Details of carrier dynamics in self-assembled quantum dots (QDs) with a particular attention to nonradiative processes are not only interesting for fundamental physics, but it is also relevant to performance of optoelectronic devices and the exploitation of nanocrystals in practical applications. In general, the possible processes in such systems can be considered as radiative relaxation, carrier transfer between dots of different dimensions, Auger nonradiactive scattering, thermal escape from the dot, and trapping in surface and/or defects states. Authors of recent studies have proposed a mechanism for the carrier dynamics of time-resolved photoluminescence CdTe (a type II-VI QDs) systems. This mechanism involves the activation of phonons mediated by electron-phonon interactions. Confinement of both electrons and holes is strongly dependent on the thermal escape process, which can include multi-longitudinal optical phonon absorption resulting from carriers trapped in QD surface defects. Furthermore, the discrete quantized energies in the QD density of states (1S, 2S, 1P, etc.) arise mainly from ${\delta}$-functions in the QDs, which are related to different orbitals. Multiple discrete transitions between well separated energy states may play a critical role in carrier dynamics at low temperature when the thermal escape processes is not available. The decay time in QD structures slightly increases with temperature due to the redistribution of the QDs into discrete levels. Among II-VI QDs, wide-gap CdZnTe QD structures characterized by large excitonic binding energies are of great interest because of their potential use in optoelectronic devices that operate in the green spectral range. Furthermore, CdZnTe layers have emerged as excellent candidates for possible fabrication of ferroelectric non-volatile flash memory. In this study, we investigated the optical properties of CdZnTe/ZnTe QDs on Si substrate grown using molecular beam epitaxy. Time-resolved and temperature-dependent PL measurements were carried out in order to investigate the temperature-dependent carrier dynamics and the activation energy of CdZnTe/ZnTe QDs on Si substrate.
Using the extended H$\ddot{u}$ckel molecular orbital method in connection with the tight binding model, we have studied electronic structure and related properties of superconducting $YBa_2Cu_3O_{7-x}$ crystals in which O-atoms in regular sites were selectively replaced with F atoms. The calculations are based on the crystal structure of Y-Ba-Cu-O obtained by Beno et al.. We use atomic coordinates that refer to the unrelaxed Y-Ba-Cu-O system. In analogy to the isomerism problem with molecules, we discuss all possible combinations of F-substitutions in O-sites with one, two, and four F atoms. The calculations are carried out within charged clusters model for the analogues of the YBa-free copperoxide. Our results suggest that the electronic structure of the symmetrically F-substituted or F-added compound is closer to that of the oxygen-deficient superconducting compound than that obtained from unsymmetrical substitution. This applies in particular if O is replaced with in an O(1) site. This suggests that superconductivity is very sensitive to the oxygen content of the $CuO_2$ layers.
Epilepsy is a chronic neurological disease characterized by spontaneous recurrent seizures and caused by various factors and mechanisms. Malfunction of the olfactory bulb is frequently observed in patients with epilepsy. However, the morphological changes in the olfactory bulb during epilepsy-induced neuropathology have not been elucidated. Therefore, in the present study, we investigated the expression of parvalbumin (PV), one of the calcium-binding proteins, and morphological changes in the rat main olfactory bulb (MOB) following pilo-carpine-induced status epilepticus (SE). Pilocarpine-induced SE resulted in neuronal degeneration in the external plexiform layer (EPL) and glomerular layer (GL) of the MOB. PV immunoreactivity was observed in the neuronal somas and processes in the EPL and GL of the control group. However, six hours after pilocarpine administration, PV expression was remarkably decreased in the neuronal processes compared to the somas and the average number of PV-positive interneurons was significantly decreased. Three months after pilocarpine treatment, the number of PV-positive interneurons was also significantly decreased compared to the 6 hour group in both layers. In addition, the number of NeuN-positive neurons was also significantly decreased in the EPL and GL following pilocarpine treatment. In double immunofluorescence staining for PV and MAP2, the immunoreactivity for MAP2 around the PV-positive neurons was significantly decreased three months after pilocarpine treatment. Therefore, the present findings suggest that decreases in PV-positive GABAergic interneurons and dendritic density in the MOB induced impaired calcium buffering and reciprocal synaptic transmission. Thus, these alterations may be considered key factors aggravating olfactory function in patients with epilepsy.
