• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2003년도 추계종합학술대회
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• pp.537-541
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• 2003

강유전체(SrTiO$_3$) 박막을 게이트 절연층으로 하여 수소화 된 비정질 실리콘 박막 트랜지스터를 유리 기판위에 제조하였다. 강유전체는 기존의 SiO$_2$, SiN 등과 같은 게이트 절연체에 비하여 유전특성이 매우 뛰어나 TFT의 ON 전류를 증가시키고 문턱전압을 낮추며 항복특성을 개선하여 준다. PECVD 에 의하여 증착된 a-Si:H 는 FTIR 측정 결과 2,000 $cm^{-}$1 과 635 $cm^{-}$l 및 876 cm-1 에서 흡수 밴드가 나타났으며, 2,000 $cm^{-1}$ / 과 635 $cm^{-1}$ / 은 SiH$_1$ 의 stretching 과 rocking 모드에 기인 한 것이며 876 $cm^{-1}$ / 의 weak 밴드는 SiH$_2$ vibration 모드에 의한 것이다. a-SiN:H 는 optical bandgap 이 2.61 eV 이고 굴절률은 1.8 - 2.0, 저항률은 $10^{11}$ - $10^{15}$ $\Omega$-cm 정도로 실험 조건에 따라 약간 다르게 나타난다. 강유전체(SrTiO$_3$) 박막의 유전상수는 60 - 100 정도이고 항복전계는 1MV/cm 이상으로 우수한 절연특성을 갖고 있다. 강유전체를 이용한 TFT 의 채널 길이는 8 - 20 $\mu$m, 채널 넓이는 80 - 200 $\mu$m 로서 드레인 전류가 게이트 전압 20V에서 3 $\mu$A 이고 Ion/Ioff 비는 $10^{5}$ - $10^{6}$, Vth 는 4 - 5 volts 이다.

• 한국산림과학회지
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• 제95권1호
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• pp.131-138
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• 2006

본 연구는 우리나라 천연활엽수림의 대표적 수종인 신갈 굴참나무를 대상으로 흉고직경 생장량 패턴을 알아보고, 14개의 임목 측정인자와 직경생장량과의 관계를 규명하기 위하여 실시하였다. 본 생장량 자료는 강원도 천연활엽수림지역에서 벌도 된 83본의 신갈 및 굴참나무에 대하여 수간석해를 통하여 분석하였다. 두 수종 모두 우세목의 경우 평균적으로 15~20년까지 흉고직경생장률이 높게 나타나다가 그 이후부터는 일정한 생장량을 갖고, 매년 0.09~0.83 cm/yr의 흉고직경생장을 하는 것으로 나타났다. 최근 5년간의 연년직경생장량은 신갈나무가 평균 0.28 cm/yr로 굴참나무 평균 0.27 cm/yr 자라는 것으로 실측되었으며, 두 수종 모두 우세목, 준우세목, 중간목, 피압목 순으로 생장이 좋은 것으로 확인되었다. 특히, 신갈나무의 경우는 수관급간에 직경생장량이 매우 유의적인 차이 (p<0.0001)가 있는 것으로 나타났다. 또한, 14개의 입목 측정인자와 조제변수를 이용하여 최근 5년간의 연년직경생장량과 Pearson 상관분석을 실시한 결과, 신갈나무의 경우 상대직경(r=0.64), 상대수고(r=0.61), 노출된 수관투영면적(r=0.58), 전체 수관투영면적(r=0.56)순으로 상관관계가 높게 나타났으며, 굴참나무는 흉고직경(r=0.57), 수관폭(r=0.55), 연령(r=0.39), 경쟁지수(r=-0.39), 수고(r=0.35)순으로 상관관계가 있는 것으로 나타났다.

• 대한의용생체공학회:의공학회지
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• 제25권2호
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• pp.151-156
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• 2004

