• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2015년도 제49회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.136.2-136.2
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• 2015

반도체 제조는 chip의 성능 향상 및 단가 하락을 위해 지속적으로 pattern size가 nano size로 감소해 왔고, capacitor 용량은 증가해 왔다. 이러한 현상은 contact hole의 aspect ratio를 지속적으로 증가시킨바, 그에 따라 최적의 HARC (high aspect ratio contact)을 확보하는 적합한 dry etch process가 필수적이다. 그러나 HARC dry etch process는 많은 critical plasma properties 에 의존하는 매우 복잡한 공정이다. 따라서, critical plasma properties를 적절히 조절하여 higher aspect ratio, higher etch selectivity, tighter critical dimension control, lower P2ID과 같은 plasma characteristics을 확보하는 것이 요구된다. 현재 critical plasma properties를 제어하기 위해 다양한 plasma etching 방법이 연구 되어왔다. 이 중 plasma를 낮은 kHz의 frequency에서 on/off 하는 pulsed plasma etching technique은 nanoscale semiconductor material의 etch 특성을 효과적으로 향상 시킬 수 있다. 따라서 본 실험에서는 dual-frequency capacitive coupled plasma (DF-CCP)을 사용하여 plasma operation 동안 duty ratio와 pulse frequency와 같은 pulse parameters를 적용하여 plasma의 특성을 각각 제어함으로써 etch selectivity와 uniformity를 향상 시키고자 하였다. Selective SiO2 contact etching을 위해 top electrode에는 60 MHz pulsed RF source power를, bottom electrode에는 2MHz pulse plasma를 인가하여 synchronously pulsed dual-frequency capacitive coupled plasma (DF-CCP)에서의 plasma 특성과 dual pulsed plasma의 sync. pulsing duty ratio의 영향에 따른 etching 특성 등을 연구 진행하였다. 또한 emissive probe를 통해 전자온도, OES를 통한 radical 분석으로 critical Plasma properties를 분석하였고 SEM을 통한 etch 특성분석과 XPS를 통한 표면분석도 함께 진행하였다. 그 결과 60%의 source duty percentage와 50%의 bias duty percentage에서 가장 향상된 etch 특성을 얻을 수 있었다.

• 한국의류학회지
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• 제22권1호
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• pp.41-48
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• 1998

An investigation made of the easing contraction ratio according to sewing conditions (eased seam angle; 0$^{\circ}$ 20$^{\circ}$ 30$^{\circ}$ 45$^{\circ}$ 60$^{\circ}$ 70$^{\circ}$ 90$^{\circ}$, stitch density; 38 stitches/3 cm(N1.0), 26 stitches/ 3 cm(N1.5), 19 stitches/3 cm(N2.0), 14 stitches/3 cm(N2.5), 12 stitches/3 cm(N3.0), thread; sp 60' s/2) by lockstitch industrial sewing machine with shirring foot. The results abstained were as follows: 1. The lower the stitch density , the higher the easing contraction ratio. 2. The easing contraction ratio at 0$^{\circ}$ and 90$^{\circ}$ were lower than bias angles (20$^{\circ}$, 30$^{\circ}$, 45$^{\circ}$, 60$^{\circ}$, 70$^{\circ}$). 3. As the results of visual test, the maximum easing conditions were Fl -0$^{\circ}$.20$^{\circ}$.30$^{\circ}$.45$^{\circ}$-12 stitches/3 cm(N3.0), 60$^{\circ}$. 70$^{\circ}$. 90$^{\circ}$-14 stitches/3 cm(N2.5), F2 -0$^{\circ}$. 20$^{\circ}$.30$^{\circ}$.60$^{\circ}$.70$^{\circ}$.90$^{\circ}$-19 stitches/ 3 cm(N2.0), 45$^{\circ}$ -14 stitches/3 cm(N2.5), and F3 -0$^{\circ}$.20$^{\circ}$.30$^{\circ}$.45$^{\circ}$.60$^{\circ}$.70$^{\circ}$.90$^{\circ}$-19 stitches/3 cm (N2.0). 4. Approximately easing contraction ratio was obtained as 2.0% (N1.0)~ 10.2% (N3.0) in F1, 6.7% (N1.0)~ 15.7% (N2.0) in F2, and 5.2% (N1.0)~ 12.1% (N2.0) in F3, according to different angles on the sleeve cap curve line. 5. As a resets of SPSS PC) statistics analysis, it confirmed the relations which were observed between easing contration ratio and stitch density, and easing contraction ratio was correlated with bending properties.

