• 대한화학회지
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• 제33권4호
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• pp.371-378
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• 1989

분광광도법을 이용하여 [pt[dien]X]$^+$(X = $Cl^-$, $Br^-$, $I^-$) 와 ${NO_2}^-$와의 치환반응을 $20{\sim}35^{\circ}C,\;1{\sim}1500$ bar 범위에서 조사했다. 이들 반응의 속도는 모두 온도와 압력이 증가함에 따라 증가하였고, 치환 용이성은 $Cl^-$ > $Br^-$ > $I^-$였다. 활성화 부피변화(│${\Delta}V^{\neq}$│)는 모두 큰 음(-)의 값을 가졌고 온도가 증가함에 따라 감소하였다. $25^{\circ}C$에서 구한 일차속도상수($k_1$)와 이차속도상수 ($k_2$)는 압력이 증가함에 따라 다같이 증가하였고, $k_1$ 경로와 $k_2$ 경로에 대한 활성화부피(${\Delta}{V_1}^{\neq}$ 와 ${\Delta}{V_2}^{\neq}$)는 모두 큰 음(-)의 값을 가졌다. 또한 1 bar에서 $k_1$과 $k_2$를 구했고 온도가 증가함에 따라 모두 증가하였다. 각 반응경로에 대한 활성화파라미터를 결정했고, 모든 실험적 결과로부터 이 반응은 이탈기의 성질과 반응경로에 관계없이 회합(A)메카니즘을 가질 것으로 생각된다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제15권5호
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• pp.526-532
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• 2015

We quantitatively investigated instability mechanisms under simultaneous positive gate and drain bias stress (SPGDBS) in self-aligned top-gate amorphous indium-zinc-oxide thin-film transistors. After SPGDBS ($V_{GS}=13V$and $V_{DS}=13V$), the parallel shift of the transfer curve into a negative $V_{GS}$ direction and the increase of on current were observed. In order to quantitatively analyze mechanisms of the SPGDBS-induced negative shift of threshold voltage (${\Delta}V_T$), we experimentally extracted the density-of-state, and then analyzed by comparing and combining measurement data and TCAD simulation. As results, 19% and 81% of ${\Delta}V_T$ were taken to the donor-state creation and the hole trapping, respectively. This donor-state seems to be doubly ionized oxygen vacancy ($V{_O}^{2+}$). In addition, it was also confirmed that the wider channel width corresponds with more negative ${\Delta}V_T$. It means that both the donor-state creation and hole trapping can be enhanced due to the increase in self-heating as the width becomes wider. Lastly, all analyzed results were verified by reproducing transfer curves through TCAD simulation.

• 제어로봇시스템학회:학술대회논문집
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• 제어로봇시스템학회 2004년도 ICCAS
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• pp.986-989
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• 2004

The concept and results of a simple constant switching frequency delta modulation scheme suitable for DC-AC power conversion in uninterruptable power supply (UPS) applications are presented. Unlike the traditional delta modulation scheme, the scheme has a well defined harmonic spectrum, resulting in a simple filter design and reduced radio interference.

• 한국재료학회지
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• 제8권3호
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• pp.263-267
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• 1998

본 연구에서는 금속 칼날 마스크와 펄스형 레이저 증착장치를 이용하여 $YBa_2Cu_3O_{7-\delta}$/$SrTiO_{3}$/$YBa_2Cu_3O_{7-\delta}$ 다층박막 형태의 In-situ SIS ramp dege 형태의 접합을 제작하였으며, 이의 특성을 조사하였다. 접합은 RSJ 형태의 전류-전압 특성ㅇ르 나타내고 있으며, 온도 변화에 따른 접합의 normal resistance는 약 $18 \omega$으로 온도에 무관하게 일정한 값을 나타내었다. 접합형태를 이용하여 감도(transfer function, dV/$d\Phi$)가 약 $22\mu$V/$\Phi_{0}$인 dc-SQUID센서를 제작하였으며, in-situ SIS ramp edge 형태의 접합이 센서로의 응용가능성을 충분히 가지고 있음을 보여 주었다.

• 대한수학회보
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• 제50권3호
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• pp.839-865
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• 2013

We deal with the existence of positive radial solutions concentrating on spheres for the following class of elliptic system $$\large(S) \hfill{400} \{\array{-{\varepsilon}^2{\Delta}u+V_1(x)u=K(x)Q_u(u,v)\;in\;\mathbb{R}^N,\\-{\varepsilon}^2{\Delta}v+V_2(x)v=K(x)Q_v(u,v)\;in\;\mathbb{R}^N,\\u,v{\in}W^{1,2}(\mathbb{R}^N),\;u,v&gt;0\;in\;\mathbb{R}^N,}$$ where ${\varepsilon}$ is a small positive parameter; $V_1$, $V_2{\in}C^0(\mathbb{R}^N,[0,{\infty}))$ and $K{\in}C^0(\mathbb{R}^N,[0,{\infty}))$ are radially symmetric potentials; Q is a $(p+1)$-homogeneous function and p is subcritical, that is, 1 < $p$ < $2^*-1$, where $2^*=2N/(N-2)$ is the critical Sobolev exponent for $N{\geq}3$.

