Kim, Hyo-Jin;Kim, Hyoun-Soo;Kim, Do-Jin;Ihm, Young-Eon;Choo, Woong-Kil;Hwang, Chan-Yong
Journal of Magnetics
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v.12
no.4
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pp.144-148
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2007
We report on the observation of p-type conductivity and ferromagnetism in diluted magnetic semiconductor $(Zn_{0.97}Mg_{0.01}Mn_{0.02})O:P$ films grown on $SiO_2/Si$ substrates by pulsed laser deposition. The p-type conduction with hole concentration over $10^{18}cm^{-3}$ is obtained by codoping of Mg and P followed by rapid thermal annealing in an $O_2$ atmosphere. Structural and compositional analyses for the p-type $(Zn_{0.97}Mg_{0.01}Mn_{0.02})O:P$ films annealed at $800^{\circ}C$ indicates that highly c-axis oriented homogeneous films were grown without any detectable formation of secondary phases. The films were found to be transparent in the visible range. The magnetic measurements clearly revealed an enhancement of room temperature ferromagnetism by p-type doping.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.9
no.3
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pp.315-319
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1999
Properties of both photoluminescence and long-phosphorescent for Eu, Dy-codoped $SrAl_2O_4$ powder phosphor synthesized by solid reaction method were investigated by PL instrument. Two intense peaks in the emission spectrum measured at 10 K are observed near 450 nm (2.755 eV) and 520 nm (2.384 eV) wavelength, but at 300 K the main peak of 520 nm wavelength is presented. After the removal of light excitation (360 nm), the excellent after-glow characteristic of the phosphorescence were obtained as a result of low decay tiem, although the after-glow intensities of phosphor vary exponentially with the times.
The thermal endurance of fiber Bragg gratings (FBGs), written with the aid of 193-nm ArF excimer laser irradiation on H2-loaded Ge/B codoped silica fiber, and pretreated with a CO2 laser and a subsequent slow cooling process, is investigated. These treated gratings show relatively less degradation of grating strength during the thermal annealing procedure. The thermal decay characteristics of treated and untreated fiber, recorded over a time period of 9 hours, have been compared. The effect on the Bragg transmission depth (BTD) and the center-wavelength shift, as well as the growth of refractive-index change during the grating inscription process for both treated and untreated fiber, are analyzed.
We synthesized $Er^{3+}-Yb^{3+}$, $Pr^{3+}-Yb^{3+}$, and $Er^{3+}-Pr^{3+}-Yb^{3+}$ -doped oxyfluoride glass ceramics containing $CaF_2$ nanocrystals by proper thermal treatments. Spectral characteristics of down- and up-converted emissions in three kinds of glass ceramics under 365-nm and 980-nm excitations were compared and explained by cross relaxations, excited-state absorptions, and energy-transfer processes between different ions. The huge reduction of up-conversion emission in the triply doped glass ceramics under 980-nm excitation compared to the $Er^{3+}-Yb^{3+}$ codoped one was explained by the split pump power and the direct energy transfer from $Er^{3+}$ to $Pr^{3+}$ ions. Increasing $Yb^{3+}$ concentration from 2% to 10% in the triply doped glass ceramics showed more than quadratic enhancement of the absorbed power, and we explained it by the enhanced energy-transfer efficiency from $Yb^{3+}$ to $Er^{3+}$ ions. We also observed enhanced up-converted emissions of $Er^{3+}$ and $Pr^{3+}$ ions in three kinds of glass ceramics under simultaneous excitation at 980 nm and 1550 nm, and suggested detailed up-conversion mechanisms.
The fluorescence of $Eu^{3+},\;Tb^{3+}$ substituted for $La^{3+}$ in Lanthanum Oxychloride (LaOCl) has been studied. The fluorescence intensity of the $Eu^{3+},\;Tb^{3+}$ in LaOCl excited by Ultra-violet light were investigated on its activator concentration and discussed as the energy transfer process. The energy transfer from $Tb^{3+}\;to\;Eu^{3+}$ take place in the $Eu^{3+}\;and\;Tb^{3+}$ codoped LaOCl crystal. This process was confirmed to the change of concentration and the measurement of fluorescence decay time.
