• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2008년도 International Meeting on Information Display
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• pp.20-23
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• 2008

We proposed a-Si:H TFT (hydrogenated amorphous silicon thin film transistor) level shifter which reduced number of power sources. To reduce the number of power sources from four to two, modified bootstrapped inverter was used for the level shifter. The shift register was verified by PSPICE circuit simulation and fabricated. The fabricated level shifter successfully shifted low input (0 to 5 V) to high level output (-7 to 23 V).

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권2호
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• pp.1176-1178
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• 2007

A novel integrated a-Si:H gate driver with high reliability has been designed and simulated. Since the a-Si:H TFT is easily degraded by gate bias stress, we should optimize the circuit considering the threshold voltage shift. The conventional circuit shows voltage drop at the input stage by threshold voltage of the TFT, however, the proposed circuit dose not shows voltage drop and keeps constant regardless of threshold voltage shift of the TFT.

• 전기학회논문지
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• 제56권1호
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• pp.112-116
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• 2007

We have investigated the hysteresis phenomenon of a hydrogenated amorphous silicon thin film transistor (a-Si:H TFT) and analyzed the effect of hysteresis phenomenon when a-Si:H TFT is a pixel element of active matrix organic light emitting diode (AMOLED). When a-Si:H TFT is addressed to different starting gate voltages, such as 10V and 5V, the measured transfer characteristics with 1uA at $V_{DS}$ = 10V shows that the gate voltage shift of 0.15V is occurred due to the different quantities of trapped charge. When the step gate-voltage in the transfer curve is decreased from 0.5V to 0.05V, the gate-voltage shift is decreased from 0.78V to 0.39V due to the change of charge do-trapping rate. The measured OLED current in the widely used 2-TFT pixel show that a gate-voltage of TFT in the previous frame can influence OLED current in the present frame by 35% due to the change of interface trap density induced by different starting gate voltages.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2006년도 제37회 하계학술대회 논문집 D
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• pp.2061-2062
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• 2006

a-Si(amorphous silicon) TFT(thin film transistor)는 TFT-LCD(liquid crystal display)의 화소 스위칭(switching) 소자로 폭넓게 이용되고 있다. 현재는 a-Si을 이용하여 gate drive IC를 기판에 집적하는 ASG(amorphous silicon gate) 기술이 연구, 적용되고 있는데 이때 가장 큰 제약은 문턱 전압(Vth)의 이동이다. 특히 고온에서는 문턱 전압의(Vth) 이동이 가속화 되고, Ioff current가 증가 하게 되고, 저온($0^{\circ}C$)에서는 전류 구동능력이 상온($25^{\circ}C$) 상태에서 같은 게이트 전압(Vg)에 대해서 50% 수준으로 감소하게 된다. 특히 ASG 회로는 여러 개의 TFT로 구성되는데, 각각의 TFT가 고온에서 Vth shift 값이 다르게 되어 설계시 예상하지 못 한 고온에서의 화면 무너짐 현상 즉 고온 노이즈 불량이 발생 할 수 있다. 고온 노이즈 불량은 고온에서의 각 TFT의 문턱전압 및 $I_D-V_G$ 특성을 측정한 결과 고온 노이즈 불량에 영향을 주는 인자가 TFT의 width와 기생 capacitor비 hold TFT width가 영향을 주는 것으로 실험 및 시뮬레이션 결과 확인이 되었다. 발생 mechanism은 ASG 회로는 AC 구동을 하기 때문에 Voff 전위에 ripple이 발생 되는데 특히 고온에서 ripple이 크게 증가 하여 출력 signal에 영향을 주어 불량이 발생하는 것을 규명하였다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2002년도 International Meeting on Information Display
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• pp.46-49
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• 2002

Recent trends of low-temperature polycrystalline Si (LTPS) TFT technologies are presented. Characteristics of LTPS TFT processes are compared with those of a-Si TFT's. In order to compete with well-established a-Si TFT-LCD technology, LTPS process has to be as simple as possible. One of the most critical processes, recrystallization of a-Si thin films, could be the process for the differentiation of LTPS technology. Along with these technical reviews, a recent development of the 5.0-inch LTPS TFT-LCD is presented. In order to achieve high-performance display characteristics and save the power consumption, the transflective mode is adopted. The 5.0-inch display with 186 pixel-per-inch, high-resolution LCD was measured to be 10% for the reflectance and 70:1 for the contrast ratio. This display is designed for a high information content hand-held PC (HHPC) application.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제12권9호
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• pp.1615-1622
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• 2008