편마비 환자에서 상지 기능을 효과적으로 회복시키기 위하여 근전도 유발 기능적 전기자극기 개발과 편마비 환자를 대상으로 손목, 수지신전 운동 시 가장 효과적으로 근수축을 감지 할 수 있는 위치와 전기 자극 시 가장 이상적인 손목, 수지 신전 운동이 일어나는 부위를 탐색하여 두 부과가 일치하는 이상적인 전극부착 위치를 설정하였다. 1) 전기자극 시스템으로 EMC 계측부, 정전류 회로부를 개발하고 프로그램으로는 근전도 유발 전기자극기와 Passive FES의 동작이 가능한 형태로 개발하였다 자극조건은 주파수 35 Hz, 펄스폭 150 ${\mu}\textrm{s}$, 비대칭적 이상성 파형을 선택하였다. 2) 상지 편마비 환자 15명을 대상으로 전완의 근위부 1/2부위를 12개의 영역으로 나눈 후 근위부의 외측으로부터 영역의 순서를 정하였다. 각 영역에서 환자의 손목을 신전 하였을 때 근전도 유발 자극기가 감지하는 활동전위의 진폭을 측정하였으며 가장 크게 감지된 영역은 4, 5 영역이었고, 전기자극을 시행하였을 때 손목과 수지부위가 신전 되는 모양이 이상적인 영역은 4, 5, 7, 8 영역이었다. 근전도 유발 전기자극을 시행하였을 때 근 수축을 감지하여 근전도 유발 전기자극이 일어나는 일련의 과정이 이상적인 영역은 해부학적으로 4, 5 영역이었다.

• 한국환경농학회지
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• 제21권2호
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• pp.83-89
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• 2002

고추 종자에 저선량 $\gamma$선을 조사시킨 고추 식물체의 생육과 광합성 능 및 광 스트레스 반응에 미치는 영향을 조사하였다. 저선량 4 Gy가 조사된 고추 식물체에서 광합성에 의한 산소발생이 대조구에 비해 1.5배정도 높은 것으로 나타났다. 고추 잎에 900 ${\mu}mol/m^2/s$의 빛의 세기로 광저해를 4시간 유도하였을 때 최대 광합성능 (Pmax)이 대조구의 경우 20%정도 감소되는 반면 4 Gy 조사구는 3% 정도의 감소를 보였다. Fv/Fm는 광저해가 진행됨에 따라 감소되는 경향을 보이며 대조구의 경우 4시간 처리시 Fv/Fm 값이 50% 정도 감소되는 것을 볼 수 있었다. 반면 4 Gy 조사구는 Fv/Fm값이 대략 37%정도 감소되어 대조구에 비해 광 스트레스에 대해 덜 민감한 것으로 나타났다. Fo는 광저해가 진행됨에 따라 거의 변화가 없었으며 대조구나 4 Gy조사구 사이의 차이도 거의 없는 것으로 나타났다. 광계II의 광양자 수율인 $\Phi_{PSII}$과 광계II 반응중심에 의한 여기 포획률을 나타내주는 1/Fo-1/Fm 또한 광저해가 진행됨에 따라 감소되었으며 4시간을 처리했을 경우 각각 대조구는 47%, 4 Gy 조사구는 30%의 감소를 볼 수 있었다. 비광화학적 소멸인 NPQ는 광저해가 진행됨에 따라 감소되는 경향을 보였으나 대조구와 4 Gy 조사구간에 차이는 없는 것으로 나타났다. 이러한 결과를 볼 때 종자의 종피를 투과한 저선량의 $\gamma$선이 식물의 광합성을 증대시키고 동시에 광 스트레스에 대한 저해를 감소시키는 것으로 보인다.

• 생명과학회지
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• 제8권6호
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• pp.702-710
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• 1998

유기물질과 무기염류가 들깨의 성장과 채엽수확에 미치는 영향을 알아보기 위하여 수경재배 시료용액을 만들어 일정시간 유속으로 흘러 보내면서 들깨를 재배하였다. KNO$_3$와 NH$_4$ H$_2$ PO$_4$의 농도가 각각 270ppm 이하와 152ppm 이하의 용액에서는 발육이 현저하게 줄어들었다. 발육초기의 초장의 형성에는 $Ca^{2+}$, $K^+,NH^{4+},Mn^{2+},Zn^{2+},Cu^{2+},Na^+,Mo^{+6}$ 이온 등의 결핍은 중간단계의 발육을 크게 저하시키는 요인이 되었다. 엽장 및 엽폭의 성장과 발육에도 $Ca^{2+}, K^+, NH^{4+}, NO_3^-, H_2PO_4^-$ 이온이 크게 영향을 미쳤다. 수경재배한 들깻잎의 분광학적 금속이온 함량의 분석 결과에 의하면 6월 7일과 6월 12일 사이 6일간의 성장기간에 채취한 들깻잎 속에 $Mg^{2+}$ 이온이 많이 축적될수록 성장속도가 빠름을 알 수 있었다. 들깻잎의 조단백질과 조지질 및 탄수화물의 분석 결과에 의하면 성장과 발육에 필요한 무기염류가 아미노산과 결합하여 안정한 단백질과 지방으로 들깻잎에 축적됨을 알 수 있었다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제18권3호
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• pp.323-333
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• 2007

