A computational study on the improvement of the pressure loss of intake system, which is located at engine manifold of the combat vehicle, has been conducted using a finite-volume-based, Reynolds-Averaged Navier-Stokes (RANS) solver. The computational result of the pressure loss through the air cleaner is in good agreement with equivalent experimental data. A parametric study was done for improving of the pressure loss of intake system over the baseline case. The effects of five primary parameters such as the height of inlet, the width of interconnection pipe, the shape of drain chamber and the diameter of filter housing were considered in this study. Consequently, this computational investigation can contribute to finding an optimal guideline for the idea of improvement in the pressure loss of intake system.
최근에 연약지반개량공사에서 연직배수공법은 가장 많이 사용하는 공법 중 하나이다. 그러나 개량을 위한 배수재의 시공시에 지반 교란이 발생하여 스미어 존이라는 교란영역을 발생시킨다. 이렇게 발생된 스미어 존의 특징은 그 영역내의 투수계수가 감소하여, 설계시 예상한 압밀진행이 원활히 이루어지지 않는 문제점이 발생 된다는 점이다. 스미어 존의 크기는 압밀도에 직접적으로 영향을 미치는 중요한 설계인자이나, 기존에 수행되는 설계에서는 연구에 의해서 제안된 안전측의 값을 일률적으로 적용하여 설계를 수행하고 있다. 그러나 이러한 방법으로 산정된 스미어 존의 크기는 설계 특성상 불확실성에 대한 과대설계로 진행되어 경제적인 측면에서 큰 손실을 가져올 수 있게 된다. 따라서 이번 연구에서는 3차원 수치해석을 수행하여 스미어 존의 크기에 대한 특성을 분석하고 스미어 존 내부의 투수계수 변화를 고려할 수 있는 스미어 존의 환산크기 결정방법을 제안하여 실제 설계에서 투수계수의 변화에 대한 고려가 가능하도록 하였다.
The task of measuring losses becomes more challenging with ever increasing efficiencies and operating frequencies in power electronics applications. Generally, the process of traditional switching loss calculation in flyback converter is very complicated. MOSFET drain-source voltage and current waveforms are needed to calculate switching loss. However, as we know in switched capacitor converter, switching loss can be easily calculated by charge and energy conservation law with known initial and final capacitor voltages. In this paper, the same method is applied to fly-back converter switching loss analysis to simplify calculation procedure.
도시유역의 침수해석에 널리 사용되는 XP-SWMM 모형은 맨홀을 하나의 절점(node)으로 간주하여 과부하 맨홀에서 발생하는 국부 손실의 영향을 고려하지 못하기 때문에 침수 면적(범위)을 과소 산정한다. 그러므로 XP-SWMM을 이용한 침수해석 시 과부하 맨홀에서의 국부손실을 고려한 손실계수의 적용성 분석이 필요한 실정이다. 본 연구에서는 내수 침수피해가 빈번히 발생하는 도림천 유역의 도림1 배수분구를 활용하여 맨홀 형태 및 손실계수 적용 유무에 따른 침수면적의 변화를 비교 분석하였다. 침수모의 결과, 손실계수를 고려한 경우가 고려하지 않은 경우보다 실제 침수면적과의 일치율이 약 17% 증가하였다. 또한 중간맨홀 및 합류맨홀($90^{\circ}$접합, 3방향 및 4방향 접합 맨홀)에 따른 각각의 손실계수를 적용하여 침수 해석한 결과 중간맨홀의 손실계수만을 적용한 것과 유사한 결과가 도출되었다. 그러므로 도시지역의 침수지역을 정확하게 모의하기 위해서는 과부하 맨홀에서의 손실계수를 고려한 2차원 침수해석을 수행하여야 할 것으로 판단된다. 본 연구의 연구결과는 도시지역의 침수 위험지역을 파악하기 위한 기초적인 자료로 활용이 가능할 것으로 판단된다.
