• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.280.1-280.1
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• 2016

Generally InGaN/GaN green light emitting diode (LED) exhibits the low quantum efficiency (QE) due to the large lattice mismatch between InGaN and GaN. The QE of InGaN-based multiple quantum wells (MQWs) is drastically decreased when an emission wavelength shifts from blue to green wavelength, so called "green gap". The "green gap" has been explained by quantum confined Stark effect (QCSE) caused by a large lattice mismatch. In order to improve the QE of green LED, undoped graded short-period InGaN/GaN superlattice (GSL) and Si-doped GSL (SiGSL) structures below the 5-period InGaN/GaN MQWs were grown on the patterned sapphire substrates. The luminescence properties of InGaN/GaN green LEDs have been investigated by using photoluminescence (PL) and time-resolved PL (TRPL) measurements. The PL intensity of SiGSL sample measured at 10 K shows stronger about 1.3 times compared to that of undoped GSL sample, and the PL peak wavelength at 10 K appears at 532 and 525 nm for SiGSL and undoped GSL, respectively. Furthermore, the PL decay of SiGSL measured at 10 K becomes faster than that of undoped GSL. The faster decay for SiGSL is attributed to the increased wavefunction overlap between electron and hole due to the screening of piezoelectric field by doped carriers. These PL and TRPL results indicate that the QE of InGaN/GaN green LED with GSL structure can be improved by Si-doping.

• 한국광학회지
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• 제13권4호
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• pp.289-294
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• 2002

2${\times}$2 MEMS 스위치와 광섬유 지연선로의 조합으로 구성된 위상배열 안테나(Phased-Array Antenna: PAA)용 광학적인 실시간 지연선로(True Time-Delay : TTD)를 제안하였으며, $30^{o}$의 분해능을 갖고 최대 $120^{o}$까지 빔 주사방향을 조정 할 수 있는 선형 PAA 용 실시간 지연선로를 구현하였다. 본 구조는 제어가 간편하며, 한 개의 파장 고정 레이저 다이오드를 사용하기 때문에 기존에 제안된 파장 가변 광원을 사용하는 구조들보다 고속 동작이 가능하고, 경제적이라는 장점을 갖고 있다. 또한, 제안된 실시간 지연선로는 각각 연결된 안테나 소자 4개로 구성된 10㎓용 PAA를 설계하였다. 전산 모의 실험 결과, 설계된 PAA의 최대 빔 이득은 빔 주사각이 0˚인 경우에는 11.6dB, $\pm$$30^{o}$일 때 11.2dB, 그리고 $\pm$$60^{o}$에서 10.6dB로 나타났다.

• 한국ITS학회 논문지
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• 제4권3호
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• pp.45-50
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• 2005

본 논문에서는 vertical coupling이라는 새로운 구조를 통해 구현한 광대역 rat race ring을 이용하여 광대역 단일 평형 다이오드 혼합기를 설계 및 구현하였다. RF주파수 범위는 $1.5{\sim}3$ GHz, LO의 주파수 범위는 $1.64{\sim}3.14$ GHz의 광대역 주파수 범위에서 140 MHz의 IF 주파수를 선택하였다. 입력되는 LO 신호가 2.74 GHz에서 6 dBm, RF의 입력 신호가 2.6 GHz에서 40 dBm일 때의 출력 포트(IF)에서의 변환손실은 7.5 dB와 30 dB의 RF와 LO의 우수한 격리도를 측정 결과에서 각각 나타내었다. $1.5{\sim}3$ GHz의 광대역 RF주파수 범위 내에서 평균 10 dB의 변환손실과 30 dB의 높은 RF와 LO 격리도, 45 dB의 LO와 IF 격리도를 측정결과에서 각각 나타내었다.

• 센서학회지
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• 제18권1호
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• pp.77-85
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• 2009

We propose a new image pixel architecture which has OFD(Over Flow Device) node by improving conventional 3TR pixel structure. Newly designed pixel consists of photo diode which is verified with HSPICE simulation, PMOS reset transistor, several NMOS and several PMOS transistors. Photodiode signals from each PMOS and NMOS are detected by Reset PMOS. These output signals give enough chances to detect wide operation coverage because OFD node has overflow photocurrent. According to various light intensity, we analyzed characteristic of the output voltage with a SPICE tool. Proposed pixel output has specific value which can detect possible from $0.1{\mu}W/cm^2$ to $10W/cm^2$ light intensity. It has wide-dynamic range of 160 dB.

• 한국재료학회지
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• 제18권11호
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• pp.623-627
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• 2008

For possible applications as luminescent materials for white-light emission using UV-LEDs, $Ba_2Mg(PO_4)_2:Eu^{2+}$ phosphors were prepared by a solid state reaction. The photoluminescence properties of the phosphor were investigated under ultraviolet ray (UV) excitation. The prepared phosphor powders were characterized to from a single phase of a monoclinic crystalline structure by a powder X-ray diffraction analysis. In the photoluminescence spectra, the $Ba_2Mg(PO_4)_2:Eu^{2+}$ phosphor showed an intense emission band centered at the 584 nm wavelength due to the f-d transition of the $Eu^{2+}$ activator. The optimum concentration of $Eu^{2+}$ activator in the $Ba_2Mg(PO_4)_2$ host, indicating the maximum emission intensity under the excitation of a 395 nm wavelength, was 5 at%. In addition, it was confirmed that the $Eu^{2+}$ ions are substituted at both $Ba^{2+}$ sites in the $Ba_2Mg(PO_4)_2$ crystal. On the other hand, the critical distance of energy transfer between $Eu^{2+}$ ions in the $Ba_2Mg(PO_4)_2$ host was evaluated to be approximately 19.3 A. With increasing temperature, the emission intensity of the $Ba_2Mg(PO_4)_2$:Eu phosphor was considerably decreased and the central wavelength of the emission peak was shifted toward a short wavelength.

