• 한국산학기술학회논문지
• /
• 제21권1호
• /
• pp.20-27
• /
• 2020

일반적으로 비선형 시스템은 1차와 2차 시스템의 곱의 형태로 선형화되며, 시스템은 실근, 중근, 서로 다른 두 실근, 복소근의 4종류의 근을 가진다. 이 논문은 시스템이 가지는 4가지 근 중에서 조단블록을 갖는 중근을 복소근으로 이동시키는 LQ 제어의 가중행렬과 제어법칙을 설계하는 방법에 관한 것이다. 상태가중행렬을 제한 조건으로 하고 성능지수함수를 최소화하는 LQ 제어는 시스템의 안정성을 보장하고 시스템의 근을 이동시키는 극배치 기능을 가지고 있다. 그렇지만 이 방법은 시행착오 방법으로 설계 변수인 가중행렬을 설정하고, 이동되는 근의 위치를 정확히 지정할 수 없는 문제가 있다. 이 문제를 해결하기 위해 해밀토니안 시스템의 특성방정식을 대각행렬의 제어가중행렬과 삼각함수로 표현된 상태가중행렬을 이용하여 기술한다. 이동할 복소근이 이 특성방정식의 근이라는 조건에서 중근과 상태가중행렬의 관계식(𝜌, 𝜃)을 유도하고 상태가중행렬이 양의 반한정행렬이라는 조건에서 중근의 이동범위를 구하고, 좌표평면에 도시한다. 그려진 중근의 이동범위에서 복소근을 선택하여 관계식에 대입하여 상태가중행렬을 계산하고, 이것에서 제어법칙이 구한다. 예제에서 3차 시스템의 중근을 이동시키는 제어법칙의 설계과정을 통해 제안한 방법의 타당성을 확인하였다.

• 한국항행학회논문지
• /
• 제21권5호
• /
• pp.423-427
• /
• 2017

IMO에서 승인된 e-navigation 전략 이행계획은 e-navigation 도입을 가시화 하였다. 아울러 ITU에서 추진한 GMDSS(global maritime distress and safety system) 현대화를 위한 일정도 NCSR 4차 회의에서 확정되었다. 이에 따라 e-navigation 서비스를 지원할 수 있는 통신 시스템에 대한 제반 요구사항을 반영하여 기존의 통신 시스템에 대한 보완과 차후 도입될 새로운 통신 시스템에 대한 요구조건을 제시하고자 한다. e-navigation 서비스 지원을 위한 통신방식은 기본적으로 IP 기반의 데이터 통신을 제공할 수 있어야 하지만 중 단파 주파수 대역에서는 협대역 특성 때문에 인터넷 서비스는 어렵고, 간단한 단문 서비스나 e-mail과 같은 데이터 통신 서비스는 가능할 뿐이다. 또한 기존의 GMDSS 위성통신 서비스 기관이 확장되어 새로운 서비스가 제공가능하게 됨에 따라 IP기반의 데이터통신 서비스는 가능하지만, 값 비싼 통신비용의 문제로 생기는 서비스 제한은 VSAT 서비스를 도입하여 해결할 수 있을 것이다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
• /
• pp.289.1-289.1
• /
• 2014

In this study, we made a organic thin film device in MIS(Metal-Insulator-Semiconductor) structure by using PVP (Poly vinyl phenol) as a insulating layer, and CdSe/ZnS nano particles which have a core/shell structure inside. We dissolved PVP and PMF in PGMEA, organic solvent, then formed a thin film through a spin coating. After that, it was cross-linked by annealing for 1 hour in a vacuum oven at $185^{\circ}C$. We operated FTIR measurement to check this, and discovered the amount of absorption reduced in the wave-length region near 3400 cm-1, so could observe decrease of -OH. Boonton7200 was used to measure a C-V relationship to confirm a properties of the nano particles, and as a result, the width of the memory window increased when device including nano particles. Additionally, we used HP4145B in order to make sure the electrical characteristics of the organic thin film device and analyzed a conduction mechanism of the device by measuring I-V relationship. When the voltage was low, FNT occurred chiefly, but as the voltage increased, Schottky Emission occurred mainly. We synthesized CdSe/ZnS and to confirm this, took a picture of Si substrate including nano particles with SEM. Spherical quantum dots were properly made. Due to this study, we realized there is high possibility of application of next generation memory device using organic thin film device and nano particles, and we expect more researches about this issue would be done.