그레이팅은 아스팔트 도로에 설치하여 배수를 할 수 있는 구조물이다. 본 논문에서는 그레이팅의 구조를 개선하여 토사의 쌓임을 방지 할 수 있는 신제품을 제안한다. 기존 제품은 프레임에 오물이 쌓여 있어 평상시 해충이나 악취가 발생하며 우천 시 배수가 원활하지 못해 물이 고이는 현상도 빈번할 뿐 아니라 역류하는 현상이 발생한다. 또한 기존 그레이팅이 프레임과 본체를 일체형으로 설치하여 파손 시 전체를 교체하여야 하는 단점이 있다. 본 연구는 그레이팅 본체와 프레임을 분리시킨 구조로 프레임을 멘 홀에 시멘트와 함께 기초공사 하여 고정한 후 그레이팅 본체는 장착탈이 가능한 구조로 개발하였다. 또한 분실 방지용 지그도 설치하여 이를 개선하였다.
In the fan module of the intercooling refrigerator, a drain hole structure was designed for stable drainage of defrost water. However, the airflow passing through the drain hole can disturb flow features around the evaporator. Since this backflow leads to an increase in flow loss, the accurate experimental and numerical analyses are important to understand the flow characteristics around the fan module. Considering the complex geometry around the fan module, three different turbulence models (Standard k-ε model, SST k-ω model, Reynolds stress model) were used in computational fluid dynamics (CFD) analysis. According to the quantitative and qualitative comparison results, the Standard k-ε model was most suitable for the research object. High-accuracy results well match with the experiment result and overcome the limitation of the experiment setup. The method used in this study can be applied to a similar research object with an orifice outflow driven by a rotating blade.
Jeon, Ji Yeon;Kim, Sang Gyun;Jung, Seung Hwan;Kim, In Bok;Eo, Yun Seong
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제16권6호
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pp.754-759
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2016
A transformer feedback low-noise amplifier (LNA) is implemented in a standard $0.18{\mu}m$ CMOS process, which exploits drain-to-gate transformer feedback technique for wideband input matching and operates across entire 3~5 GHz ultra-wideband (UWB). The proposed LNA achieves power gain above 9.5 dB, input return loss less than 15.0 dB, and noise figure below 4.8 dB, while consuming 8.1 mW from a 1.8-V supply. To the authors' knowledge, drain-to-gate transformer feedback for wideband input matching cascode LNA is the first adopted technique for UWB application.
This paper describes the design and the simulation of a V-band single pole double throw (SPDT) FET switch fur millimeter-wave applications using drain impedance transformation network with CPW transmission line. The designed switch has about 10% bandwidth at 60GHz. Insertion loss is better than 3dB fur the ON state and Isolation is larger than 30dB fer the OFF state. The maximum isolation is 43.4dB at 60GHz with input power of 10dBm. The yield analysis is done considering the effects of pHEMT variations.
Non-mass analyzed ion shower doping (ISD) technique with a bucket-type ion source or mass-analyzed ion implantation with a ribbon beam-type has been used for source/drain doping, for LDD (lightly-doped-drain) formation, and for channel doping in fabrication of low-temperature poly-Si thin-film transistors (LTPS-TFT's). We reported an abnormal activation behavior in boron doped poly-Si where reverse annealing, the loss of electrically active boron concentration, was found in the temperature ranges between $400^{\circ}C$ and $650^{\circ}C$ using isochronal furnace annealing. We also reported reverse annealing behavior of sequential lateral solidification (SLS) poly-Si using isothermal rapid thermal annealing (RTA). We report here the importance of implantation conditions on the dopant activation. Through-doping conditions with higher energies and doses were intentionally chosen to understand reverse annealing behavior. We observed that the implantation condition plays a critical role on dopant activation. We found a certain implantation condition with which the sheet resistance is not changed at all upon activation annealing.
본 논문에서는 10W급 GaN MMIC를 이용하여 Ku-band SSPA 모듈을 설계 및 제작하였다. 설계 및 제작한 SSPA 모듈의 분배/합성을 위해 Rogers(RO4003C)기판을 이용하여 Branch-line 구조를 이용하였다. SSPA 모듈 버짓상 Divider/Combiner는 삽입손실이 최대 -0.7dB 이하로 설계 및 제작하였다. 또한 GaN MMIC 구조 특성상 Gate Bias-Drain Bias로 인가되어야 하기 때문에 Gate-Drain 순차회로를 적용한 Bias 회로를 구현하였으며, RF Power Detect, Temperature Detect, HPA On/Off 기능등을 구현하였다. 설계 제작된 Ku-band SSPA는 최대 출력 15.6W, Gain 45.7dB, 효율 19.0%로 만족하는 측정 결과를 얻었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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