower specification limit for the plating thickness is usually pre-specified. In most applications, the plating thickness on the curved surface is proportional to that on the plane surface. The proportion can be adjusted by adding chemical catalysts to the plating fluid. From the economic point of view, nonconforming items with a thickness smaller than the lower specification limit incur rejection costs, such as rework and scrap costs, while a thicker plating may incur an excessive material costs. In this article, an economic model is proposed for simultaneously determining the target plating thickness and the ratio of the plating thickness on the plane surface to that on the curved surface. An illustrative example demonstrates the applicability of the proposed model.

NOVA System을 이용한 CMP Automation에 관한 연구 (The Study for the CMP Automation with Nova Measurement System)

  • 김상용;정헌상;박민우;김창일;장의구
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2001년도 추계학술대회 논문집 Vol.14 No.1
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    • pp.176-180
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    • 2001
  • There are several factors causing re-work in CMP process such as improper polish time calculation by operator. removal rate decline of the polisher, unstable in-suit pad conditioning, slurry supply module problem and wafer carrier rotation inconsistancy. And conclusively those fundimental reason for the re-work rate increasement is mainly from the cycle time delay between wafer polish and post measurement. Therefore, Wafer thickness measurement in wet condition could be able to remove those improper process conditions which may happen during the process in comparison with the conventional dried wafer measurement system and it can be able to reduce the CMP process cycle time. CMP scrap reduction by overpolish, re-work rate reduction, thickness control efficiency also can be easily achieved. CMP Equipment manufacturer also trying to develop integrated system which has multi-head & platen, cleaner, pre & post thickness measure and even control the polish time from the calculated removal rate of each polishing head by software. CMP re-work problem such as over & under polish by target thickness may result in the cycle time delay. By reducing those inefficient factors during the process and establish of the automatic process control, CLC system need to be adopted to maximize the process performance. Wafer to Wafer Polish Time Feed Back Control by measuring the wafer right after the polish shorten the polish time calculation for the next wafer and it lead to the perfact Post CMP target thickness control capability. By Monitoring all of the processed the wafer, CMP process will also be stabilize itself.

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