The pure and carbon (C)-doped $MgB_2$ thin films were fabricated on $Al_2O_3$ (0001) substrates at a temperature of $650^{\circ}C$ by using hot-filament-assisted hybrid physical-chemical vapor deposition technique. The $T_c$ value for pure $MgB_2$ film is 38.5 K, while it is between 30 and 35 K for carbon-doped $MgB_2$ films. Expansion in c-axis lattice parameter was observed with increase in carbon doping concentration which is in contrast to carbon-doped $MgB_2$ single crystals. Significant enhancement in the critical current density was obtained for C-doped $MgB_2$ films as compared to the undoped $MgB_2$ film. This enhancement is most probably due to the incorporation of C into $MgB_2$ and the high density of grain boundaries, both help in the pinning of vortices and result in improved superconducting performance.
Pangarkar, Bhausaheb L.;Deshmukh, Samir K.;Thorat, Prashant V.
Membrane and Water Treatment
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v.8
no.6
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pp.529-541
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2017
A multi-effect air gap membrane distillation (ME-AGMD) module for pesticide wastewater treatment is studied with internal heat recovery, sensible heat of brine recovery, number of stages and the use of fresh feed as cooling water in a single module is implemented in this study. A flat sheet polytetrafluroethylene (PTFE) membrane was used in the 4-stage ME-AGMD module. The maximum value of permeate flux could reach $38.62L/m^2h$ at feed -coolant water temperature difference about $52^{\circ}C$. The performance parameter of the module like, specific energy consumption and gain output ratio (GOR) was investigated for the module with and without heat recovery. Also, the module performance was characterized with respect to the separation efficiency of several important water quality parameters. The removal efficiency of the module was found to be >98.8% irrespective water quality parameters. During the experiment the membrane fouling was caused due to the deposition of the salt/crystal on the membrane surface. The membrane fouling was controlled by membrane module washing cycle 9 h and also by acidification of the feed water (pH=4) using 0.1M HCl solution.
Transactions of the Korean Society of Machine Tool Engineers
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v.15
no.6
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pp.58-63
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2006
FIB equipment can perform sputtering and chemical vapor deposition simultaneously. It is very advantageously used to fabricate a micro structure part having 3D shape because the minimum beam size of ${\Phi}10nm$ and smaller is available. Since general FIB uses very short wavelength and extremely high energy, it can directly make a micro structure less than $1{\mu}m$. As a result, FIB has been probability in manufacturing high performance micro devices and high precision micro structures. Until now, FIB has been commonly used as a very powerful tool in the semiconductor industry. It is mainly used for mask repair, device correction, failure analysis, IC error correction, etc. In this paper FIB-Sputtering and FIB-CVD characteristic analysis were carried out according to $Ga^+$ ion beam current that is very important parameter for minimizing the pattern size and maximizing the yield. Also, for FIB-Sputtering burr caused by redeposition of the substrate characteristic analysis was carried out.
Park, Chan;Kim, Myung Hun;Hong, Sung Moo;Go, Jeung Sang;Shin, Bo Sung
Journal of the Korean Society of Manufacturing Technology Engineers
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v.24
no.3
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pp.334-341
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2015
This paper summarizes the results of an investigation into the environmental factors that have an indirect impact on parts quality, as well as those process variables and modeling information that have a direct impact. The effects of strength, surface hardness, roughness, and accuracy of shape, that is, qualities that users generally need to know, were evaluated with laminating direction experimentally. The 3D printing methods used in this experiment were fused deposition modeling (FDM), stereolithography apparatus (SLA), selective laser sintering (SLS), 3D printing (3DP) and laminated object manufacturing (LOM). The goal was to achieve a high standard of quality control and product quality by optimizing the fabrication process.
Kim, Seok Hwan;Yeo, Sanghak;Yang, Jaeyoung;Park, Keunoh;Hur, Gieung;Lee, Jaeho;Lee, Jaichan
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2014.02a
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pp.381.2-381.2
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2014
In this study the amorphous carbon films were deposited by PECVD at the substrate temperature range of 250 to $600^{\circ}C$, and the process conditions of higher and lower precursor flow rate, respectively. The temperature was a main parameter to control the density and mirco-structures of carbon films, and their's properties depended with the process temperatrue are changed by controlling precursor flow rate. The precursor feeding rate affect on the plasma ion density and a deposition reactivity. This change of film properties was obtained the instrinsic stress, FT-IR & Raman analysis, refractive index (RI) and ext. coef. (k) measured by ellipsometer. In the process conditions of lower and higher flow rate of precursor it had a different intrinsic stress as a function of the substrate temperature.