• 한국전자파학회논문지
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• 제19권8호
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• pp.807-813
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• 2008

본 논문에서는 선형성 증가를 위해 도허티 증폭기의 게이트 바이어스를 조정하는 방식을 제시하였다. 도허티 증폭기의 선형성 향상은 출력 결합 지점에서의 고조파 상쇄를 통해 이루어진다. 하지만 고조파의 상쇄는 그 크기와 위상이 출력 지점에서 같은 크기와 서로 다른 위상을 가지고 있어야 이루어질 수 있는데, 넓은 출력 전력 범위에서 위와 같은 조건을 만족시키는 것은 쉽지 않다. 선형성 증가를 위해 도허티 증폭기의 캐리어 증폭기와 피킹 증폭기의 선형성 특성을 입력 전력과 각 증폭기의 게이트 바이어스를 조정함으로써 살펴보았다. 살펴본 특성을 기본으로 하여 고조파 상쇄 전력 범위를 증가시키기 위해, 각 전력 레벨에 맞는 게이트 바이어스를 증폭기에 인가하였다. 게이트 바이어스 제어를 통한 선형성 향상을 알아보기 위해, 2.345 GHz에서 Eudyna사의 10-W PEP GaN HEMT EGN010MK 소자를 이용하여 도허티 전력 증폭기를 설계하였고, $P_{1dB}$로부터 10 dB back-off 지점인 33 dBm에서 고효율과 고선형성을 위해 최적화 되었다. WCDMA 1-FA 신호에 대해 제안된 게이트 바이어스 컨트롤 된 도허티 증폭기는 2.8 dB의 선형성 개선을 확인할 수 있었으며, 26 %의 PAE를 확인할 수 있었다. 또한, 802.16-2004 신호에 대해 RCE가 2 dB 증가됨을 확인할 수 있었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.307-307
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• 2013

초고집적 회로에 적용되는 반도체 소자의critical dimension (CD)이 수 nano 사이즈로 줄어들고 있기 때문에, 다양한 물질의 식각을 할 때, 건식식각의 중요성이 더 강조되고 있다. 특히 $SiO_2$와 같은 유전체 물질을 식각할 때, plasma process induced damages (P2IDs)가 관찰되어 왔고, 이러한 P2IDs를 줄이기 위해, pulsed-time modulation plasma가 광범위하게 연구되어 왔다. Pulsed plasma는 정기적으로 radio frequency (RF) power on과 off를 반복하여 rf power가 off된 동안, 평균전자 온도를 낮춤으로써, 웨이퍼로 입사되는 전하 축적을 효과적으로 줄일 수 있다. 또한 fluorocarbon plasmas를 사용하여 $SiO_2$를 식각하기 위해 Dual-Frequency Capacitive coupled plasma (DF-CCP)도 널리 연구되어 왔는데, 이것은 기존의 방법과는 다르게 plasma 밀도와 ion bombardment energy를 독립적으로 조절 가능하다는 장점이 있어서 미세 패턴을 식각할 때 효과적이다. 본 연구에서는 Source power에는 60 MHz pulsed radio frequency (RF)를, bias power에는 2 MHz continuous wave (CW) rf power가 사용된 system에서 Ar/$C_4$ F8/$O_2$ 가스 조합으로, amorphous carbon layer (ACL)가 hard mask로 사용된 $SiO_2$를 식각했다. 그리고 source pulse의 duty ratio와 pulse frequency의 효과에 따른 $SiO_2$의 식각특성을 연구하였다. 그 결과, duty ratio의 감소에 따라 $SiO_2$, ACL의 etch rate이 감소했지만, $SiO_2$/ACL의 etch selectivity는 증가하였다. 반면에 pulse frequency의 변화에 따른 두 물질의 etch selectivity는 크게 변화가 없었다. 그 이유는 pulse 조건인 duty ratio의 감소가 전자 온도 및 전자 에너지를 낮춰 $C_2F8$가스의 분해를 감소시켰으며, 이로 인해 식각된 $SiO_2$의 surface와 sidewall에 fluorocarbon polymer의 형성이 증가하였기 때문이다. 또한 duty ratio의 감소에 따라 etch selectivity뿐만 아니라 etch profile까지 향상되는 것을 확인할 수 있었다.

