Purpose: The aim of this research was to evaluate the shear bond strength of different zirconia veneering ceramics with and without liner glass materials to yttria partially-stabilized tetragonal zirconia polycrystalline(Y-TZP). Methods: Five co mmercial zirconia veneering ceramics were used in this study, E-Max(EM), Creation ZI(CR), Cercon ceram kiss(CE), Triceram(TR) and Zirkonzahn ICE(ZI). All samples were prepared according to manufacturer's instructions. Experimental industrially manufactured Y-TZP ceramic blocks(diameter: 2.7 mm; height: 13.5 mm) were used in this study. Shear bond strength between zirconia ceramic coping and zirconia veneering ceramics were evaluated by the push-shear bond test. The fracture load data were analyzed using ANOVA and Scheffe's test(${\alpha}$=0.05). The fractured surfaces of zirconia core ceraimc and zirconia veneering ceramics were observed using a scanning electron microscope(SEM). Results: The mean shear bond strengths ranged from 20 MPa ($20.12{\pm}6.34$ MPa) to 66.6 MPa ($66.62{\pm}10.01$ MPa). The Triceram(TRG) showed the highest value and Creation ZI(CR) showed the lowest value. In all groups, Zirconia liner and glass material groups was significantly higher shear bond strength than without liner(P<0.05), with the exception of Cercon ceram kiss(CE)groups. Conclusion: Zirconia bonding materials may have the advantage of improved bond strength between zirconia ceramic core and veneering ceramics.
The structures of 1-fluorosilatrane and the silatranyl cation were calculated by Hartree-Fock (HF), Mofller-Plesset second order (MP2), and various density functional theory (DFT) methods using many different basis sets, demonstrating that the Si-N bonds in two species are quite different. The N${\rightarrow}$Si bond distance of 1-fluorosilatrane from the hybrid DFT calculations $({\sim}2.32{\AA})$ using the Perdew-Wang correlation functional agrees with the gas phase experimental value $(2.324{\AA})$, while other functionals yield larger distances. The MP2 bond distance (2.287${\AA}$ with 6-311$G^{\ast}$) is shorter, and the HF one (2.544 ${\AA}$ with 6-311$G^{\ast}$) larger than those of DFT calculations. The MP2 bond distance is in good agreement with experiment indicating that the electron correlations are crucial for the correct description of the N${\rightarrow}$Si interaction. The silatranyl cation is a stable local minimum on the potential energy surface in all methods employed suggesting that the cation could be a reaction intermediate. The Si-N bond length for the cation is about 1.87 ${\AA}$ for all calculations tested implying that the Si-N bond is mainly conventional. Bonding characteristics of the Si-N bond in two species derived from the natural bond orbital analysis support the above argument based on calculated bond lengths.
The effect of $MnO_{2}$ as a sintering additive on the microstructures and the piezoelectric properties, especially mechanical quality factor, of 0.05 Pb$(Sb_{0.5}Nb_{0.5})O_{3}$-0.95 Pb$(Zr_{0.52}Ti_{0.48})O_{3}$ (PSN-PZT) piezoelectric ceramics was investigated. The samples were sintered at $1250^{\circ}C$ for 2 h. The crystal structure and surface morphology of the sample were examined using XRD and FE-SEM, respectively. A study on the influence of $MnO_{2}$ additives on the dielectric and piezoelectric properties showed that the $MnO_{2}$-added PSN-PZT system exhibited a high mechanical quality factor and well-situated piezoelectric properties. The optimized results of $d_{33}$ (319 pC/N), $k_{p}$ (55 %), and $Q_{m}$ (751.24) were obtained at 0.2 wt% $MnO_{2}$ added PSN-PZT piezoelectrics.
The objective of this study is to investigate the efficacy of pomegranate hull colorant as a natural hair coloring dye. The extract of pomegranate hull was concentrated and freeze-dried to get colorant powder. Effect of dyeing condition and mordanting on the dye uptake of hair by using Al, Fe, Cu, Cr, Sn compounds, color change and colorfastness were explored. In addition, tensile strength was measured and the surface of the hair was observed. Dye uptake of hair measured by K/S value (400 nm) indicated that ionic bonding seems to be involved in the sorption of pomegranate colorant to hair. Maximum sorption was obtained at pH 3.5 and the concentration of 50% (on the weight of hair, o.w.h.). Acidic dyeing condition (pH $3.5{\sim}5.0$) showed yellow color however alkaline dyeing condition (pH $7{\sim}11$) gave reddish yellow color. Pomegranate hull colorant produced greyish brown color on hair and the hair mordanted with Fe showed dark brown color. Mordants except Fe did not increase dye uptake significantly. Mordants except Cu increased light fastness and mordants except Cr increased washing fastness level slightly. According to SEM observation and the tensile strength retention measurement, the mordant dyed hair gave more damage to hair by ultraviolet light and washing than the hair dyed without mordanting. Experimental results of K/S value and colorfastness(light and washing) supported that pomegranate hull colorant without mordanting can be used as a semi-permanent natural hair coloring dye.
Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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2011.10a
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pp.25.1-25.1
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2011
Over the past few decades, metallic nanoparticles (NPs) have been of great interest due to their unique mesoscopic properties which distinguish them from those of bulk metals; such as lowered melting points, greater versatility that allows for more ease of processability, and tunable optical and mechanical properties. Due to these unique properties, potential opportunities are seen for applications that incorporate nanomaterials into optical and electronic devices. Specifically, the development of metallic NPs has gained significant interest within the electronics field and technological community as a whole. In this study, gold (Au) pads for surface finish in electronic package were developed by inkjet printing of Au NPs. The microstructures of inkjet-printed Au film were investigated by various thermal treatment conditions. The film showed the grain growth as well as bonding between NPs. The film became denser with pore elimination when NPs were sintered under gas flows of $N_2$-bubbled through formic acid ($FA/N_2$) and $N_2$, which resulted in improvement of electrical conductance. The resistivity of film was 4.79 ${\mu}{\Omega}$-cm, about twice of bulk value. From organic anlayses of FTIR, Raman spectroscopy, and TGA, the amount of organic residue in the film was 0.43% which meant considerable removal of the solvent or organic capping molecules. The solder ball shear test was adopted for solderability and shear strength value was 820 gf (1 gf=9.81 mN) on average. This shear strength is good enough to substitute the inkjet-printed Au nanoparticulate film for electroplating in electronic package.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.23
no.9
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pp.696-700
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2010
We fabricated red and blue organic light emitting display (OLEDs) which had the two kinds of multi-structure of ITO/HIL/HTL/EML/ETL/LiF/Al and ITO/HIL/HTL/EML/ETL/LiF/Al/LiF. In the case of red OLED that had LiF/Al/LiF structure compared to LiF/Al structure, the current density increased from 4.3 mA/$cm^2$ to 7.3 mA/$cm^2$, and the brightness increased from 488 cd/$m^2$ to 1,023 cd/$m^2$ at 7.0 V, and as a result the current efficiency was improved from 11.28 cd/A to 13.95 cd/A. Also in the case of blue OLED that had LiF on Al cathode layer, the current density increased from 1.2 mA/$cm^2$ to 1.8 mA/$cm^2$, and the brightness increased from 45 cd/$m^2$ to 85 cd/$m^2$ at 7.0 V, and as a result the current efficiency was improved from 3.69 cd/A to 4.82 cd/A. Through these experimental results it could be suggested that the LiF layer formed on Al prevents the oxidation of Al surface, and the electrode resistance become low with increase of supplied electrons, therefore the brightness and the efficiency are improved from the influence to the well-balanced bonding of electron and hole at emitting layer.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.24
no.7
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pp.532-536
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2011
The silicon nitride films were prepared by chemical vapor deposition using inductively coupled plasma. During the deposition, the substrate was heated at $150^{\circ}C$ and power 1,000 W. To evolution low temperature manufacture, we have studied the role of source gases, $SiH_4$, $NH_3$, $N_2$, and $H_2$, to produce Si-N and N-H bond in a-SiNx:H film growth. $SiH_4$, $NH_3$, and $N_2$ flow rate fixed at 100, 10, and 10 sccm, $H_2$ flow rate varied from 0 to 10 sccm by small scale. To get the electrical characteristics, we makes MIM structure, and analysis surface bonding state. Experimental data show that Si-N and N-H bond is increased and hence electrical characteristics is showed 3 MV/cm breakdown-voltage, and leakage-current $10^{-7}\;A/cm^2$.
Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.2
no.2
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pp.7-10
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2001
Recently, most jewelry design employ multiple prongs that grasp the front surface of the jewel to the metal frame To keep up with recent trends in fashion. jewelry manufacturers need to produce single-prong neckalces and earings constructed with non-precious metals. In responce to this demand, Ameth Development Division and The University of Seoul researched jointly and developed a technique for setting the jewel safely using a single prong with less weight. The setting process consists of making a small trench through the jewel at the mounting point and using a low melting point tin solder, to fill the trench and bonding with the prong. The application or this technology in the setting of a natural amethyst to a single 18K gold prong resulted in a 40% reduction in cost and weight and improvement of feeling for wearing.
In this work, we have fabricated the amorphous carbon (a-C:H) thin film by using unbalanced magnetron sputtering method with the magnetron source of inside/outside electromagnetic coils as the protective coating materials. We have investigated the tribological properties of amorphous carbon films prepared with various electromagnetic coil currents for the change of the plasma density, such as hardness, friction coefficient, adhesion, and surface roughness. Raman and HRTEM were used to study the microstructure of carbon films. In the result, the hardness and adhesion properties of a-C:H films were improved with increasing electromagnetic coil current due to the increase of the plasma density to the substrate. Thus, these results can be explained by the increase of $sp^2$ bonding and cluster number in the amorphous carbon film, related to the improved bombardment around substrate and the increased substrate temperature.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2013.02a
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pp.221-221
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2013
Striving to replace the well known silicon nanocrystals embedded in oxides with solution-processable charge-trapping materials has been debated because of large scale and cost effective demands. Herein, a silicon quantum dot-polystyrene nanocomposite (SiQD-PS NC) was synthesized by postfunctionalization of hydrogen-terminated silicon quantum dots (H-SiQDs) with styrene using a thermally induced surface-initiated polymerization approach. The NC contains two miscible components: PS and SiQD@PS, which respectively are polystyrene and polystyrene chains-capped SiQDs. Spin-coated films of the nanocomposite on various substrate were thermally annealed at different temperatures and subsequently used to construct metal-insulator-semiconductor (MIS) devices and thin film field effect transistors (TFTs) having a structure p-$S^{++}$/$SiO_2$/NC/pentacene/Au source-drain. C-V curves obtained from the MIS devices exhibit a well-defined counterclockwise hysteresis with negative fat band shifts, which was stable over a wide range of curing temperature ($50{\sim}250^{\circ}C$. The positive charge trapping capability of the NC originates from the spherical potential well structure of the SiQD@PS component while the strong chemical bonding between SiQDs and polystyrene chains accounts for the thermal stability of the charge trapping property. The transfer curve of the transistor was controllably shifted to the negative direction by chaining applied gate voltage. Thereby, this newly synthesized and solution processable SiQD-PS nanocomposite is applicable as charge trapping materials for TFT based memory devices.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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