We have fabricated good quality superconducting $YBa_{2}Cu_{3}O_{7-\delta}$ thin films on Hastelloy(Ni-Cr-Mo alloys) metallic substrate with $CeO_2$ and $BaTiO_3$ buffer layers in-situ by pulsed laser deposition in a multi-target processing chamber. We have chosen $CeO_2$ as a buffer layer which has cubic structure of $5.41{\AA}$ lattice parameter and only 0.2% of lattice mismatch with YBCO. $CeO_2$ layer may be helpful for power transmission due to its conducting property. In order to enhance the crystallization of YBCO films on metallic substrates. we deposited $CeO_2$ and $BaTiO_3$ buffer layers at various temperatures. The YBCO superconducting tape fabricated with $BaTiO_3$ and $CeO_2$ buffer layers shows 85K of transition temperature and about $8.4{\times}10^4A/cm^2$ of critical current density at 77K.
Three-dimensional computer modeling using FLAC3D had been carried out fur evaluating the thermal-mechanical stability of a high-level radioactive waste repository excavated in several hundred deep location. For effective modeling, a FISH program was made and the geological conditions and rock properties achieved from the drilling sites in Kosung and Yusung areas were used. Sensitivity analysis fer the stresses and temperatures from the modeling designed utilizing fractional factorial design was carried out. From the sensitivity analysis, the important design parameters and their interactions could be determined. From this study, it was found that deposition hole spacing is the most important parameter on the thermal and mechanical stability. The second and third most important parameters were disposal tunnel and buffer thickness.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2011.02a
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pp.194-194
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2011
The effects of argon neutral beam (NB) energy on the amorphous carbon (a-C) films were investigated, while the a-C films were deposited by neutral particle beam assisted sputtering (NBAS) system. The energy of neutral particle beam can be controlled by reflector bias voltage directly as a unique operating parameter in this system. The deposition characteristics of the films investigated of Raman spectra, UV-visible spectroscopy, electrical conductivity, stress measurement system, and ellipsometer indicate the properties of amorphous carbon films can be manipulated by only NB energy (or reflector bias voltage) without changing any other process parameters. We report the effect of reflector bias voltage in the range from 0 to -1KV. By the increase of the reflector bias voltage, the amount of cross-linked sp2 clusters as well as the sp3 bonding in the a-C film coated by the NBAS system can be increased effectively and the composition of carbon thin films can be changed from nano-crystalline graphite phase to amorphous carbon phase.
Kim, Hyun-Hoo;Lee, Moo-Young;Kim, Kwang-Tae;Yoon, Shang-Hyun
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2003.05b
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pp.58-61
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2003
ITO (indium tin oxide) thin films on PET (polyethylene terephthalate) substrate have been deposited by a dc reactive magnetron sputtering without heat treatments such as substrate heater and post heat treatment. Each sputtering parameter during the sputtering deposition is an important factor for the high quality of ITO thin films deposited on polymeric substrate. Particularly, the material, electrical and optical properties of as-deposited ITO oxide films are dominated by the ratio of oxygen partial pressure. As the experimental results, the excellent ITO films are prepared on PET substrate at the operating conditions as follows: operating pressure of 5 mTorr,target-substrate distance of 45 mm, dc power of 20-30 W, and oxygen gas ratio of 10 %. The optical transmittance is above 80 % at 550 nm, and the sheet resistance and resistivity of films are $24\;{\Omega}$/square and $1.5{\times}10^{-3}\;cm$, respectively.
Temperature is a critical parameter in yield improvement for wafer manufacturing. In chemical vapor deposition (CVD) equipment, crack defect in ceramic heater leads to yield reduction, however, there is no suitable ceramic heater fault detection system for conventional CVD equipment. This paper proposes a short-time zero-crossing rate based fault detection method for the ceramic heater in CVD equipment. The proposed method measures the output signal ($V_{pp}$) of RF filter and extracts the zero-crossing rate (ZCR) as feature vector. The extracted feature vectors have a discriminant power and Gaussian mixture model (GMM) based fault detection method can detect fault in ceramic heater. Experimental results, carried out by measured signals provided by a CVD equipment manufacturer, indicate that the proposed method detects effectively faults in various process conditions.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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