산화막 형성 방법에 따른 전계판 구조 탄화규소 쇼트키 다이오드의 역전압 특성
(Reverse Characteristics of Field Plate Edge Terminated SiC Schottky Diode with $SiO_2$ formed Various Methods)
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- 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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- 한국전기전자재료학회 2004년도 하계학술대회 논문집 Vol.5 No.1
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- pp.409-412
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- 2004