본 논문에서는 구형 빔 패턴을 효율적으로 형성하기 위한 새로운 MDAS-DR 안테나 구조를 제안하였다. 안테나 구조는 크게 스택 마이크로스트립 패치 여기 소자, 다층 원형 도체 배열 소자들과 그 주위를 에워싸고 있는 유전체 링으로 구성된다. 다층 원형 도체 배열 구조는 스택 마이크로스트립 패치 여기 소자에 의해 방사 전력을 공급 받아 그 주변의 유전체 링과의 전기적 상호 결합 작용에 의해 원거리에서 구형 빔 방사 패턴을 형성할 수 있다. 유전체 링 구조의 설계 변수는 다층 원형 도체 배열 구조의 설계 변수와 더불어 구형 빔 패턴 형성에 중요한 설계 변수들로서 구형 빔 안테나를 위해 12개의 다층 원형 도체 배열과 유전율이 2.05인 테프론 유전체가 사용되었다. 제안된 안테나 구조의 유효성을 검증하기 위하여 10 GHz 대역$(9.6\sim10.4\;GHz)$에서 동작하는 안테 나를 설계하였으며, 시뮬레이션에는 삼차원 안테나 구조 해석에 적합한 상용 CST Microwave $Studio^{TM}$ 시뮬레이터가 사용되었다. 또한, 안테나 시제품을 제작한 후 무반사실 안테나 챔버에서 전기적 특성들을 측정하였다. 구형 빔 패턴 형성을 갖는 안테나 시제품의 측정 결과들은 시뮬레이션 결과들과 잘 일치하였으며, 측정 결과들로부터 MDAS-DR 안테나의 10 GHz에서의 측정 이득은 11.18 dBi이었으며, 최소한 8.0 % 대역 폭 내에서 약 $40^{\circ}$의 양호한 구형 빔 패턴을 형성함을 확인할 수 있었다.

• 한국응용곤충학회지
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• 제38권2호
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• pp.85-91
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• 1999

본 종은 밤나무혹벌의 유충을 공격하는 외부기생, 단독기생성 천적으로 판명되었으며 성비는 도입종의 벌레혹에 기생하는 경우 1:1이었다. $15^{\circ}C$, $20^{\circ}C$, $25^{\circ}C$항온조건하에서 성충의 수명과 산란전기간은 온도가 낮을수록 길었다. 우화 직후 성충운 난소 내에 성숙한 알이 관찰되었으며 우화 4일 후에 피크에 달하였고 이후 점차 감소하는 경향이었다. 알은 장타원형으로 유배색이며, 밤나무혹벌의 유충체포위 혹은 충방내 벽에 낳았다. 산란된 후 3~5일 이내에 부화(15~22$^{\circ}C$)하였으며 노숙유충의 길이는 2.79mm이었다. 유충은 이듬해 3월부터 용화하며 암컷용의 길이는 2.25mm, 수컷용의 길이는 1.89mm로 용화 초기에는 유백색을 띠나 이후에는 흑색으로 변하였다. 강원도 춘천지방에서 밤나무혹벌의 벌레혹은 4월 중순에 형성되어 5월하순까지 성장하였으며 밤색긴꼬리좀벌의 성충은 4월 상순에 우화하기 시작하여 5월 상순에 종료되었다. 본 종은 년1세대 경과하였으며 성숙유충으로 월동하였다.

• 한국자기학회지
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• 제11권1호
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• pp.21-25
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• 2001

Si 기판 위에 $\alpha$-Fe$_2$O$_3$ 박막을 pulsed laser deposition system으로 제조하여 결정학적 및 자기적 성질을 X선 회절 및 Mossbauer 분광법을 사용하여 연구하였다. 박막의 제조조건은 laser의 출력 5.128 W/$cm^2$, 산소의 압력 0.1 torr, 기판의 온도 30$0^{\circ}C$에서 가장 이상적이었으며 이를 공기 중 80$0^{\circ}C$에서 1일간 열처리하였다. 입자는 크기는 길이 200~300nm, 폭 70-150 nm정도의 타원체로 기판에 비스듬히 누운 형태를 취하고 있으며 결정은 육방정계 형태의 corundum 구조로서 결정상수는 a = 5.03 0.05 $\AA$, c = 13.73$\pm$0.05 $\AA$로 측정되었다. 원자의 스핀 방향은 감마선 방향(기판에 수직 방향)에 대하여 평균적으로 Morin 변환 이하에서는 38$^{\circ}$, 그 이상에서는 48$^{\circ}$의 각을 이루며 특정한 방향을 선호하고있는 것으로 나타났다. Morin 변환은 200 K에서 실온가지 넓은 온도 범위에서 일어나며, c-축에 대한 원자의 스핀 방향은 48$^{\circ}$에서 80$^{\circ}$정도의 변화만이 관측되었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9
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• pp.477-477
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• 2008

