Dislocations are basic crystal defects and represent one-dimensional native nanostructures embedded in a perfect crystalline matrix. Their structure is predefined by crystal symmetry. Two-dimensional, self-organized arrays of such nanostructures are realized reproducibly using specific preparation conditions (semiconductor wafer direct bonding). This technique allows separating dislocations up to a few hundred nanometers which enables electrical measurements of only a few, or, in the ideal case, of an individual dislocation. Electrical properties of dislocations in silicon were measured using MOSFETs as test structures. It is shown that an increase of the drain current results for nMOSFETs which is caused by a high concentration of electrons on dislocations in p-type material. The number of electrons on a dislocation is estimated from device simulations. This leads to the conclusion that metallic-like conduction exists along dislocations in this material caused by a one-dimensional carrier confinement. On the other hand, measurements of pMOSFETs prepared in n-type silicon proved the dominant transport of holes along dislocations. The experimentally measured increase of the drain current, however, is here not only caused by an higher hole concentration on these defects but also by an increasing hole mobility along dislocations. All the data proved for the first time the ambipolar behavior of dislocations in silicon. Dislocations in p-type Si form efficient one-dimensional channels for electrons, while dislocations in n-type material cause one-dimensional channels for holes.
This Paper aims at investigating the distribution of stresses and the displacement of soft foundation layer subject to embankment load by the finite elements method (FEM). The stresses include the volumetric stress, the Pore water Pressure, the vertical stress. The horizontal stress and the shear stress. The Christian-Boehmer's method was selected as technique for FEM and the general elasticity model and modified Cam-clay model as the governing equations under Plain-strain condition depending on drained and undrained conditions. The results obtained are as follows: 1. The volumetric stress is almost consistent with the pore water pressure. This means that the total stress is the same value with the pore water pressure under the undrined condition 2. The vertical stress appears in the same value regardless of the drained or undrained condition and the model of the constitutive equations. 3. The horizontal stress has almost same value with the drain condition model. 4. depending on the constitutive model. The shear stress is affected by both the drain condition and the constitute model. The resulted value by the modified Cam-clay model has the largest. 5. The direction of the displacement vector turns outward near the tip of load during the increasing load. 6. The magnitude of displacement due to the modified Cam.clay model is as twice large as that due to elastic model.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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v.13
no.4
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pp.367-380
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2013
In this paper, an analytical threshold voltage model is developed for a short-channel double-material-gate (DMG) strained-silicon (s-Si) on silicon-germanium ($Si_{1-X}Ge_X$) MOSFET structure. The proposed threshold voltage model is based on the so called virtual-cathode potential formulation. The virtual-cathode potential is taken as minimum channel potential along the transverse direction of the channel and is derived from two-dimensional (2D) potential distribution of channel region. The 2D channel potential is formulated by solving the 2D Poisson's equation with suitable boundary conditions in both the strained-Si layer and relaxed $Si_{1-X}Ge_X$ layer. The effects of a number of device parameters like the Ge mole fraction, Si film thickness and gate-length ratio have been considered on threshold voltage. Further, the drain induced barrier lowering (DIBL) has also been analyzed for gate-length ratio and amount of strain variations. The validity of the present 2D analytical model is verified with ATLAS$^{TM}$, a 2D device simulator from Silvaco Inc.
The Journal of The Korea Institute of Intelligent Transport Systems
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v.9
no.5
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pp.72-79
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2010
In this paper, we describe the design and implementation of a high efficiency Doherty power amplifier using gallium nitride (GaN) high-electron mobility transistor (HEMT). The carrier and peaking amplifiers of the proposed Doherty power amplifier consist of the switching-mode Class-E power amplifiers. The test conditions are a duty of 10% and a pulse width of $100\;{\mu}s$ and pulse repetition frequency (PRF) of 1 kHz for a S-band radar application. A RF performance peak PAE of 64% with drain efficiency of 80.6%, at 6 dB output back-off point from saturated output power of 45.5 dBm, was obtained at 2.85 GHz.