The possibility of improving amplification characteristics and lowering the melting point of bismuth-doped aluminosilicate glass as a new amplification material, which has broadband near-infrared emission at 1300 nm regions, was investigated. Spectroscopic analysis of bismuth-doped aluminosilicate glass shows that the addition of an alkali metal oxide, $Li_{2}O$ increases FWHM of fluorescence spectrum but decreases fluorescence intensity, while $GeO_{2}$ composition increases both FWHM of fluorescence spectrum and fluorescence intensity. Also, excellent optical amplification gain characteristics in a $GeO_{2}$-added sample were observed.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.21
no.11
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pp.977-980
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2008
We investigated the effects of power ratio on the electrical and optical properties of Au based Ga-, B- codoped ZnO(GZOB) thin films. GZOB thin films were deposited on Au based poly carbonate(PC) substrate with various power in the range from 60 to 120 W by DC magnetron sputtering. In the result, GZOB films at 100 W exhibited a low resistivity value of $1.12\times10^{-3}\Omega-cm$, and a visible transmission of 80 % with a thickness of 300 nm. This result indicated that the addition of Ga and B in ZnO films leads to the improvement of conductivity and transparent. From the result, we can confirm the possibility of the application as transparent conductive electrodes.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2007.11a
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pp.144-144
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2007
Effects of power ratio on the electrical and optical properties of Au based Ga-, B- codoped ZnO(GZOB) thin films were investigated. GZOB thin films on Au based PC flexible substrate were deposited at various power in the range from 50 to 125 W by DC magnetron sputtering. Au layer was fabricated to achieve good electrical conductivity. The presence of additional boron impurity leads to improve structural defects. Thus, the c-axis orientation along (002) plane was enhanced with the increasing of power ratio and the surface morphology of the films showed a homogeneous and nano-sized microstructure. GZOB films grown at 125W were investigated a low resistivity value of $1{\times}10^{-3}{\Omega}cm$ and a visible transmission of 80% with a thickness of 300nm.
Highly self-cleaning thin films of $TiO_2-SiO_2$ co-doped with Ag and F are prepared by the sol-gel method. The asprepared thin films consist of bottom $SiO_2$ and top $TiO_2$ layers which are modified by doping with F, Ag and F-Ag elements. XRD analysis confirms that the prepared thin film is a crystalline anatase phase. UV-vis spectra show that the light absorption of $Ag-F-TiO_2/SiO_2$ thin films is tuned in the visible region. The self-cleaning properties of the prepared films are evaluated by a water contact angle measurement under UV light irradiation. The photocatalytic performances of the thin films are studied using methylene blue dye under both UV and visible light irradiation. The $Ag-F-TiO_2/SiO_2$ thin films exhibit higher photocatalytic activity under both UV and visible light compared with other samples of pure $TiO_2$, Ag-doped $TiO_2$, and F-doped $TiO_2$ films.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2016.02a
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pp.246-246
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2016
Tungsten-nitrogen (W-N) co-doping has been known to enhance the photocatalytic activity of anatase titania nanoparticles by utilizing visible light. The doping effects are, however, largely dependent on calcination or annealing conditions, and thus, the massive production of quality-controlled photocatalysts still remains a challenge. Using density functional theory (DFT) thermodynamics and time-dependent DFT (TDDFT) computations, we investigate the atomic structures of N doping and W-N co-doping in anatase titania, as well as the effect of the thermal processing conditions. We find that W and N dopants predominantly constitute two complex structures: an N interstitial site near a Ti vacancy in the triple charge state and the simultaneous substitutions of Ti by W and the nearest O by N. The latter case induces highly localized shallow in-gap levels near the conduction band minimum (CBM) and the valence band maximum (VBM), whereas the defect complex yielded deep levels (1.9 eV above the VBM). Electronic structures suggest that substitutions of Ti by W and the nearest O by N improves the photocatalytic activity of anatase by band gap narrowing, while defective structure degrades the activity by an in-gap state-assisted electron-hole recombination, which explains the experimentally observed deep level-related photon absorption. Through the real-time propagation of TDDFT (rtp-TDDFT), we demonstrate that the presence of defective structure attracts excited electrons from the conduction band to a localized in-gap state within a much shorter time than the flat band lifetime of titania. Based on these results, we suggest that calcination under N-rich and O-poor conditions is desirable to eliminate the deep-level states to improve photocatalysis.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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