Transactions on Electrical and Electronic Materials
/
v.11
no.2
/
pp.73-76
/
2010
The copper indium disulfide ($CuInS_2$) thin film was manufactured using sputtering and thermal evaporation methods, and the annealing with sulfurization process was used in the vacuum chamber to the substrate temperature on the glass substrate, the annealing temperature and the composition ratio, and the characteristics thereof were investigated. The $CuInS_2$ thin film was manufactured by the sulfurization of a soda lime glass (SLG) Cu/In/S stacked [1] elemental layer deposited on a glass substrate by vacuum chamber annealing [2] with sulfurization for various times at a temperature of substrate temperature of $200^{\circ}C$. The structure and electrical properties of the film was measured in order to determine the optimum conditions for the growth of $CuInS_2$ ternary compound semiconductor $CuInS_2$ thin films with a non-stoichiometric composition. The physical properties of the thin film were investigated under various fabrication conditions [3,4], including the substrate temperature, annealing temperature and annealing time by X-ray diffraction (XRD), field Emission scanning electron microscope (FE-SEM), and Hall measurement systems. [5] The sputtering rate depending upon the DC/RF power was controlled so that the composition ratio of Cu versus In might be around 1:1, and the substrate temperature affecting the quality of the film was varied in the range of room temperature (RT) to $300^{\circ}C$ at intervals of $100^{\circ}C$, and the annealing temperature of the thin film was varied RT to $550^{\circ}C$ in intervals of $100^{\circ}C$.
Jang, Ji Geun;Park, Byung Min;Lim, Sungkyoo;Chang, Ho Jung
Korean Journal of Materials Research
/
v.24
no.8
/
pp.434-442
/
2014
Serious environmental problems have been caused by the greenhouse effect due to carbon dioxide($CO_2$) or nitrogen oxides($NO_x$) generated by the use of fossil fuels, including oil and liquefied natural gas. Many countries, including our own, the United States, those of the European Union and other developed countries around the world; have shown growing interest in clean energy, and have been concentrating on the development of new energy-saving materials and devices. Typical non-fossil-fuel sources include solar cells, wind power, tidal power, nuclear power, and fuel cells. In particular, organic solar cells(OSCs) have relatively low power-conversion efficiency(PCE) in comparison with inorganic(silicon) based solar cells, compound semiconductor solar cells and the CIGS [$Cu(In_{1-x}Ga_x)Se_2$] thin film solar cells. Recently, organic cell efficiencies greater than 10 % have been obtained by means of the development of new organic semiconducting materials, which feature improvements in crystalline properties, as well as in the quantum-dot nano-structure of the active layers. In this paper, a brief overview of solar cells in general is presented. In particular, the current development status of the next-generation OSCs including their operation principle, device-manufacturing processes, and improvements in the PCE are described.
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
/
v.23
no.11
/
pp.1297-1306
/
2012
This work presents a 77 GHz radar transmitter for the automotive radar system. An integrated 13 GHz frequency synthesizer fabricated using 130 nm RF CMOS process drives a commercial W-band compound semiconductor monolithic multifunction amplifier(MPA), which includes a frequency multiplier by six to generate 77 GHz transmitting signal. The 13 GHz frequency synthesizer includes a high efficiency injection buffer of 4 dBm output power to drive the MPA. The output power of 77 GHz radar transmitter is higher than 13.99 dBm and the magnitude of the reference spur relative to the carrier is -36.45 dBc. The phase noise is -81 dBc/Hz at 1 MHz offset frequency from the carrier.