A vacuum pressure method has been developed to solve many problems in the conventional surcharge method such as embankments, and its application has increased in the country. Recently, to control target settlements in the field, there have been many studies on the comparison of settlements between vacuum pressure method and surcharge load method in the same conditions. In this study, the settlement characteristics of soil subjected to vacuum pressure and surcharge pressure are discussed. The results indicate that if vacuum pressure is applied to the improvement of soft ground, there will be inward lateral displacement and the vacuum pressure will induce generally less settlement than a surcharge load of the same magnitude. The range of settlement reduction ratio is 0.54~0.67 based on Hooke's law, 0.91 based on field cases, 0.81 based on laboratory oedometer tests, 0.75 based on the theory of elasticity and coefficient of volumetric compressibility and 0.77~0.93 in its recent applications to the thick soft ground.
Recently, the demand for industrial and residential lands are being increased with economic growth, however, it is difficult to acquire the land for development with good ground condition. For efficient and balanced development of land, new development projects are being carried out not only the areas with inland but those with the soft ground as well. As soft grounds have complex engineering properties and high variations such as ground settlement especially when their strength is low and depth is deep, it needs to accurately analyze the engineering properties of soft grounds and find general measurement for stabilization and economic design and management. Prefabricated vertical drain technology is widely used to accelerate the consolidation of soft clay deposits and dredged soil under the preloading and various types of vertical drain are being used with the discharge capacity. Under field conditions, the discharge capacity is changed with various reason, such as soil condition, confinement pressure, long-term clogging and folding of vertical drains, and so on. Therefore, many researcher and engineer recommend the use of required discharge capacity. In this paper, the experimental study were carried out for two different types of vertical drains by utilizing the large-scale model tests and waste lime.
There are natural disasters caused by abnormal climate in the world. In particular, there are frequent disasters such as floods and landslides caused by rainfall in summer. Rainfall will have a major impact on the stability of a retaining wall. If drainage during rainfall activities within the retaining wall is not made properly, permeated water brings a significant increase in pore pressure inside of the backfill soil and reduces the shear strength of the soil. Therefore, research how to install the drainage layers to reduce the infiltrated water inside of the backfill soil is very necessary. In this study, we performed a numerical modeling to find the optimum installation conditions of the location and number of drainage layer related to stability of the reinforced retaining wall during rainfall installed geosynthetics.
In order to prevent slope disasters caused by rainfall, it is very important to quickly exclude rainfall. In Korea, horizontal drainage holes with excellent economic feasibility and construction performance are generally applied as a method to lower the underground water level. However, horizontal drainage holes constructed on the site are often uniformly constructed regardless of the presence or absence of other water or ground conditions, and it is often difficult to expect drainage performance of horizontal drainage holes due to poor maintenance. In this study, an artificial ground was created using model construction and horizontal drainage experiments were conducted to measure the amount of horizontal drainage drain in a certain amount of control area 0%, 25%, 50%, 75%, and an evaluation table (draft) that can quantitatively evaluate horizontal drainage based on measurements and design documents is proposed as basic data.
Lee, Jae-Sung;Cho, Seong-Jae;Park, Byung-Gook;Harris, James S. Jr.;Kang, In-Man
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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v.12
no.2
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pp.230-239
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2012
In this paper, we present the radio-frequency (RF) modeling for gate-all-around (GAA) junctionless (JL) MOSFETs with 30-nm channel length. The presented non-quasi-static (NQS) model has included the gate-bias-dependent components of the source and drain (S/D) resistances. RF characteristics of GAA junctionless MOSFETs have been obtained by 3-dimensional (3D) device simulation up to 1 THz. The modeling results were verified under bias conditions of linear region (VGS = 1 V, VDS = 0.5 V) and saturation region (VGS = VDS = 1 V). Under these conditions, the root-mean-square (RMS) modeling error of $Y_{22}$-parameters was calculated to be below 2.4%, which was reduced from a previous NQS modeling error of 10.2%.
In order to cope with the new and strict government regulations for turbid water discharge from construction sites, this study tested whether synthetic fiber filters can replace conventional best management practices. The filter efficiency was about 10 to 60% with a varying filter depth of 5 to 15cm, presuming extreme storm flow conditions to be in the range of 800 to 1500m/day of filtration rates. Fiber filter acts exactly like a granular filter, i.e. the separation efficiency is directly and inversely proportional to filter depth and rate, respectively. Based on the operational data, we suggested the Log-Log design relationship, which can be used to determine the filter depth and area. Compared to the widely used gravel filter which treats the turbid water at the construction site, about 20% higher efficiency was obtained under similar operating conditions. Cleaning the filter through a simple hand-washing method at the time of break-through, achieved about 90% soil recovery.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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