Switching Characteristics due to the Impurity Concentration and the Channel Length in Lateral MOS-controlled Thyristor (수평 구조의 MOS-controlled Thyristor에서 채널에서의 길이 및 불순물 농도에 의한 스위칭 특성)
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- Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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- v.18 no.1
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- pp.17-23
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- 2005