• 제목/요약/키워드: diode-connected transistor

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다수 입력용 전류모드 Max 회로에서 다이오드결선 트랜지스터의 트랜스컨덕턴스 조정에 의한 고주파 왜곡 억제 (Suppression of the High Frequency Distortion by Adjustment of Transconductance of the Diode-Connected Transistor in the Current Mode Max Circuit for Multiple Inputs)

  • 이준수;손홍락;김형석
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제40권11호
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    • pp.37-44
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    • 2003
  • 다수의 입력을 필요로 하는 전류모드 Max 회로에서 고주파 왜곡을 효과적으로 억제할 수 있는 trans conductance 조정 방법을 제안하였다. Max 회로에 인가되는 입력 신호의 개수가 증가하면, 기생 커패시턴스는 입력 단의 개수에 비례하여 누적되게 된다. 본 연구에서는 Max 회로의 왜곡 신호의 크기가 누적된 기생 커패시턴스와 출력신호의 변화율에 비례하며, 공통 다이오드결선 트랜지스터의 transconductance 값에 반비례하게 됨을 밝혔다. 왜곡 억제를 위한 효과적인 방안으로 공통 다이오드결선 트랜지스터의 transconductance 값을 최소화하는 방안을 제시하였다. 이 방법의 효용성은 다양한 수의 입력 신호를 갖는 전류모드 Max 회로에 대해서 HSPICE 시뮬레이션을 통해 입증하였다.

Structure Optimization of ESD Diodes for Input Protection of CMOS RF ICs

  • Choi, Jin-Young
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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    • 제17권3호
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    • pp.401-410
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    • 2017
  • In this work, we show that the excessive lattice heating problem due to parasitic pnp transistor action in the diode electrostatic discharge (ESD) protection device in the diode input protection circuit, which is favorably used in CMOS RF ICs, can be solved by adopting a symmetrical cathode structure. To explain how the recipe works, we construct an equivalent circuit for input human-body model (HBM) test environment of a CMOS chip equipped with the diode protection circuit, and execute mixed-mode transient simulations utilizing a 2-dimensional device simulator. We attempt an in-depth comparison study by varying device structures to suggest valuable design guidelines in designing the protection diodes connected to the $V_{DD}$ and $V_{SS}$ buses. Even though this work is based on mixed-mode simulations utilizing device and circuit simulators, the analysis given in this work clearly explain the mechanism involved, which cannot be done by measurements.

전류 모드 다 입력 MAX회로에서 트랜스컨덕턴스 조정에 의한 고주파 왜곡 억제 (Suppression of High Frequency Distortion in the Multiple-Input Current-Mode MAX Circuits by Adjustment of Transconductance)

  • 이준수;손홍락;김형석
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 2003년도 하계종합학술대회 논문집 II
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    • pp.1053-1056
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    • 2003
  • A distortion suppression technology for employing multiple inputs in 3n+1 type current mode Max circuit is proposed using the adjustment of transconductance. If the number of inputs in current mode Max circuit increases, the high frequency distortion in the output signal grows. In this paper, it has been disclosed that the distortion in the multiple input Max circuit is proportional to sum of parasitic capacitance in input terminals, to the derivative of the output signal and also to the inverse of transconductance of the common diode-connected transistor. The proposed idea is by employing as larger transconductance of the common diode-connected transistor as possible. The effectiveness of the proposed idea has been proved through the HSPICE simulation.

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구동 TFT 편차 보상을 위한 전압 피드백 AMOLED 디스플레이 구동 회로 (Voltage Feedback AMOLED Display Driving Circuit for Driving TFT Deviation Compensation)

  • 손기성;조용수;손상희
    • 반도체디스플레이기술학회지
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    • 제22권4호
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    • pp.161-165
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    • 2023
  • This paper designed a voltage feedback driving circuit to compensate for the characteristic deviation of the Active Matrix Organic Light Emitting Diode driving Thin Film Transistor. This paper describes a stable and fast circuit by applying charge sharing and polar stabilization methods. A 12-inch Organic Light Emitting Diode with a Double Wide Ultra eXtended Graphics Array resolution creates a screen distortion problem for line parasitism, and charge sharing and polar stabilization structures were applied to solve the problem. By applying Charge Sharing, all data lines are shorted at the same time and quickly positioned as the average voltage to advance the compensated change time of the gate voltage in the next operation period. A buffer circuit and a current pass circuit were added to lower the Amplifier resistance connected to the line as a polar stabilization method. The advantage of suppressing the Ringing of the driving Thin Film Transistor can be obtained by increasing the stability. As a result, a circuit was designed to supply a stable current to the Organic Light Emitting Diode even if the characteristic deviation of the driving Thin Film Transistor occurs.

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Single Balanced Monolithic Diode Mixer using Marchand Balun for Millimeter-wave Applications

  • Ryu, Keun-Kwan;Kim, Sung-Chan
    • 전기전자학회논문지
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    • 제16권2호
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    • pp.127-130
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    • 2012
  • In this paper, we reported on a single balanced monolithic diode mixer using Marchand balun for millimeter-wave applications. The single balanced monolithic mixer was fabricated using drain-source-connected pseudomorphic high electron mobility transistor (PHEMT) diodes considering the PHEMT MMIC full process. The average conversion loss is 16 dB in the RF frequency range of 81~86 GHz at LO frequency of 75 GHz with LO power of 10 dBm. The RF-to-LO isolation characteristics are greater than -30 dB and the total chip size is $1.0mm{\times}1.35mm$.

