• 제목/요약/키워드: ZnO Thick Film

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$ZnO-{B_2}{O_3}-{SiO_2}-PbO$계 유리와 $ZrB_2$분말의 소결체의 특성 (Characteristics of Sintered Composites for $ZnO-{B_2}{O_3}-{SiO_2}-PbO$ Glass and $ZrB_2$Powders)

  • 송현진;이병철;류봉기
    • 한국재료학회지
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    • 제11권7호
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    • pp.562-568
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    • 2001
  • 60ZnO-20B$_2$O$_3$-10SiO$_2$-10PbO의 조성을 가진 결정성 봉착용 유리분말과 ZrB$_2$분말을 출발물질로 사용하여 Na분위기 하에서 소결한 복합소결체를 저항체 후막으로써 사용가능성을 검토하였다. 도전성입자 ZrB$_2$는 소결중 매우 민감한 산화특성을 나타내었으며, 이것은 로내 또는 시편내에 잔류된 미량의 산소 및 유리성분 중 B$_2$O$_3$의 반응에 의한 배위수 변화과정에서 유리되는 산소가 원인으로 될 수 있다는 것을 시편의 밀도 및 부피변화 등을 통해 확인되었다. 각 혼합물의 소결온도와 혼합비 변화에 따라 내부조직의 변화와 함께 10~$10^{5}{\Omega}/cm^2$정도의 제어 가능한 저항값을 얻을 수 있었다. 이러한 결과들로부터 유리기지 중에서 ZrB$_2$입자들의 치밀화 경향을 갖는 복합소성시편들에 대한 거시적인 관점에서 도전성경로형성 및 도전기구를 설명하였다.

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압전박막을 이용한 감압전장효과 트랜지스터(PSFET)의 동작 특성 (The Operational Characteristics of a Pressure Sensitive FET Sensor using Piezoelectric Thin Films)

  • 양규석;조병욱;권대혁;남기홍;손병기
    • 센서학회지
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    • 제4권2호
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    • pp.7-13
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    • 1995
  • MOSFET의 전장효과와 압전물질의 압전효과를 결합한 새로운 FET형 반도체압력소자(PSFET : pressure sensitive field effect transistor)를 제조하고 동작 특성을 조사하였다. PSFET의 압전박막은 RF 마그네트론 스퍼터링으로 ZnO박막을 약 $5000{\AA}$ 게이트 위에 성막하였다. ZnO 압전박막의 최적 c-축 배향분극 구조를 얻기 위한 막 제조조건은 기판온도가 $300^{\circ}C$, RF 전력이 140W, 작업 분위기압은 5mtorr였으며, 플라즈마가스는 아르곤이었다. 제조된 PSFET는 적용된 압력범위($1{\times}10^{5}\;Pa{\sim}4{\times}10^{5}\;Pa$)에서 비록 감도는 낮으나 비교적 안정한 동작특성을 나타내었다.

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ITZO (In-Sn-Zn-O) 박막의 전기적 및 광학적 특성의 두께 의존성 (Thickness Dependence of Electrical and Optical Properties of ITZO (In-Sn-Zn-O) Thin Films)

  • 강성준;정양희
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제21권7호
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    • pp.1285-1290
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    • 2017
  • 본 연구에서는 고주파 마그네트론 스퍼터링 법으로 두께를 변화시켜가며 유리기판 위에 ITZO 박막을 제작하여 전기적, 광학적, 구조적 특성을 조사하였다. ITZO 박막의 두께가 증가함에 따라 면저항은 현저하게 감소하는 추세를 보였으나, 비저항은 ITZO 박막의 두께와 무관하게 $5.06{\pm}1.23{\times}10^{-4}{\Omega}{\cdot}cm$의 거의 일정한 값을 나타내었다. ITZO 박막의 두께가 증가할수록 투과도 곡선이 장파장 쪽으로 이동하였다. 두께 360 nm 인 ITZO 박막의 가시광 영역에서와 P3HT : PCBM 유기물 활성층의 흡수 영역에서의 재료평가지수는 각각 $8.21{\times}10^{-3}{\Omega}^{-1}$$9.29{\times}10^{-3}{\Omega}^{-1}$로 가장 우수한 값을 나타내었다. XRD와 AFM 측정을 통해, 두께에 상관없이 모든 ITZO 박막이 비정질 구조이며 표면 거칠기는 0.309에서 0.540 nm 범위로 매우 부드러운 표면을 가지고 있음을 확인할 수 있었다. 본 연구를 통해 비정질 ITZO 박막이 유기박막 태양전지에 매우 유망한 재료라는 것을 알 수 있었다.