Sin, Chang-Mi;Ryu, Hyeok-Hyeon;Lee, Jae-Yeop;Heo, Ju-Hoe;Park, Ju-Hyeon;Lee, Tae-Min;Choe, Sin-Ho;Fei, Han Qi
Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
/
2009.05a
/
pp.24.1-24.1
/
2009
The zinc oxide (ZnO) material as the II-VI compound semiconductor is useful in various fields of device applications such as light-emitting diodes (LEDs), solar cells and gas sensors due to its wide direct band gap of 3.37eV and high exciton binding energy of 60meV at room temperature. In this study, the ZnO nanorods were deposited onto homogenous buffer layer/Si(100) substrates by a hydrothermal synthesis. The Effects of the buffer layer annealing and post annealing temperature on the structural and optical properties of ZnO nanorods grown by a hydrothermal synthesis were investigated. For the buffer layer annealing case, the annealed buffer layer surface became rougher with increasing of annealing temperature up to $750^{\circ}C$, while it was smoothed with more increasing of annealing temperature due to the evaporation of buffer layer. It was found that the roughest surface of buffer layer improved the structural and optical properties of ZnO nanorods. For the post annealing case, the hydrothermally grown ZnO nanorods were annealed with various temperatures ranging from 450 to $900^{\circ}C$. Similarly in the buffer layer annealing case, the post annealing enhanced the properties of ZnO nanorods with increasing of annealing temperature up to $750^{\circ}C$. However, it was degraded with further increasing of annealing temperature due to the violent movement of atoms and evaporation. Finally, the buffer layer annealing and post annealing treatment could efficiently improve the properties of hydrothermally grown ZnO nanorods. The morphology and structural properties of ZnO nanorods grown by the hydrothermal synthesis were measured by atomic force microscopy (AFM), field emission scanning electron microscopy (SEM), and x-ray diffraction (XRD). The optical properties were also analyzed by photoluminescence (PL) measurement.
Park, Hongjong;Lee, Wonho;Jung, Joonho;Choi, Kwangseok;Kim, Jaeduk;Lee, Wangyong;Lee, Changhoon;Kwon, Youngwoo
Journal of electromagnetic engineering and science
/
v.17
no.2
/
pp.105-107
/
2017
The self-biasing circuit through a feedback resistor is applied to a gallium nitride (GaN) distributed power amplifier (PA) monolithic microwave circuit (MMIC). The self-biasing circuit is a useful scheme for biasing depletion-mode compound semiconductor devices with a negative gate bias voltage, and is widely used for common source amplifiers. However, the self-biasing circuit is rarely used for PAs, because the large DC power dissipation of the feedback resistor results in the degradation of output power and power efficiency. In this study, the feasibility of applying a self-biasing circuit through a feedback resistor to a GaN PA MMIC is examined by using the high operation voltage of GaN high-electron mobility transistors. The measured results of the proposed GaN PA are the average output power of 41.1 dBm and the average power added efficiency of 12.2% over the 6-16 GHz band.
Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
/
v.9
no.1
/
pp.990-994
/
2005
MBE growth conditions such as growth temperature, flux ration and growth rate for II-VI compound semiconductor growth has been studied. The growth temperature, flux ration and growth rate were tentatively controlled to 290$^{\circ}C$, 2, and 0.6 ${\mu}m$/h, respectively. From AFM result, relatively rough surface (RMS ${\sim}$ 2.9 nm) was observed. It was regarded as an indication of low growth temperature and high growth rate. XRD measurement shows that the film is relaxed, also the series of XRD measurements of different diffraction planes such as (002), (004), (115), (006) diffractions were performed to calculate the dislocation density in the film. The calculated dislocation density was found to be 8.30${\times}10^8$ dis/cm$^2$ which is compatible to the previous results.
Eun, Hye Rim;Woo, Sung Yun;Lee, Hwan Gi;Yoon, Young Jun;Seo, Jae Hwa;Lee, Jung-Hee;Kim, Jungjoon;Kang, In Man
Journal of Electrical Engineering and Technology
/
v.9
no.5
/
pp.1654-1659
/
2014
Tunneling field-effect transistors (TFETs) are very applicable to low standby-power application by their virtues of low off-current ($I_{off}$) and small subthreshold swing (S). However, low on-current ($I_{on}$) of silicon-based TFETs has been pointed out as a drawback. To improve $I_{on}$ of TFET, a gate-all-around (GAA) TFET based on III-V compound semiconductor with InAs/InGaAs/InP multiple-heterojunction structure is proposed and investigated. Its performances have been evaluated with the gallium (Ga) composition (x) for $In_{1-x}Ga_xAs$ in the channel region. According to the simulation results for $I_{on}$, $I_{off}$, S, and on/off current ratio ($I_{on}/I_{off}$), the device adopting $In_{0.53}Ga_{0.47}As$ channel showed the optimum direct-current (DC) performance, as a result of controlling the Ga fraction. By introducing an n-type InGaAs thin layer near the source end, improved DC characteristics and radio-frequency (RF) performances were obtained due to boosted band-to-band (BTB) tunneling efficiency.
Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
/
v.8
no.2
/
pp.440-448
/
2004
In this paper, to make a solar cell of II-Ⅵ ZnTe compound semiconductor, we studied for the property of the transparent electrode(AZO) and Buffer layer(ZnO), and for reducing the energyband gap of optical absorber layer which are most effective on its efficiency. The ZnTe thin film was used the optical absorber layer of solar cell. Zn and Te were deposited using the co-sputtering method. The thin film was sputtered RF power of Zn/50W and Te/30W, respectively and a substrate temperature of foot under Ar atmosphere of 10mTorr. The energy band gap of the thin film was 1.73ev Then the thin film was annealed at $400^{\circ}C$ for 10sec under a vacuum atmosphere. The energy band gap of 1.67eV was achieved and the film composition ratio of Zn and Te was 32% and 68%. At the best condition, the Solar Cell was manufactured and the efficiency of 6.85% (Voc: 0.69V, Jsc: 21.408㎃/$cm^2$, Fill factor (FF): 0.46) was achieved.
The micro crack was occurred where the stress concentrated by the thermal stress which was induced during the cooling period after molding process or by the various reliability tests. In order to estimate the possibility of development from inside micro crack to outside fracture, the fracture toughness of EMC should be measured under the various applicable condition. But study was conducted very rarely for the above area. In order to provide a was to decide the fracture resistance of EMC (Epoxy Molding Compound) of plastic package which is produced by using transfer molding method, measuring fracture is studied. The specimens were made with various EMC material. The diverse combination of test conditions, such as different temperature, temperature /humidity conditions, different filler shapes, and post cure treatment, were tried to examine the effects of environmental condition on the fracture toughness. This study proposed a way which could improve the reliability of LOC(Lead On Chip) type package by comparing the measured $J_{IC}$ of EMC and the calculated J-integral value from FEM(Finite Element Method). The measured $K_{IC}$ value of EMC above glass transition temperature dropped sharply as the temperature increased. The $K_{IC}$ was observed to be higher before the post cure treatment than after the post cure treatment. The change of $J_{IC}$ was significant by time change. J-integral was calculated to have maximum value the angle of the direction of fracture at the lead tip was 0 degree in SOJ package and -30 degree in TSOP package. The results FEM simulation were well agreed with the results of measurement within 5% tolerance. The package crack was proved to be affected more by the structure than by the composing material of package. The structure and the composing material are the variables to reduce the package crack.ack.
Aluminum nitride, a compound semiconductor, has a Wurtzite structure; good material properties such as high thermal conductivity, great electric conductivity, high dielectric breakdown strength, a wide energy band gap (6.2eV), a fast elastic wave speed; and excellent in thermal and chemical stability. Furthermore, the thermal expansion coefficient of the aluminum nitride is similar to those of Si and GaAs. Due to these characteristics, aluminum nitride can be applied to electric packaging components, dielectric materials, SAW (surface acoustic wave) devices, and photoelectric devices. In this study, we surveyed the crystallization and preferred orientation of AlN thin films with an X-ray diffractometer. To fabricate the AlN thin film, we used the magnetron sputtering method with $N_2$, NH3 and Ar. According to an increase in the partial pressures of $N_2$ and $NH_3$, Al was nitrified and deposited onto a substrate in a molecular form. When AlN was fabricated with $N_2$, it showed a c-axis orientation and tended toward a high orientation with an increase in the temperature. On the other hand, when AlN was fabricated with $NH_3$, it showed a-axis orientation. This result is coincident with the proposed mechanism. We fabricated AlN thin films with an a-axis orientation by controlling the sputtering electric power, $NH_3$ pressure, deposition speed, and substrate temperature. According to the proposed mechanism, we also fabricated AlN thin films which demonstrated high a-axis and c-axis orientations.
본 웹사이트에 게시된 이메일 주소가 전자우편 수집 프로그램이나
그 밖의 기술적 장치를 이용하여 무단으로 수집되는 것을 거부하며,
이를 위반시 정보통신망법에 의해 형사 처벌됨을 유념하시기 바랍니다.
[게시일 2004년 10월 1일]
이용약관
제 1 장 총칙
제 1 조 (목적)
이 이용약관은 KoreaScience 홈페이지(이하 “당 사이트”)에서 제공하는 인터넷 서비스(이하 '서비스')의 가입조건 및 이용에 관한 제반 사항과 기타 필요한 사항을 구체적으로 규정함을 목적으로 합니다.
