• 한국소성가공학회:학술대회논문집
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• 한국소성가공학회 2001년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.209-212
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• 2001

It is known that the mim forming processes show somewhat different phenomena compared with the conventional metal forming processes, namely, the size effect, enhanced friction effect and etc. Such typical phenomena, however, are not predicted by the conventional finite element analysis, which has been an efficient numerical tool to predict the metal forming processes. It is due to the fact that the constitutive relations used does not describe the microstructural characteristics of the materials. In the present investigation, the finite element formulation using the rate-dependent rigid plastic crystal plasticity model of the face-centered cubic materials is conducted to predict the micro mechanical behaviors during the mim forming processes. The finite element analysis, however, provides mesh-dependent solutions for the intragranular deformations. Therefore, the couple stress energy is additionally introduced into the variational principle and formulated within the framework of the rigid plastic finite element method to obtain mesh-independent solutions. Micro deformations of single crystal and bicrystal with various orientations are calculated to show the potential of the developed formulation.

• 한국결정성장학회:학술대회논문집
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• 한국결정성장학회 1999년도 PROCEEDINGS OF 99 INTERNATIONAL CONFERENCE OF THE KACG AND 6TH KOREA·JAPAN EMG SYMPOSIUM (ELECTRONIC MATERIALS GROWTH SYMPOSIUM), HANYANG UNIVERSITY, SEOUL, 06월 09일 JUNE 1999
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• pp.253-269
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• 1999

The development of telecommunication and information technology requires to develop new piezoelectric materials with small size, low impedance, wide pass band width and high thermal stability of frequency. Langasite (La3Ga5SiO14) single crystal has been researched substitute of quartz and LiNbO3 for the applications of SAW filter, BAW filter and resonator. Its single crystal growth has been carried out by Czochralski Method. So, in order to get single crystal with higher quality, in this study, lnagasite (La3Ga5SiO14) single crystal was grown by using Floating Zone (FZ) method and characterized. For the growth of langasite single crystals, the langasite powder was synthesized at 135$0^{\circ}C$ for 5hrs and the feed rod was sintered at 135$0^{\circ}C$ for 5hrs. The growing rate was 1.5mm/h and the rotation speed was 15 rpm for an upper rotation and 13 rpm for a lower rotation. In order to prevent the evaporation of gallium oxide, Ar and O2 gas mixture was flowed. The growth direction was analyzed by Laue back-scattered analysis. The composition of grown crystal was analyzed suing XRD and WDS. The electrical properties of grown crystal at various frequencies and temperature were discussed.

• 한국결정성장학회지
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• 제4권1호
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• pp.76-82
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• 1994

고온용액법(high temperature solution grwth)에 의해 $K_6P_4O_13$의 flux로 부터 KTP 단결정을 성장시켰다. Inclusion이 없는 KTP 단결정을 성장시키기 위해 성방로내 온도기울기, 결정의 회전, 종자결정의 방위, 냉각속도를 조절하였다. 성장된 KTP 단결정은 inclusion이 없었으며, 크기는 $10(a){\times}28(b){\times}33(c)mm^3$ 이었다. 또한 KTP 단결정 boule의 위치에 따른 SHG 출력 특성 측정 및 TEM 분석에 의해 종자결정 주위의 광학적 불균일성의 원인을 조사하였다.

• 한국결정성장학회지
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• 제26권1호
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• pp.8-13
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• 2016