경사형 스페이서와 LDD 영역을 갖는 다결정 실리콘 TFT를 제작하였다. 소자 특성의 신뢰성을 위해 수소($H_2$)와 수소/플라즈마 처리 공정으로 수소 처리된 n-채널 다결정실리콘 TFT 소자를 제작하였다. 소자에 최대 누설전류의 게이트 전압 조건에서 소자에 스트레스를 인가시켰다. 게이트 전압 스트레스 조건에 의해 야기되는 열화 특성인자들인 드레인 전류, 문턱전압($V_{th}$), 부-문턱전압 기울기(S), 최대 전달 컨덕턴스($g_m$), 그리고 파워인자 값을 측정/추출하였으며, 수소처리 공정이 소자 특성의 열화 결과에 미치는 관계를 분석하였다. 특성 파라미터의 분석 결과, 수소화 처리시킨 n-채널 다결정 실리콘 박막 트랜지스터에서 열화특성의 원인들은 다결정실리콘/산화막의 계면과 다결정 실리콘의 그레인 경계에서 실리콘-수소 본드의 해리에 의한 현수 본드의 증가이었다. 따라서 새로 제안한 다결정 TFT의 구조는 제작 공정 단계가 간단하며, 소자 특성에서 누설전류가 드레인 영역 근처 감소된 수평 전계에 의해 감소되었다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2008년도 International Meeting on Information Display
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• pp.205-207
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• 2008

The new process for hybrid silicon thin film transistor (TFT) using DPSS laser has been developed for realizing both low-temperature poly-Si (LTPS) TFT and a-Si:H TFT on the same substrate as a backplane of active matrix liquid crystal display. LTPS TFTs are integrated on the peripheral area of the panel for gate driver integrated circuit and a-Si:H TFTs are used as a switching device for pixel in the active area. The technology has been developed based on the current a-Si:H TFT fabrication process without introducing ion-doping and activation process and the field effect mobility of $4{\sim}5\;cm^2/V{\cdot}s$ and $0.5\;cm^2/V{\cdot}s$ for each TFT was obtained. The low power consumption, high reliability, and low photosensitivity are realized compared with amorphous silicon gate driver circuit and are demonstrated on the 14.1 inch WXGA+ ($1440{\times}900$) LCD Panel.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1997년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.168-171
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• 1997

TFT2DS was developed to provide the usefulness as an analytic and design tool. The static characteristics of a-Si:H TFTs demonstrated a good agreement between simulated and measured data. This paper shows that TFT2DS can optimize the physical parameters of a-Si:H through sensitivity simulations and compute the static characteristics of a-Si:H TFTs. Moreover, through the sensitivity study of the parameters, it is shown that the optimizations of both the physical parameters of a-Si:H and the parameters of a-Si:H deposition, which must be inter-related, might be possibl.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권1호
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• pp.745-748
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• 2007

Hydrogenated amorphous silicon thin film transistors (a-Si:H TFTs) were fabricated on a flexible metal substrate at $150\;^{\circ}C$. To increase the stability of the flexible a-Si:H TFTs, they were thermally annealed at $230\;^{\circ}C$. The field effect mobility was reduced because of the strain in a- Si:H TFT under thermal annealing.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제10권1호
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• pp.111-116
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• 2006

본 연구에서는 비정질 실리콘 박막 트랜지스터를 스위칭소자로 포토센서를 구동 하는 방식의 이미지 센서를 구현하고자 한다. 먼저 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 진공 증착장비로 최적의 비정질실리콘 박막을 형성하고, 이 박막을 이용하여 스위칭소자인 박막트랜지스터와 광전변환소자인 광다이오드를 제조한다. 또한 이들을 결합하여 이미지 센서를 형성하고 그 특성 및 동작을 분석하고 최적의 동작특성을 이끌 수 있는 밀착이미지 센서를 제조한다. 제작한 이미지 센서를 측정한 결과 광전변환소자인 photodiode는 암전류의 경우 $\~10^{-l2}A$정도였으며, 광전류 $\~10^{-9}A$정도로서 Iphoto/Idark ${\ge}10^3$ 이상을 이루어 좋은 광전변환 특성을 갖고 있었다. 또한 a-Si:H TFT의 경우 Ioff ${\le}10^{-l2}A$, Ion ${\le}10^{-6}A$ 으로서 Ion/Ioff ${le}10^6$ 이상을 나타냈으며 Vth는 $2\~4$ volts였고, Id는 수 ${\mu}A$ 정도로 photodiode를 스위치하기에 충분한 전류-전압특성을 나타내고 있다. 이미지 센서 전체 동작 특성을 측정하기 위하여 photodiode의 ITO쪽에 -5volts의 역 bias를 가한 상태에서 TFT의 gate에 $70\;{\mu}sec$의 pulse를 가하여 photodiode에서 생성된 광전류 와 암전류를 측정하였다. 이렇게 하여 측정된 전압은 암상태에서 수십 mvolts이고, 광상태에서는 수백 mvolts로 나타나 우수한 이미지센서 특성을 갖고 있음을 확인하였다.