• 전기의세계
• /
• 제23권2호
• /
• pp.55-61
• /
• 1974

Nature of magnetic creep phenomena in low coercive force films(Ni 80%-Fe 20%) in form of narrow channels imbedded in high coercive force films is studied in this work. Aluminium is evaporated on the hot glass substrate and eched free in the shape of narrow channels by photoetoetching method. then, Permalloy(Ni 80%, Fe 20%) is deposited on these Aluminium substrate under the uniform field of 30(Oe) to introduce anisotropy. Permalloy film on Al has a high coercive force and one on the substrate devoid of Al has how coercive force. Magnetic revers domain which is introduced at the end of channel grows under the a.c field in hard axis direction, in spite of very weak d.c field in easy axis direction. This creeping is investigated as a function of external fields and channel widths. Permalloy film thickness is 500.angs.-900.angs. and channel widths are 40, 51, 65, 81, 115.mu. respectively. Creeping increases as external field increases while it decreases with channel width decrease. Creep velocity in channels depends on the a.c field along hard axis, d.c field along easy axis and channel widths and its range is 1-10cm/sec in this experiment. From study of dependence of creep velocity on channel width, it can be concluded that creep velocity is expressed in form of v=v$_{0}$ exp .alpha.(H-H$_{0}$) where .alpha. is a function of a.c field along hard axis and H is driving d.c field along easy axis, H$_{0}$ is not a coercive force of film as usuall expected but the d.c threshold field along easy axis which is a function of channel width. This characteristic is also confirmed by the study of dependence of creep velocity upon easy axis field strength. Value of .alpha. obtained is 1.3-2.3cm/sec We depending upon film charactor, hard axis field strength and frequency.uency.

• 전기의세계
• /
• 제22권2호
• /
• pp.57-69
• /
• 1973

The aim of this study was to investigate the behaviors of plasma jet under coaxial magnetic field in paralled with it for controlling optical characteristics and input power of plasma jet without impurity and instability of arc plasma column. Because the discharge characteristics of plasma jet were so distinctively different according to the existence or non-existence of magnetic field, the input power, luminous intensity of plasma jet and thermal efficiency were comparatively studied in respect of such variables as arc current, gap of electrode, quantity of argon flow, magnetic flux density, diameter and length of nozzle, with the use of several materials which were different in diameter and length of nozzel. The results were as follows; 1) The voltage tends to show a drooping characteristic at law current and then rises gradually. The luminous intensity of plasma jet increases exponentially with arc current. 2) Arc voltage increases and luminous intensity tends to decrease gradually as gap of electrode increases. 3) Arc voltage and luminous intensity tends to decrease gradually as gap of electrode increases. 3) Arc voltage and luminous intensity increase in accordance with the quantity of argon flow. 4) At first step, arc voltage increases to maximum value with the growth of flux density and then tends to show a gradual decrease. Luminous intensity decreases with the growth flux density. 5) Arc voltage decreases as the constriction length of nozzle increases, maximum decrease is shown at the constriction length of 20(mm) and it increases beyond that value. The luminous intensity decreases as the constriction length grows. 6) Arc voltage and luminous in tensity increase with the growth of diameters of nozzle. 7) Thermal efficiency has values between 50% and 75%, being influenced by arc current, the quantity of argon flow, flux density, the length of electrode gap and the constriction length of nozzle.

• KIEE International Transactions on Electrophysics and Applications
• /
• 제2C권6호
• /
• pp.281-286
• /
• 2002

The temperature accelerated dielectric breakdown strength of on-wafer low-k dielectric polymer films with thicknesses ranging from 94 nm to 1141 nm is investigated by using the current-voltage characteristic measurements with MIS structures. The temperature dependence of dielectric strength is demonstrated to be Arrhenious for all thicknesses. However, the activation energy is found to be strongly thickness dependent. It follows an exponential relationship rather than being a single value, i.e., the activation energy increase significantly as film thickness increases for the thickness below 500 nm, but it is almost constant for the thickness above 500 nm. This relationship suggests that the change of the activation energy corresponding to different film thickness is closely related to the temperature dependence of the electron trapping/detrapping process in polymer thin films, and is determined by both the trapping rate and the detrapping rate. Thinner films need less energy to form a conduction path compared to thicker films. Hence, it leads to smaller activation energy in thinner films, and the activation energy increases with the increase in film thickness. However, a nearly constant value of the activation energy is achieved above a certain range of film thickness, indicating that the trapping rate and detrapping rate is almost equal and eventually the activation energy approaches the value of bulk material.

