Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference (한국정보통신학회:학술대회논문집)
- Volume 9 Issue 1
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- Pages.990-994
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- 2005
ZnSe 박막 성장을 위한 Molecular Beam Epitaxy 성장 조건의 결정
- Jeong, Myeong-Hun ;
- Park, Seung-Hwan ;
- Kim, Gwang-Hui ;
- Jeong, Mi-Na ;
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Yang, Min
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An, Hyeong-Su
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Jang, Ji-Ho
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Kim, Hong-Seung
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- Song, Jun-Seok (Neosemitech Corporation) ;
- Yao, Takafumi (Institute for Materials Research, Tohoku University)
- 정명훈 (한국해양대학교) ;
- 박승환 (한국해양대학교) ;
- 김광희 (한국해양대학교) ;
- 정미나 (한국해양대학교) ;
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양민
(한국해양대학교) ;
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안형수
(한국해양대학교) ;
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장지호
(한국해양대학교) ;
-
김홍승
(한국해양대학교) ;
- 송준석 ;
- Published : 2005.05.27
Abstract
MBE growth conditions such as growth temperature, flux ration and growth rate for II-VI compound semiconductor growth has been studied. The growth temperature, flux ration and growth rate were tentatively controlled to 290
II-VI족 화합물 반도체를 성장하기 위한 MBE 성장 조건으로서 성장 온도, flux 율, 성장률에 대해 연구하였다. 성장 온도, flux 율, 성장률은 각각 290