For more than three decades, the gate dielectrics in CMOS devices are $SiO_2$ because of its blocking properties of current in insulated gate FET channels. As the dimensions of feature size have been scaled down (width and the thickness is reduced down to 50 urn and 2 urn or less), gate leakage current is increased and reliability of $SiO_2$ is reduced. Many metal oxides such as $TiO_2$, $Ta_2O_4$, $SrTiO_3$, $Al_2O_3$, $HfO_2$ and $ZrO_2$ have been challenged for memory devices. These materials posses relatively high dielectric constant, but $HfO_2$ and $Al_2O_3$ did not provide sufficient advantages over $SiO_2$ or $Si_3N_4$ because of reaction with Si substrate. Recently, $HfO_2$ have been attracted attention because Hf forms the most stable oxide with the highest heat of formation. In addition, Hf can reduce the native oxide layer by creating $HfO_2$. However, new gate oxide candidates must satisfy a standard CMOS process. In order to fabricate high density memories with small feature size, the plasma etch process should be developed by well understanding and optimizing plasma behaviors. Therefore, it is necessary that the etch behavior of $HfO_2$ and plasma parameters are systematically investigated as functions of process parameters including gas mixing ratio, rf power, pressure and temperature to determine the mechanism of plasma induced damage. However, there is few studies on the the etch mechanism and the surface reactions in $BCl_3$ based plasma to etch $HfO_2$ thin films. In this work, the samples of $HfO_2$ were prepared on Si wafer with using atomic layer deposition. In our previous work, the maximum etch rate of $BCl_3$/Ar were obtained 20% $BCl_3$/ 80% Ar. Over 20% $BCl_3$ addition, the etch rate of $HfO_2$ decreased. The etching rate of $HfO_2$ and selectivity of $HfO_2$ to Si were investigated with using in inductively coupled plasma etching system (ICP) and $BCl_3/Cl_2$/Ar plasma. The change of volume densities of radical and atoms were monitored with using optical emission spectroscopy analysis (OES). The variations of components of etched surfaces for $HfO_2$ was investigated with using x-ray photo electron spectroscopy (XPS). In order to investigate the accumulation of etch by products during etch process, the exposed surface of $HfO_2$ in $BCl_3/Cl_2$/Ar plasma was compared with surface of as-doped $HfO_2$ and all the surfaces of samples were examined with field emission scanning electron microscopy and atomic force microscope (AFM).

• 한국환경생태학회지
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• 제31권2호
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• pp.166-173
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• 2017

호암천에 분포하는 둑중개의 형태적 및 개체군의 특징 조사를 2015년 10월과 2016년 4월에 실시를 하였다. 호암천 상류역(경상북도 경주시 양북면 호암리, 대종천 상류)이 둑중개(Cottus koreanus)의 새로운 서식지로 확인되었으며 또한 삼척오십천 이남의 동해로 유입되는 하천에서 처음 발견되었다. 둑중개가 분포하는 범위는 기림사에서 용연폭포에 이르는 약 1.2 km 구간이었으며 수역은 약 $3,600m^2$ 이었다. 개체군 크기는 총 1,656개체, $100m^2$ 당 46개체가 서식하고 있는 것으로 추정되었으며 분포역이 매우 제한적이며 좁았다. 호암천에 서식하는 개체군은 한강 개체군에 비해 머리길이(head length), 배지느러미 길이(VFR-L), 가슴지느러미 길이(PFR-L), 입의 폭(MW) 등이 짧았으며 그 외의 형질은 일치하였다. 전장이 만 1년생은 40~59 mm, 만 2년생은 60~79 mm, 만 3년생은 80 mm 이상으로 추정되었다. 포란수는 239~468개이었으며 평균 361개 이었다. 성숙란의 직경은 $2.6mm{\pm}0.21$(2.3~3.1)로 대란형에 속하였다. 전장과 체중의 관계식은 BW = 0.00001TL3.01로 상수 a는 0.00001을, 매개변수 b는 3.01 이었고, 평균 1.26 이었다.