• Journal of Biosystems Engineering
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• 제34권2호
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• pp.71-76
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• 2009

This study was conducted to investigate the load acting on a tractor engine when it delivers the maximum power at drawbar. The results of the drawbar tests on the 5 locally-made and 14 imported tractors conducted at NIAE in 2004, and the 15 tractors tested at OECD test stations in foreign countries were analyzed and presented by the torque load ratio, defined as a ratio of the engine torque load caused by drawbar pull to its full-load capacity, as a function of pull speed. The NIAE test results showed that the torque load ratio increased from 20 to 80% with pull speed less than 5 km/h. At speeds faster than 5 km/h, it was 80${\sim}$110% regardless of the pull speed. However, the OECD test results showed that the torque load ratio was evaluated mostly to be 70${\sim}$90% in the entire pull speed range. The same trend was also shown for the maximum drawbar load. The difference in the torque load ratio may be attributable to bias-ply tires for locally-made and some imported tractors. It is also suggested that the input torque load may be increased safely up to 120% of the full load capacity of the tractor engine for an accelerated life test of tractor transmissions.

• 한국진공학회지
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• 제7권3호
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• pp.242-247
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• 1998

DC saddle-field-plasma-enhanced chemical-vapor deposition(PECVD) 장치를 이용 하여 상온에서 p-type Si(100)기판위에 hydrogenated amorphous carbon nitride [a-C:H(N)] 박막을 증착하였다. 원료가스인 $CH_4$과 $N_2$의 전체압력은 90mTorr로 고정하고 $N_2/CH_4$비를 0 에서 4까지 변화하면서 제작한 a-C:H(N)박막의 미세구조의 변화를 연구하였다. 진공조의 도달 진공도는 $1\times10^{-6}$Torr이고, 본 실험시 $N_2+CH_4$가스의 유량은 5sccm으로 고정하고 배 기량을 조절하여 진공조의 가스 압력을 90mTorr로 고정하였으며 기판에 200V의 직류 bias 전압을 인가하였다. $\alpha$-step과 X-ray photoelectron spectroscopy(XPS)를 이용한 분석결과 $N_2/CH_4$비가 0에서 0.5로 증가함에 따라 박막 두께는 4840$\AA$에서 2600$\AA$으로 급격히 감소하 였으며, 박막내의 탄소에 대한 질소함유량(N/C비)는 N2/CH4비가 4일 때 최대 0.25로 증가하 는 것을 확인하였다. 또한 XPS 스펙트럼의 fitting 결과 $N_2/CH_4$비가 증가할수록 CN결합이 증가하였다. Fourier Transformation Infrared(FT-IR) 분석결과 $N_2/CH_4$비가 증가함에 따라 박막내의 C-H결합은 감소하고, N-H, C≡N결합은 증가하였다. Optical bandgap 측정 결과 $N_2/CH_4$비가 0에서 4로 증가함에 따라 a-C:H(N)박막의 bandgap 에너지는 2.53eV에서 2.3eV 로 감소하는 것을 확인하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1999년도 하계학술대회 논문집 D
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• pp.1550-1552
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• 1999