제 2 조 (용어의 정의)
① "이용자"라 함은 당 사이트에 접속하여 이 약관에 따라 당 사이트가 제공하는 서비스를 받는 회원 및 비회원을
말합니다.
② "회원"이라 함은 서비스를 이용하기 위하여 당 사이트에 개인정보를 제공하여 아이디(ID)와 비밀번호를 부여
받은 자를 말합니다.
③ "회원 아이디(ID)"라 함은 회원의 식별 및 서비스 이용을 위하여 자신이 선정한 문자 및 숫자의 조합을
말합니다.
④ "비밀번호(패스워드)"라 함은 회원이 자신의 비밀보호를 위하여 선정한 문자 및 숫자의 조합을 말합니다.
제 3 조 (이용약관의 효력 및 변경)
① 이 약관은 당 사이트에 게시하거나 기타의 방법으로 회원에게 공지함으로써 효력이 발생합니다.
② 당 사이트는 이 약관을 개정할 경우에 적용일자 및 개정사유를 명시하여 현행 약관과 함께 당 사이트의
초기화면에 그 적용일자 7일 이전부터 적용일자 전일까지 공지합니다. 다만, 회원에게 불리하게 약관내용을
변경하는 경우에는 최소한 30일 이상의 사전 유예기간을 두고 공지합니다. 이 경우 당 사이트는 개정 전
내용과 개정 후 내용을 명확하게 비교하여 이용자가 알기 쉽도록 표시합니다.
제 4 조(약관 외 준칙)
① 이 약관은 당 사이트가 제공하는 서비스에 관한 이용안내와 함께 적용됩니다.
② 이 약관에 명시되지 아니한 사항은 관계법령의 규정이 적용됩니다.
제 2 장 이용계약의 체결
제 5 조 (이용계약의 성립 등)
① 이용계약은 이용고객이 당 사이트가 정한 약관에 「동의합니다」를 선택하고, 당 사이트가 정한
온라인신청양식을 작성하여 서비스 이용을 신청한 후, 당 사이트가 이를 승낙함으로써 성립합니다.
② 제1항의 승낙은 당 사이트가 제공하는 과학기술정보검색, 맞춤정보, 서지정보 등 다른 서비스의 이용승낙을
포함합니다.
제 6 조 (회원가입)
서비스를 이용하고자 하는 고객은 당 사이트에서 정한 회원가입양식에 개인정보를 기재하여 가입을 하여야 합니다.
제 7 조 (개인정보의 보호 및 사용)
당 사이트는 관계법령이 정하는 바에 따라 회원 등록정보를 포함한 회원의 개인정보를 보호하기 위해 노력합니다. 회원 개인정보의 보호 및 사용에 대해서는 관련법령 및 당 사이트의 개인정보 보호정책이 적용됩니다.
제 8 조 (이용 신청의 승낙과 제한)
① 당 사이트는 제6조의 규정에 의한 이용신청고객에 대하여 서비스 이용을 승낙합니다.
② 당 사이트는 아래사항에 해당하는 경우에 대해서 승낙하지 아니 합니다.
- 이용계약 신청서의 내용을 허위로 기재한 경우
- 기타 규정한 제반사항을 위반하며 신청하는 경우
제 9 조 (회원 ID 부여 및 변경 등)
① 당 사이트는 이용고객에 대하여 약관에 정하는 바에 따라 자신이 선정한 회원 ID를 부여합니다.
② 회원 ID는 원칙적으로 변경이 불가하며 부득이한 사유로 인하여 변경 하고자 하는 경우에는 해당 ID를
해지하고 재가입해야 합니다.
③ 기타 회원 개인정보 관리 및 변경 등에 관한 사항은 서비스별 안내에 정하는 바에 의합니다.
제 3 장 계약 당사자의 의무
제 10 조 (KISTI의 의무)
① 당 사이트는 이용고객이 희망한 서비스 제공 개시일에 특별한 사정이 없는 한 서비스를 이용할 수 있도록
하여야 합니다.
② 당 사이트는 개인정보 보호를 위해 보안시스템을 구축하며 개인정보 보호정책을 공시하고 준수합니다.
③ 당 사이트는 회원으로부터 제기되는 의견이나 불만이 정당하다고 객관적으로 인정될 경우에는 적절한 절차를
거쳐 즉시 처리하여야 합니다. 다만, 즉시 처리가 곤란한 경우는 회원에게 그 사유와 처리일정을 통보하여야
합니다.
