• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
• /
• 제11권4호
• /
• pp.302-308
• /
• 2011

In this paper, we have proposed a new approach for optical failure analysis which employs a CMOS photon-emitting circuitry, consisting of a flip-flop based on a sense amplifier and a photon-emitting device. This method can be used even with deep-submicron processes where conventional optical failure analyses are difficult to use due to the low sensitivity in the near infrared (NIR) region of the spectrum. The effectiveness of our approach has been proved by the failure analysis of a prototype designed and fabricated in 0.18 ${\mu}m$ CMOS process.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
• /
• 대한전자공학회 2000년도 ITC-CSCC -1
• /
• pp.419-420
• /
• 2000

This paper describes the innovation of VLSI design methodology in the coming decade. Technology trend of VLSI fabrication is surveyed first. Then the so-called “design crisis” is analyzed. Finally, possible design methodology to overcome the design crisis is discussed.

• 대한전자공학회논문지SD
• /
• 제41권12호
• /
• pp.27-34
• /
• 2004

최근 실리콘 미세공정의 발달로 상용화된 0.2$\mum$ 게이트길이 이하의 deep submicron MOSFET 출력특성을 정확히 모델링하기 위해서는 RF 기판 회로 연구가 필수적이다. 먼저 본 논문에서는 기판 캐패시던스와 기판 저항이 병렬로 연결된 모델과 기판 저항만을 사용한 단순 모델들에 적합한 직접 추출 방법을 각각 개발하였다. 이 추출방법들을 0.15$\mum$ CMOS 소자에 적용한 결과 단순 모델보다 RC 병렬 기판모델이 측정된 $Y_{22}$-parameter에 30GHz까지 더 잘 일치하는 것을 확인하였으며, 이는 RC 병렬 기판모델 및 직접추출방법의 RF 정확도를 증명한다. 이러한 RC 병렬 기판모델을 사용하여 게이트 길이를 0.11에서 0.5$\mum$까지 변화시키고 드레인 전압을 0에서 1.2V까지 증가시키면서 기판 모델 파라미터들의 bias 종속 특성과 게이트 길이 종속 특성을 새롭게 추출하였다. 이러한 새로운 추출 결과는 scalable한 RF 비선형 기판 모델 개발에 유용하게 사용될 것이다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
• /
• 제6권3호
• /
• pp.206-209
• /
• 2006

This paper presents an analytical noise model for the drain thermal noise, the induced gate noise, and their correlation coefficient in deep-submicron MOSFETs, which is valid in both linear region and saturation region. The impedance field method was used to calculate the external drain thermal noise current. The effect of channel length modulation was included in the analytical equation. The noise behavior of MOSFETs with decreasing channel length was successfully predicted from our model.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
• /
• 제11권2호
• /
• pp.130-133
• /
• 2011

A comparative study of two capacitance methods to measure the effective channel length in deep-submicron MOSFETs has been made in detail. Since the reduction of the overlap capacitance in the accumulation region is smaller than the addition of the inner fringe capacitance at zero gate voltage, the capacitance method removing the parasitic capacitance in the accumulation region extracts a more accurate effective channel length than the method removing that at zero gate voltage.

• Journal of Korean Vacuum Science & Technology
• /
• 제2권2호
• /
• pp.122-132
• /
• 1998

Characteristics of inductively coupled Cl2/O2 and Cl2/N2 plasmas and their effects on the formation of submicron deep trench etching of single crystal silicon have been investigated using Langmuir probe, quadrupole mass spectrometer (QMS), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), and scanning electron microscopy (SEM), Also, when silicon is etched with oxygen added chlorine plasmas, etch products recombined with oxygen such as SiClxOy emerged and Si-O bondings were found on the etched silicon surface. However, when nitrogen is added to chlorine, no etch products recombined with nitrogen nor Si-N bondings were found on the etched silicon surface. When deep silicon trenches were teached, the characteristics of Cl2/O2 and Cl2/N2 plasmas changed the thickness of the sidewall residue (passivation layer) and the etch profile. Vertical deep submicron trench profiles having the aspect ratio higher than 5 could be obtained by controlling the thickness of the residue formed on the trench sidewall using Cl2(O2/N2) plasmas.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
• /
• 제8권3호
• /
• pp.193-199
• /
• 2008

A combined clock and data recovery (CDR) circuit with adaptive cancellation of data-dependent jitter (DDJ) is constructed in all-digital architecture which is amenable to deep submicron technology. The DDJ canceller uses an adaptive FIR filter to compen-sate for any unknown channel characteristic. The proposed CDR decreases jitter in the recovered clock since the DDJ canceller significantly cancels out incoming jitter caused by inter-symbol interference.

• 한국정보전자통신기술학회논문지
• /
• 제11권2호
• /
• pp.189-194
• /
• 2018

현재 대부분의 집적회로는 bulk CMOS 기술을 사용해서 제작되고 있으나 전력 소모를 낮추고 die 크기를 줄이기에는 한계점에 도달해있다. 이러한 어려움을 획기적으로 극복할 수 있는 초저전력 기술로서 SOI CMOS 기술이 최근에 크게 각광을 받고 있다. 본 논문에서는 100 nm Thin SOI 기판 위에 제작된 n-채널 MOSFET 소자들의 열전자 효과들의 온도 의존성에 관한 연구 결과들이 논의되었다. 소자들이 LDD 구조를 갖고 있음에도 불구하고 열전자 효과들이 예상보다 더 심각한 것으로 나타났는데, 이는 채널과 기판 접지 사이의 직렬 저항이 크기 때문인 것으로 믿어졌다. 온도가 높을수록 채널에서의 phonon scattering의 증가와 함께 열전자 효과는 감소하였는데, 이는 phonon scattering의 증가는 결과적으로 열전자의 생성을 감소시켰기 때문인 것으로 판단된다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
• /
• 제8권2호
• /
• pp.134-138
• /
• 2008

We present a power gating turn-on mechanism that digitally suppresses ground-bounce noise in ultra-deep submicron technology. Initially, a portion of the sleep transistors are switched on in a pseudo-random manner and then they are all turned on fully when VVDD is above a certain reference voltage. Experimental results from a realistic test circuit designed in 65nm bulk CMOS technology show the potential of our approach.

• 한국정보과학회:학술대회논문집
• /
• 한국정보과학회 2002년도 봄 학술발표논문집 Vol.29 No.1 (A)
• /
• pp.661-663
• /
• 2002

현대의 Deep-Submicron Technology(DSM)에선 배선에 관련된 문제, 예를 들어 crosstalk이나 노이즈 등이 큰 문제가 된다. 그리하여, 배선은 논리 구성요소들보다 더욱 중요한 위치를 차지하게 되었다. 우리는 이러한 배선을 고려하여 연산식을 최적화하기 위해 carry-save-adder(CSA)를 이용한 모듈 함성 알고리즘을 제시한다. 즉, 상위 단계에서 생성 된 규칙적인 배선 토폴로지를 유지하며 CSA간의 배선을 좀더 향상시키는 최적의 알고리즘을 제안한다. 우리는 우리의 이러한 방법으로 생성된 지연시간이 [1]에 가깝거나 거의 근접하는 것을 많은 testcase에서 보이며(배선을 포함하지 않은 상태에서), 그리고 그와 동시에 최종 배선의 길이가 짧고 규칙적인 구조를 갖는것을 보인다.