Normally-Off Operation of AlGaN/GaN Heterojunction Field-Effect Transistor with Clamping Diode

  • Han, Sang-Woo;Park, Sung-Hoon;Kim, Hyun-Seop;Lim, Jongtae;Cho, Chun-Hyung;Cha, Ho-Young
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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    • 제16권2호
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    • pp.221-225
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    • 2016
  • This paper reports a new method to enable the normally-off operation of AlGaN/GaN heterojunction field-effect transistors (HFETs). A capacitor was connected to the gate input node of a normally-on AlGaN/GaN HFET with a Schottky gate where the Schottky gate acted as a clamping diode. The combination of the capacitor and Schottky gate functioned as a clamp circuit to downshift the input signal to enable the normally-off operation. The normally-off operation with a virtual threshold voltage of 5.3 V was successfully demonstrated with excellent dynamic switching characteristics.

정전류다이오드를 이용한 COB 타입 LED 광원 및 조명기기 회로 (Applications of Current Limiting Diode to Chip on Board Type Light Source and Lighting Equipment Circuits)

  • 박화진;유순재;박종민;김윤제
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제26권6호
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    • pp.488-492
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    • 2013
  • Current limiting diode (CLD) was fabricated using junction field effect transistor (JFET) structured two small cells and eight large cells. Two small cells and eight large cells were connected in parallel and the obtained constant current was 110 mA. The application of CLD in each of the parallel circuits on chip on board (COB) type LED lighting source, could significantly reduce the current deviation within the parallel circuits. The applications of CLD on AC power small lighting source, battery power low voltage parallel lighting source and AC flat lighting source were investigated.

펜타센 TFT와 유기 LED로 구성된 픽셀 어레이 제작 (Fabrication of Pixel Array using Pentacene TFT and Organic LED)

  • 최기범;류기성;정현;송정근
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제42권12호
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    • pp.13-18
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    • 2005
  • 본 논문에서는 Poly-ethylene-terephthalate (PET) 기판 위에 Organic Thin Film Transistor (OTFT)와 Organic Light Emitting Diode (OLED)를 직렬 연결시킨 픽셀과 64 x 64 픽셀로 구성된 어레이를 제작하여 동작을 시연하였다. OTFT는 PET 기판과의 호환성을 고려하여 Poly 4-vinylphenol을 게이트 절연체로, 펜타센을 활성층으로 사용하여 제작되었다. 개별 소자 수준에서는 이동도가 $1.0\;cm^2/V{\cdot}sec$로 나타났으나, 어레이에서는 $0.1\~0.2\;cm^2/V{\cdot}sec$로 약 10배 정도 감소하였다. 어레이의 동작을 분석하였고 OTFT의 OLED에 대한 전류구동능력을 확인하였다.

새로운 정류방식을 이용한 전기추진선박의 고조파 저감 (Harmonic Reduction of Electric Propulsion Ship using New Rectification Scheme)

  • 김종수;최재혁;윤경국;서동환
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제16권10호
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    • pp.2230-2236
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    • 2012
  • 현재 대형선박에서 다이오드 정류기를 이용한 AC-DC 전력변환장치를 주로 사용하고 있으며 이는 총고조파왜형율을 줄이기 위하여 다중펄스를 출력할 수 있는 상치환변압기가 추가적으로 설치되어야 한다. 이 경우 상치환변압기의 설치로 인해 공간적, 경제적 손실이 발생한다. 본 논문에서는 LNG 운반선 등과 같은 대형선박에서 현재 운용중인 다이오드 정류기를 대신하여 SCR, IGBT등의 소자를 이용하는 새로운 능동형 정류방식을 제안하여 저전압 전원의 이용이 가능하고 전력선 부하에 의해 발생하는 고조파 발생을 줄이며 또한, 기존의 방식에서 사용하는 상치환변압기를 제거하여 경제적인 이점도 얻고자 하였다. 현재 대형선박에서 운용중인 전기추진시스템에 제안한 시스템을 시뮬레이션 한 결과, 추진전동기 입력 전류 및 전압 파형에 포함된 총고조파왜형율이 개선됨을 나타내었다.

새로운 게이트 드라이버를 이용한 완전 집적화된 DC-DC 벅 컨버터 (A Fully-Integrated DC-DC Buck Converter Using A New Gate Driver)

  • 안영국;전인호;노정진
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제49권6호
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    • pp.1-8
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    • 2012
  • 본 논문은 패키징 인덕터를 이용한 완전 집적화된 DC-DC 벅 컨버터를 소개한다. 사용된 패키징 인덕터는 본딩 와이어와 리드 프레임의 기생 인덕턴스를 포함한다. 이들은 실리콘 위에서 구현되는 온-칩 인덕터 보다 높은 Q 인자를 가진다. 또한 본 논문은 고주파 스위칭 컨버터의 효율적인 레귤레이션을 위해 로우-스윙 게이트 드라이버를 제안한다. 로우-스윙 드라이버는 다이오드-커넥티드 트랜지스터의 전압 드롭을 이용한다. 제안된 컨버터는 $0.13-{\mu}m$ CMOS 공정을 통해 설계 및 제작되었다. 제작된 벅 컨버터의 효율은 입출력 전압비가 3.3 V/ 2.0 V와 2.8 V/ 2.3 V 일 때, 각각 68.7%, 86.6%로 측정되었다.