제 11 조 (회원의 의무)
① 이용자는 회원가입 신청 또는 회원정보 변경 시 실명으로 모든 사항을 사실에 근거하여 작성하여야 하며,
허위 또는 타인의 정보를 등록할 경우 일체의 권리를 주장할 수 없습니다.
② 당 사이트가 관계법령 및 개인정보 보호정책에 의거하여 그 책임을 지는 경우를 제외하고 회원에게 부여된
ID의 비밀번호 관리소홀, 부정사용에 의하여 발생하는 모든 결과에 대한 책임은 회원에게 있습니다.
③ 회원은 당 사이트 및 제 3자의 지적 재산권을 침해해서는 안 됩니다.
제 4 장 서비스의 이용
제 12 조 (서비스 이용 시간)
① 서비스 이용은 당 사이트의 업무상 또는 기술상 특별한 지장이 없는 한 연중무휴, 1일 24시간 운영을
원칙으로 합니다. 단, 당 사이트는 시스템 정기점검, 증설 및 교체를 위해 당 사이트가 정한 날이나 시간에
서비스를 일시 중단할 수 있으며, 예정되어 있는 작업으로 인한 서비스 일시중단은 당 사이트 홈페이지를
통해 사전에 공지합니다.
② 당 사이트는 서비스를 특정범위로 분할하여 각 범위별로 이용가능시간을 별도로 지정할 수 있습니다. 다만
이 경우 그 내용을 공지합니다.
제 13 조 (홈페이지 저작권)
① NDSL에서 제공하는 모든 저작물의 저작권은 원저작자에게 있으며, KISTI는 복제/배포/전송권을 확보하고
있습니다.
② NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 상업적 및 기타 영리목적으로 복제/배포/전송할 경우 사전에 KISTI의 허락을
받아야 합니다.
③ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 보도, 비평, 교육, 연구 등을 위하여 정당한 범위 안에서 공정한 관행에
합치되게 인용할 수 있습니다.
④ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 무단 복제, 전송, 배포 기타 저작권법에 위반되는 방법으로 이용할 경우
저작권법 제136조에 따라 5년 이하의 징역 또는 5천만 원 이하의 벌금에 처해질 수 있습니다.
제 14 조 (유료서비스)
① 당 사이트 및 협력기관이 정한 유료서비스(원문복사 등)는 별도로 정해진 바에 따르며, 변경사항은 시행 전에
당 사이트 홈페이지를 통하여 회원에게 공지합니다.
② 유료서비스를 이용하려는 회원은 정해진 요금체계에 따라 요금을 납부해야 합니다.
제 5 장 계약 해지 및 이용 제한
제 15 조 (계약 해지)
회원이 이용계약을 해지하고자 하는 때에는 [가입해지] 메뉴를 이용해 직접 해지해야 합니다.
제 16 조 (서비스 이용제한)
① 당 사이트는 회원이 서비스 이용내용에 있어서 본 약관 제 11조 내용을 위반하거나, 다음 각 호에 해당하는
경우 서비스 이용을 제한할 수 있습니다.
- 2년 이상 서비스를 이용한 적이 없는 경우
- 기타 정상적인 서비스 운영에 방해가 될 경우
② 상기 이용제한 규정에 따라 서비스를 이용하는 회원에게 서비스 이용에 대하여 별도 공지 없이 서비스 이용의
일시정지, 이용계약 해지 할 수 있습니다.
제 17 조 (전자우편주소 수집 금지)
회원은 전자우편주소 추출기 등을 이용하여 전자우편주소를 수집 또는 제3자에게 제공할 수 없습니다.
제 6 장 손해배상 및 기타사항
제 18 조 (손해배상)
당 사이트는 무료로 제공되는 서비스와 관련하여 회원에게 어떠한 손해가 발생하더라도 당 사이트가 고의 또는 과실로 인한 손해발생을 제외하고는 이에 대하여 책임을 부담하지 아니합니다.
제 19 조 (관할 법원)
서비스 이용으로 발생한 분쟁에 대해 소송이 제기되는 경우 민사 소송법상의 관할 법원에 제기합니다.
[부 칙]
1. (시행일) 이 약관은 2016년 9월 5일부터 적용되며, 종전 약관은 본 약관으로 대체되며, 개정된 약관의 적용일 이전 가입자도 개정된 약관의 적용을 받습니다.