• 한국세라믹학회지
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• 제40권5호
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• pp.455-459
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• 2003

LPE(Liquid Phase Epitaxial)법을 이용하여 성장시킨 B $i_2$S $r_2$Ca(C $u_{1-x}$ N $i_{x}$ )$_2$ $O_{8+}$$\delta$/ 막(film)을 break junction 법을 이용하여 터널링 분광을 측정하였다. Ni 조성비 $\chi$$_{L}$의 증가에 따라 에너지 간격 2$\Delta$의 크기는 증가하였다. 에너지 간격 2$\Delta$(4.2 K)는 54.4~64 meV, 2$\Delta$/ $k_{B}$ $T_{c}$ $^{zero}$는 7.36~10.14로 BCS 이론에 의한 값 보다 큰 결과를 얻었다. 융액(melting solution) 속의 Ni 조성비 $\chi$$_{L}$의 증가에 따라, 임계온도 $T_{c}$ $^{zero}$와 격자상수 c-축의 길이는 감소하는 경향을 보였다.을 보였다.$^{zero}$와 격자상수 c-축의 길이는 감소하는 경향을 보였다.

• 한국정보전자통신기술학회논문지
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• 제11권3호
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• pp.283-289
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• 2018

샘플-홀드 커패시터와 전압제어발진기 신호에 동작하는 피드포워드 루프필터를 가진 단방향 전하펌프를 가진 위상고정루프를 제안하였다. 제안된 위상고정루프는 기존의 2차 RC 필터에 비해서 저항 대신에 스위치와 작은 작은 크기의 커패시터를 사용하여 칩 크기를 줄일 수 있을 뿐만 아니라 전압제어발진기의 위상잡음에 영향을 미치는 ${\Delta}VLPF$의 변화량과, 기준신호 의사잡음에 영향을 미치는 ${\Delta}{\Delta}VLPF$의 변화량을 각각 1/5과 1/6로 줄였다. 제안된 위상고정루프는 1.8V $0.18{\mu}m$ CMOS 공정을 이용하여 시뮬레이션을 통해 위상잡음 특성이 개선된 동작을 확인하였다. 향후 시뮬레이션을 바탕으로 칩을 제작하여 성능을 검정할 계획이다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2003년도 추계학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.157-157
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• 2003

수평 전기로에서 CdIn2Te4 다결정을 용융법으로 합성하고 Bridgman법으로 tetragonal structure의 c축에 평행한 CdIn2Te4 단결정을 성장시켰다. c축에 평행한 시료의 광흡수와 광전류 spectra를 293K에서 10K까지 측정하였다. 광흡수 spectra에 의해 band gap Eg(T)는 varshni공식에 따라 계산한 결과 1.4753eV-(7.78$\times$$10^{-3}$eV/K)T$^2$/(T+2155K)임을 확인하였다. Hall 효과는 van der Pauw 방법에 의해 측정되었으며, 온도에 의존하는 운반자 농도와 이동도는 293K에서 각각 9.01$\times$$10^{16}$ /㎤, 219 $\textrm{cm}^2$/V.S였다. 광전류 스펙트럼으로부터 Hamilton matrix(Hopfield quasicubic mode)법으로 계산한 결과 crystal field splitting $\Delta$cr값이 0.2704 eV이며 spin-orbit $\Delta$so 값은 0,1465 eV임을 확인하였다. 10K일 때 광전류 봉우리들은 n=1일때 Al-, Bl-와 Cl-exciton 봉우리임을 알았다.

• 대한수학회논문집
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• 제38권3호
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• pp.741-754
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• 2023

In this paper, we study the existence and nonexistence of solutions for a class of Hamiltonian strongly degenerate elliptic system with subcritical growth $$\left{\array{-{\Delta}_{\lambda}u-{\mu}v={\mid}v{\mid}^{p-1}v&&\text{in }{\Omega},\\-{\Delta}_{\lambda}v-{\mu}u={\mid}u{\mid}^{q-1}u&&\text{in }{\Omega},\\u=v=0&&\text{ on }{\partial}{\Omega},}$$ where p, q > 1 and Ω is a smooth bounded domain in ℝ^N, N ≥ 3. Here Δ_λ is the strongly degenerate elliptic operator. The existence of at least a nontrivial solution is obtained by variational methods while the nonexistence of positive solutions are proven by a contradiction argument.

• 한국항공우주학회지
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• 제40권1호
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• pp.69-77
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• 2012

1990년대 들어 달 탐사가 재개 된 후 2000년대부터 세계우주선진국들을 중심으로 달을 선점하기 위한 치열한 달 탐사 경쟁이 벌어지고 있다. 우리나라도 2020년경 자력 달 탐사를 목표로 선행연구를 수행 중에 있다. 본 연구에서는 한국형 달 탐사를 대비하여 지구에서 달로 가는 천이궤적 중 연료 최소화를 위해 다양한 천이궤적의 Delt-V를 비교 분석하였다. 시뮬레이션을 통해 한국형 달 탐사에 가장 적합한 지구-달 천이궤적을 확인하였으며, 실제 한국형 달 탐사시 유용한 자료로 사용될 것이다.