• 대한전기학회:학술대회논문집
• /
• 대한전기학회 2002년도 하계학술대회 논문집 C
• /
• pp.1668-1670
• /
• 2002

Since more than two decades, the conventional PD detecting systems have been employed in order to detect the partial discharges occurring inside the HV power apparatus for their diagnosis by use of different type of detection such as acoustic and UHF detection method. Regardless of their wide on-site application, a certain number of technical inconveniences have been disclosed as follows : multistage amplification. large volume, susceptible to external noise and high price. In this respect, the optical measurement techniques are widely proposed in these days in this concerned field ascribed to the following advantages : immune to external EMI noise and broad band response of the Pockels cell covering from DC to GHz. However, the reliability of several proposed techniques enabling to measure the electric field inside the large high power apparatus has not yet been well approved In this work, an optical measuring system, based on the Pockels effect, has been developed for measuring the field variation due to the corona discharges occurring in air and in oil. This system consists of He-Ne laser, single mode optical fiber, multi mode optical fiber, polarizing film, Y-cut LiNbO3 cell, photo detector, digital oscilloscope and personal computer with GPIB. For this purpose, optical probe has been specially designed and realized and put into the needle-plane electrode. Afterward, same measurement is carried out in oil. We demonstrate the characteristic of the optical measuring system and the measurement results.

• 수산해양기술연구
• /
• 제26권1호
• /
• pp.81-87
• /
• 1990

본 논문에서는, 문헌[1]에서 보였던 적분형 서어보계의 구성문제를 목표입력이 선형자유계의 출력으로 얻어지는 경우로 일반화하여 확대계수를 얻고 쌍선형변환법에 의해 폐류우프계를 구성하는 설계법을 제안했다. 본 설계법의 유효성을 확인하기 위해, 전기 서어보기구의 각도 제어에 관한 응용 예를 보였다. 실제적인 서어보 시스템의 설계문제에 있어, 그 폐루우프계의 특성근을 정확한 위치에 배치하기보다는 오히려 어떤 요구하는 과도응답이 얻어질 수 있게 하는 영역내에 배치하면 된다는 의미에서 보면, 본 서어보계 구성법은 그 실제적인 의미가 크다고 할 수 있다.

• 센서학회지
• /
• 제8권6호
• /
• pp.476-480
• /
• 1999

PLD 법을 이용하여 PbSe 박막을 p-Si(100) 기판 위에 성장시켰다. 성장온도에 따른 박막의 결정구조를 조사하기 위하여 기판온도를 RT${\sim}400^{\circ}C$로 변화시키면서 박막을 제작하였다. 여러 기판온도에서 제작한 PbSe 박막의 XRD 패턴과 PbSe(200) rocking curve의 반치폭(FWHM)을 분석한 결과, 성장온도 $200^{\circ}C$에서 제작한 박막이 가장 양호한 결정성을 나타냈다. 또한 AFM으로 관찰한 PbSe 박막의 표면형태도 $200^{\circ}C$에서 성장시킨 박막의 표면입자들이 가장 규칙적인 배열을 보였다. Hall 측정결과, PbSe 박막은 n-type 반도체임을 알 수 있었고, 전류-전압 특성 곡선은 전형적인 p-n junction 현상을 나타냈다. 또한 n-type 반도체인 PbSe 박막의 전기전도도는 일반적인 반도체의 값보다 약간 큰 것으로 확인되었다.

• 한국해양환경ㆍ에너지학회지
• /
• 제17권3호
• /
• pp.174-181
• /
• 2014

선형발전기가 연결된 부이의 수직운동에 대한 시간영역 해석을 수행하여 얻은 시계열 자료를 가지고 선형발전기를 설계하고 전기에너지 출력특성 및 효율에 대해 살펴보았다. 1차 변환장치로 원통형 부이를 선택하였고, 2차 변환장치로 양측식 할박(Halbach) 배열 영구자석 가동자와 철심형 슬롯리스(Slotless) 고정자로 구성된 선형발전기를 사용하였다. 시간영역에서 부이의 수직운동 속도와 파랑하중을 입력자료로 직선형 영구자석 발전기가 설계되었고, 설계된 발전기는 규칙파 조건에서 유한요소 해석법을 적용하여 발전특성해석을 수행함으로써, 그 타당성이 입증되었다. 또한 불규칙파 조건에서 합리적이고 빠른 해석을 위해, 등가회로법을 적용하여 발전특성 해석을 수행하였는데, 그 결과 역시 매우 타당함을 확인하였다.