In this study, (Ba,Sr)$TiO_3$ thin films were etched with a magnetically enhanced inductively coupled plasma (MEICP) as a function $CF_4$/Ar gas mixing ratio. Experimental was done by varying the etching parameters such as rf power, dc bias and chamber pressure. The maximum etch rate of the BST films was $1700{\AA}$/min under $CF_4/(CF_4+Ar)$ of 0.1, 600W/350V and 5 mTorr. The selectivity of BST to Pt and PR was 0.6, 0.7, respectively. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) studies shows that there are surface reaction between Ba, Sr, Ti and C, F radicals during the (Ba,Sr)$TiO_3$ etching. To analysis the composition of surface residue remaining after the etching, films etched with different $CF_4$/Ar gas mixing ratio were investigated using XPS.

• ETRI Journal
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• 제36권3호
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• pp.510-513
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• 2014

A Q-band pHEMT image-rejection low-noise amplifier (IR-LNA) is presented using inter-stage tunable resonators. The inter-stage L-C resonators can maximize an image rejection by functioning as inter-stage matching circuits at an operating frequency ($F_{OP}$) and short circuits at an image frequency ($F_{IM}$). In addition, it also brings more wideband image rejection than conventional notch filters. Moreover, tunable varactors in L-C resonators not only compensate for the mismatch of an image frequency induced by the process variation or model error but can also change the image frequency according to a required RF frequency. The implemented pHEMT IR-LNA shows 54.3 dB maximum image rejection ratio (IRR). By changing the varactor bias, the image frequency shifts from 27 GHz to 37 GHz with over 40 dB IRR, a 19.1 dB to 17.6 dB peak gain, and 3.2 dB to 4.3 dB noise figure. To the best of the authors' knowledge, it shows the highest IRR and $F_{IM}/F_{OP}$ of the reported millimeter/quasi-millimeter wave IR-LNAs.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2006년도 추계학술대회 논문집 Vol.19
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• pp.149-150
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• 2006

A ZnO nanowire-based FET is fabricated m this study on a flexible substrate of PES. For the flat and bent flexible substrates, the current ($I_D$) versus drain-source bias voltage ($V_{DS}$) and $I_D$ versus gate voltage ($V_G$) results are compared. The flat band was Ion/Ioff ratio of ${\sim}10^7$, a transconductance of 179 nS and a mobility of ~10.104 cm2/Vs at $V_{DS}$ =1 V. Also bent to a radius curvature of 0.15cm and experienced by an approximately strain of 0.77 % are exhibited an Ion/Ioff ratio of ${\sim}10^7$, a transconductance of ~179 nS and a mobility of ${\sim}10.10 cm^2/Vs$ at $V_{DS}$ = 1V. The electrical characteristics of the FET are not changed very much. although the large strain is given on the device m the bent state.

• 한국임상약학회지
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• 제25권3호
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• pp.131-137
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• 2015

Background: The protective effect of metformin against breast cancer is inconclusive. Objective: To evaluate the effect of metformin on breast cancer risk and mortality in patients with type 2 diabetes. Method: A comprehensive literature search was performed for pertinent articles published prior to June 30, 2014, using PubMed and EMBASE. Study heterogeneity was estimated with $I^2$ statistic. The data from the included studies were pooled and weighted by random-effects model. The quality of each included study was assessed on the basis of the 9-star Newcastle-Ottawa Scale and publication bias was evaluated by visual inspection of a funnel plot. Results: Ten studies were included in the meta-analysis of the association of metformin and breast cancer risk. By synthesizing the data from the studies, the pooled odds ratio (OR) was 0.72 (95% CI: 0.59, 0.87) (p = 0.0005). Three cohort studies were included for meta-analysis of the association between metformin and breast cancer-related mortality. Metformin was associated with a significant decrease in mortality (Risk ratio: 0.68; 95% CI: 0.51, 0.90, p = 0.007). Conclusion: The present meta-analysis suggests that metformin appears to be associated with a lower risk of breast cancer incidence and mortality in patients with type 2 diabetes.