용액성장법에 의한 SiC 단결정 성장은 Si 또는 Si-금속합금의 융액으로부터 SiC를 성장시키는 방법으로서, 통상의 상부종자 용액성장법(Top Seeded Solution Growth)에서는 Si 융액을 담는 흑연도가니로부터 C가 Si 융액에 용해되고 용해된 C이 상부에 위치한 종자결정으로 이동하여 종자결정상에 SiC 형태로 재결정화하는 단계를 거쳐 SiC의 단결정을 성장시키는 과정을 거치게 된다. SiC 용액성장에 있어서는 SiC의 단결정성장을 위하여 흑연도가니의 형상, 크기, 재질 및 상대적 위치 배열 등 온도제어와 유체흐름 제어를 위해 다양한 공정변수를 선정해야한다. 본 연구에서는 용액성장공정의 설계를 위해 상용의 유한요소해석 패키지인 COMSOL Multiphysics를 이용하여 전자기장해석, 열전달해석, 유체해석에 대한 다중물리해석모델을 구축하고 이 모델을 이용하여 결정성장공정을 설계하였다. 해석결과에 기초하여 2 inch off-axis 4H-SiC 단결정을 종자결정으로 적용하여 $1700^{\circ}C$에서 상부종자 용액성장법에 의하여 SiC 단결정을 성장시켰다. 광학현미경 및 고분해능 X선회절분석을 통해 결정성을 분석한 결과 해당 성장조건에서 양호한 품질의 단결정이 성장함을 확인하였다. 이로써 본 연구에서 구축된 다중물리해석모델이 SiC의 용액성장 공정설계에 유효함을 확인하였다.

• Journal of Mechanical Science and Technology
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• 제15권12호
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• pp.1876-1881
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• 2001

We present the numerical analysis of the growth of a silicon (Si) single crystal. In the MCZ (Magnetic-field-applied Czochralski) method, two magnetic fields that stand opposite to each other generate a cusp magnetic field. In this work, the three cusp magnetic fields used for the analysis are an extern magnetic field, a surface magnetic field and an internal magnetic field. Each case was evaluated mainly as to the degree of stirring, shaft symmetry and the stability of the flow. As a result, the cusp magnetic field that yielded to best conditions was the internal magneic field.

• 전기학회논문지P
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• 제57권3호
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• pp.332-337
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• 2008

We analyzed carbonization pattern and crystal structure of polyvinyl chloride wire by thermal stress. Copper that is oxidized at normal temperature is a reddish brown. If under the thermal stress range of 500 to 700 [$^{\circ}C$], carbonization and exfoliation occurrence. Section structure of electric wire is same as arrangement of particle in metallograph analysis. But, as thermal stress increases, size of particle is enlarged. Electric wire displays elongation structure in SEM image analysis and elongation structure collapses when receive thermal stress at 300 [$^{\circ}C$]. In EDX analysis, we get the spectra of CuL, CuK, OK, and ClK. FT-IR analysis was shown new spectra with in range of $1,440{\sim}1,430\;[cm^{-1}]$, 1,340 [$cm^{-1}$], 1,240 [$cm^{-1}$].

• Applied Microscopy
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• 제32권3호
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• pp.185-193
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• 2002

Texture electron diffraction pattern을 이용한 결정구조 해석 이론은 러시아어로 씌여졌거나, 영문판 저서의 일부에 간단히 소개 되어있어 이해에 어려움이 있다. 이들의 이론은 벡터의 이론과 관련된 여러 관계식을 이용해서 설명될 수 있으며, 이로서 몇 개의 식에 포함된 오류를 수정하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8
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• pp.62-62
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• 2007

It is analyzed with regard to LCD in Korea that national patent application, applicant patent application, IPC patent application. The Trends of patent application concentrated LCD manufacturing process and device, case and a cell of liquid crystal. Therefore, the future research and developments must be centralized these ranges. It is needed for competitive power and original technology that the search and analysis of the previous patent.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2010년도 추계학술대회 논문집
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• pp.951-952
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• 2010

• Applied Microscopy
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• 제38권4호
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• pp.363-374
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• 2008

이 논문에서는 비교적 두꺼운 결정에 대한 일련의 고 분해 영상들에 대한 IWFR 분석의 유용성을 실험하였다. 이를 위해 JEOL ARM 1300S를 이용하여 실리콘 결정의 30 nm 두께의 [01-1] 방위와 35 nm 두께의 [11-2]에 대한 일련의 비 초점 단계의 고 분해 영상들을 관찰하였다. 이로부터 두꺼운 시료에 대해서도 IWFR 분석 결과로부터 결정 밑 표면의 파동함수를 얻을 수 있음이 밝혀졌다. 그러나 강한 동역학적 산란에 의한 효과 때문에, 이 함수의 영상패턴은 시료의 원자열 구조의 패턴을 다만 정성적으로만 반영하고 있다. 그럼에도 불구하고 이 패턴은 결정구조의 중요한 단서를 제공할 것임은 의심의 여지가 없다