본 논문에서는 프로토콜 조합 및 서비스 참조 기법을 지원하는 Customizable Architecture for Flexible Execution Environment(CAFEs) 실행환경을 실제 및 구현한다. CAFEs 실행환경은 프로토콜 및 서비스 소프트웨어의 재사용성을 높이기 위하여 기존 프로토콜의 기능 또는 알고리즘을 구현한 마이크로 프로토콜과 기존 응용과 호환하고 액티브 네트워크 서비스를 배포하기 위한 수단으로 동작하는 액티브 서비스라는 새로운 개념을 제시한다. 제안된 액티브 네트워크 실행환경은 기능에 따라 세 부분으로 설계되어 있다. 첫째, 가상 네트워크 시스템은 기존의 다양한 프로토콜 계층을 기반으로 가상 네트워크 채널을 형성하고 이를 바탕으로 액티브 노드를 연결한다. 둘째, 프로토콜 및 서비스 관리자는 마이크로 프로토콜 및 액티브 서비스를 합성함으로써 새로운 프로토콜과 서비스를 제공하는 역할을 담당한다. 마지막으로 이벤트 엔진은 이벤트 위임 모델을 사용하여 서비스에 존재하는 컴보넌트의 상태전이를 자동으로 감지한다. 그리고 개발된 CAFEs 실행환경을 검증하기 위하여 무선 인터넷 환경에서 사용자 단말에 적합한 웹 컨텐츠를 전달하기 위한 실험을 수행하여 가용성을 확보하였다.
In the thin film alloy formation of the transition metals ion-beam-mixing technique forms a metastable structure which cannot be found in the arc-melted metal alloys. Sppecifically it is well known that the studies about the electronic structure of ion-beam-mixed alloys pprovide the useful information in understanding the metastable structures in the metal alloy. We studied the electronic change in the ion-beam-mixed ppt-Ct alloys by XppS and XANES. These analysis tools pprovide us information about the charge transfer in the valence band of intermetallic bonding. The multi-layered films were depposited on the SiO2 substrate by the sequential electron beam evapporation at a ppressure of less than 5$\times$10-7 Torr. These compprise of 4 ppairs of ppt and Cu layers where thicknesses of each layer were varied in order to change the alloy compposition. Ion-beam-mixing pprocess was carried out with 80 keV Ae+ ions with a dose of $1.5\times$ 1016 Ar+/cm2 at room tempperature. The core and valence level energy shift in these system were investigated by x-ray pphotoelectron sppectroscoppy(XppS) pphotoelectrons were excited by monochromatized Al K a(1486.6 eV) The ppass energy of the hemisppherical analyzer was 23.5 eV. Core-level binding energies were calibrated with the Fermi level edge. ppt L3-edge and Cu K-edge XANES sppectra were measured with the flourescence mode detector at the 3C1 beam line of the ppLS (ppohang light source). By using the change of White line(WL) area of the each metal sites and the core level shift we can obtain the information about the electrons pparticippating in the intermetallic bonding of the ion-beam-mixed alloys.
Single-walled carbon nanotubes (SWNTs) have been considered as a promising candidate for nextgeneration electronics due to its extraordinary electrical properties associated with one-dimensional structure. Since diversity in electronic structure depends on geometrical features, the major concern has been focused on obtaining the diameter, chirality, and density controlled SWNTs. Despite huge efforts, the controlled synthesis of SWNTs has not been achieved. There have been various approaches to synthesize controlled SWNTs by preparation of homogeneously sized catalyst because the SWNTs diameter highly depends on catalyst nanoparticles size. In this study, geometrically controlled SWNTs were synthesized using designed catalytic layers: (a) morphologically modified Al2O3 supporting layer (Fe/Al2O3/Si), (b) Mo capping layer (Mo/Fe/Al/Si), and (c) heat-driven diffusion and subsequent evaporation process of Fe catalytic nanoparticles (Al2O3/Fe/Al2O3/Si). These results clearly revealed that (a) the grain diameter and RMS roughness of Al2O3 supporting layer play a key role as a diffusion barrier for obtaining Fe nanoparticles with a uniform and small size, (b) a density and diameter of SWNTs can be simultaneously controlled by adjusting a thickness of Mo capping layer on Fe catalytic layer, and (c) SWNTs diameter was successfully controlled within a few A scale even with its fine distribution. This precise control results in bandgap manipulation of the semiconducting SWNTs, determined by direct comparison of Raman spectra and theory of extended tight binding Kataura plot. We suggest that these results provide a simple and possible way for the direct growth of diameter, density, and bandgap controlled SWNTs by precise controlling the formation of catalytic films, which will be in demand for future electronic applications.