• 한국전자파학회논문지
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• 제14권6호
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• pp.648-654
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• 2003

본 논문에서는 비 산화물인 불소화합물 게이트절면막을 이용하여 박막반도체 다이아몬드 MS계면(Metal-Insulator-Semiconductor Interface)의 전기적 안정화를 실현하였다. 특히 산소 게터링 효과(Oxygen-Gettering Effect)에 의한 표면준위 억제를 통해, 박막반도체 다이아몬드 MIS계면에 있어서 최적의 전기적 특성을 부여하는 BiF2 게이트절연막을 개발하였다. 본 논문의 결과에 의하면, BaF$_2$ 게이트 절연막을 이용하여 제작한 A1/BaF2/diamond MIS 다이오드와 MISFET(Metal-Insulator-Semiconductor Field Effect Transistor)로부터 저농도의 ~10101/$\textrm{cm}^2$ eV의 표면준위밀도가 관측되었고, 그리고 이제까지 발표된 다이아몬드 박막반도_체 FET중 최고치인 400 $\textrm{cm}^2$/Vs의 유효이동도가 관찰되었다.

• Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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• 제34권5호
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• pp.711-717
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• 2010

본 논문에서는 플라스틱 평판에 핀 홀을 생성하여 문자나 이미지를 표현하는 디스플레이 보드를 자동으로 제작하는 펀칭시스템을 개발하였다. 핀 홀을 생성한 평판은 가장자리에 설치한 다양한 색상의 발광다이오드 빛을 반사하여 미려한 디스플레이 보드에 사용된다. 펀칭시스템은 정밀한 위치 및 깊이 생성을 위해 총 4개의 엑추에이터를 사용하였다. 디스플레이 보드 상의 글자나 이미지의 반사효과와 빠른 생산성을 위하여 정밀한 구동 기구부를 개발하고 PID 제어 알고리즘을 적용하였다. 그리고 사용자가 반사되는 글자의 모양이나 이미지를 구성하는데 도움을 줄 수 있는 GUI 프로그램과 PC기반의 제어시스템을 구성하였다. 또한 펀칭속도와 생성된 핀 홀의 깊이를 검사하여 본 시스템의 성능을 검증하였다.

• 한국항행학회논문지
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• 제10권1호
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• pp.13-19
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• 2006

본 논문에서는 FCC의 방사 스펙트럼 제한 규정에 따라 5 GHz-WLAN 주파수 대역을 억제한 DS-UWB 가우시안 임펄스 생성기를 제안하고, 이를 실험적으로 구현하였다. 단극 구형파를 가우시안 임펄스로 변환하기 위해 SRD를 이용한 첫 번째 임펄스 생성기와 반도체 레이저의 이득 스위칭을 이용한 두 번째 임펄스 생성기로 구성된 2단 구조의 임펄스 생성기를 사용하였다. 출력된 가우시안 임펄스의 폭은 약 180 psec로 매우 짧다. 또한 WLAN 주파수 대역을 제거하기 위해 4단 링 공진기 구조의 고차 미분 가우시안 필터를 설계 및 제작하여 최종적으로 WLAN 신호 대역은 약 25 dB의 억제 효과를 갖는 DS-UWB 신호의 발생기를 실험적으로 구현하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2006년도 추계학술대회 논문집 Vol.19
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• pp.172-173
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• 2006

Metal-ferroelectric-insulator-semiconductor (MFIS) structures with $Bi_{3.35}La_{0.75}Ti_3O_{12}$ (BLT) ferroelectric film and Zirconium oxide ($ZrO_2$) layer were fabricated on p-type Si(100). $ZrO_2$ and BLT films were prepared by sol-gel technique. Surface morphologies of $ZrO_2$ and BLT film were measured by atomic force microscope (AFM). The electrical characteristics of Au/$ZrO_2$/Si and Au/BLT/$ZrO_2$/Si film were investigated by C-V and I-V measurements. No hysteretic characteristics was observed in the C-V curve of the Au/$ZrO_2$/Si structure. The memory window width m C-V curve of the Au/BLT/$ZrO_2$/Si diode was about 1.3 V for a voltage sweep of ${\pm}5$ V. The leakage current of Au/$ZrO_2$/Si and Au/BLT/$ZrO_2$/Si structures were about $3{\times}10^{-8}$ A at 30 MV/cm and $3{\times}10^{-8}$ A at 3 MV/cm, respectively.

• 한국진공학회지
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• 제20권4호
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• pp.271-275
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• 2011

본 논문은 고휘도 발광소자의 특성을 높이기 위한 p-GaN 박의 홀농도 향상을 연구하였다. 우리는 metal organic chemical vapor deposition 법을 이용하여 Antimony (Sb)가 p-GaN의 홀농도 향상에 도움을 주는 것을 확인하였다. Atomic force microscope 측정을 통해 Sb가 계면활성제처럼 역할을 함으로써 p-GaN의 2차원 성장이 촉진됨을 알 수 있었다. 또한 X-ray diffraction 결과 [002] 면과 [102] 면의 반폭치가 Sb 도핑과 함께 줄어드는 것을 통해 Edge과 Screw 전위의 감소와 photoluminescence 결과에서 450~500 nm 청색 파장 영역에서 발광의 세기가 현저히 줄어드는 것으로 보아 질소 공극이 감소되는 것이 홀농도 향상의 주된 원임임을 알 수 있었다. Trimethylantimony가 10 ${\mu}mol/min$일 때 홀농도는 최대가 되었고 그때 홀농도는 $5.4{\times}10^{17}cm^{-3}$이었다.