The superior properties of ZnO such as high exciton binding energy, high thermal and chemical stability, low growth temperature and possibility of wet etching process in ZnO have great interest for applications ranging from optoelectronics to chemical sensor. Particularly, vertically well-aligned ZnO nanorods on large areas with good optical and structural properties are of special interest for the fabrication of electronic and optical nanodevices. Currently, low-dimensional ZnO is synthesized by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD), molecular beam epitaxy (MBE), thermal evaporation, and sol.gel growth. Recently, our group has been reported about achievement the growth of Ga-doped ZnO nanorods using ZnO seed layer on p-type Si substrate by RF magnetron sputtering system at high rf power and high growth temperature. However, the crystallinity of nanorods deteriorates due to lattice mismatch between nanorods and Si substrate. Also, in the growth of oxide using sputtering, the oxygen flow ratio relative to argon gas flow is an important growth parameter and significantly affects the structural properties. In this study, Phosphorus (P) doped ZnO nanorods were grown on c-sapphire substrates without seed layer by radio frequency magnetron sputtering with various argon/oxygen gas ratios. The layer change films into nanorods with decreasing oxygen partial pressure. The diameter and length of vertically well-aligned on the c-sapphire substrate are in the range of 51-103 nm and about 725 nm, respectively. The photoluminescence spectra of the nanorods are dominated by intense near band-edge emission with weak deep-level emission.
광경화 아크릴고분자 필름에서 이온이동에 관한 연구를 하였다. 고분자에 결합된 아민기와 카르복실산 작용기의 함량을 조절하여 수소이온과 수산화이온의 이동에 적합한 필름을 제조하였다. 수소이온 이동 검출을 위해 p-methylred(PMR) 유도체를 사용하였고 수산화이온 검출을 위해 페놀프탈레인 유도체를 합성하여 각각 고분자에 도입하였다. 수소이온의 이동은 아민기의 함량이 많을수록 빠르게 진행되었고 수산화이온은 카르복실산의 함량이 높을수록 빠르게 이동하였다. 수소이온 이동은 필름표면과 내부로 빠르게 진행하였고 PMR 포함 필름의 흡수스펙트럼을 통해 관찰되었다. 산 용액에 감응하는 필름을 사용하여 색상변화의 가역성을 관찰하였고 연속 50회를 실시하는 동안 정확히 재현되었다. 구리(II) 이온은 카르복실산 작용기의 함량이 높은 필름에서 빠르게 이동하였다. 로다민이 도입된 필름에서 구리이온의 배위로 로다민의 고리열림 반응이 진행되었고 광흡수 및 발광특성 측정을 통해 구리이온의 이동을 추적하였다.
이 총설에서는 개별인식 태그와 바이오센서 등에 사용가능성이 높은 실리콘 기반의 캐패시터와 유기 박막트랜지스터 소자의 제작과 차이점이 논하여 진다. 금속이나 혹은 비금속의 나노입자는 화학물질이나 혹은 바이오분자, 즉, 단백질과 올리고 DNA 등에 표면이 싸여질 수 있으며, 상응하는 목표 바이오분자가 결합되어져 있는 절연체에 자기조립 단일층을 형성할 수 있다. 단일층으로 형성된 나노입자는 정전하 기본단위로서 유기 메모리 소자의 나노 플로팅 게이트로서 역할을 하는 것이다. 특히, 바이오분자의 선택적이고 강한 결합 메카니즘을 통하여도, 메모리 캐패시터나 유기 메모리 박막트랜지스터가 성공적으로 시연되었다. 더불어, 이러한 유기 메모리 소자는 차후 유연기판의 유기전자소자 영역의 발전을 촉진할 것으로 기대된다. 또한, 유기 메모리 박막트랜지스터는 앞으로 새로운 개념의 소자로의 적용이 가능하다.
A superconducting phase La2CuO4+δ (Tc=44 K) has been prepared by electrochemical oxidation which allows the oxygen to intercalat into the La2O2 layers. According to the Cu K-edge X-ray absorption near edge structure spectroscopic analysis, the oxidized phase shows an overall spectra shift of about 0.5 eV to a higher energy region compared to the as sintered one with the occurrence of an additional peak corresponding to the transition to the |1s13dn+1L-14pσ1 > final state, indicating the oxidation of CuO2 layer. From the X-ray photoelectron spectroscopic studies, it is found that the binding energy of La 3d5/2 is significantly shifted from 834.3 eV (as sintered La2CuO4) to 833.6 eV (as electrochemically oxidized La2CuO4+δ), implying that the covalency of the (La-O) bond is decreased due to the oxygen intercalation. The O 1s spectra do not provide an evidence of the superoxide or peroxide, but the oxide (O2-) with the contaminated carbonate (CO32-) based on the peaks at 529 eV and 532 eV, respectively, which is clearly confirmed by the Auger spectroscopic analysis. Oxygen contents determined by iodometric titration (δ=0.07) and thermogravimetry (δ=0.09) show good coincidence each other, also giving an evidence for the "O2-" nature of excess oxygen. From the above results, it is concluded that "O2-" appeared as O 1s peak at 528.6 eV is responsible for superconductivity of La2CuO4+δ.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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