Thermal Improvements for 2.75 GHz-FBAR Devices

  • Mai, Linh;Lee, Jae-Young;Pham, Van-Su;Kabir, S. M. Humayun;Dong, Hoai-Bac;Yoon, Gi-Wan
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국해양정보통신학회 2007년도 추계종합학술대회
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    • pp.196-199
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    • 2007
  • In this paper, we studied a ZnO-based film bulk acoustic wave resonator (FBAR) device fabricated on top of a novel multi-layered Bragg reflector with chromium adhesion layers $(0.03{\mu}m-thick)$ inserted. The performance of FBAR device could be significantly improved using proper thermal treatments. At ${\sim}2.75$ GHz, we could achieve good return loss and quality factor (Q). This device fabrication technique will be useful for the future mobile WiMAX applications.

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CIGSe2 박막태양전지용 Mo 하부전극의 물리·전기적 특성 연구 (A Study of Mo Back Electrode for CIGSe2 Thin Film Solar Cell)

  • 최승훈;박중진;윤정오;홍영호;김인수
    • 한국진공학회지
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    • 제21권3호
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    • pp.142-150
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    • 2012
  • CIGS 박막 태양전지 기판소재인 소다라임유리 표면에 플라즈마 전처리 후 DC 마그네트론 스퍼터링 방법으로 Mo 박막을 제조하였다. 증착압력과 증착시간 변화에 따른 Mo 박막의 물리적, 전기적 특성을 분석하였고, 셀렌화 처리 조건에 따른 $MoSe_2$ 생성 여부와 경향성을 연구하였으며, Mo 박막 두께에 따른 AZO/i-ZnO/CdS/CIGS/Mo/SLG 구조의 태양전지를 제조하여 그 특성을 분석 및 평가하였다. 증착압력이 4.9 mTorr에서 1.3 mTorr로 감소할수록 치밀하고 결정입자 사이의 공극이 적고, 증착속도가 감소하고 전기저항도가 낮은 Mo 박막이 증착되었다. 증착온도가 상온에서 $200^{\circ}C$로 증가할수록 Mo 박막은 치밀한 구조를 가지고 결정성은 향상되어 면저항이 낮게 나타났다. 셀렌화 시간이 길어질수록 Mo 박막 층은 줄어들고, $MoSe_2$ 층 생성두께가 커지는 것을 알 수 있었고, 열처리로 인해 결정화 되면서 전체 박막의 두께가 줄어들었으며, $MoSe_2$ 층의 배양성은 c축이 Mo 표면과 수직 방향으로 성장된 것을 알 수 있었다. Mo 박막의 두께가 1.2 ${\mu}m$와 0.6 ${\mu}m$인 AZO/i-ZnO/CdS/CIGS/Mo/SLG 구조로 이루어진 CIGS 박막 태양전지를 제조하였다. Mo 박막의 두께가 1.2 ${\mu}m$일 때 보다 0.6 ${\mu}m$일 때 CIGS 박막 태양전지의 변환 효율은 9.46%로 비교적 우수한 특성을 나타났다. CIGS 박막 태양전지에서 하부전극인 Mo 박막 특성은 유리기판 및 광흡수 층과의 계면 형성 따라 큰 영향을 미친다는 것을 알 수 있었고, 유리기판의 플라즈마 처리와 Mo 박막의 두께조절로 Na 효과 및 $MoSe_2$층 형성 제어함으로써 CIGS 박막 태양전지의 특성 개선에 효과를 가질 수 있었다.

Ag 나노완충층 두께에 따른 AZO/Ag 투명전극의 전기광학적 특성 연구 (Influence of Ag Nano-buffer Layer Thickness on the Opto-electrical Properties of AZO/Ag Transparent Electrode Films)

  • 엄태영;송영환;문현주;김대현;조윤주;김대일
    • 열처리공학회지
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    • 제29권6호
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    • pp.272-276
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    • 2016
  • Al doped ZnO (AZO) single layer and AZO/Ag bi-layered films were deposited on the glass substrates by radio frequency and direct current magnetron sputtering and then the effect of Ag buffer layer on the electrical and optical properties of the films was investigated. The thicknesses of AZO upper layer was kept as 100 nm, while Ag buffer layer was varied from 5 to 15 nm. The observed results mean that opto-electrical properties of the AZO films is influenced with Ag buffer layer and AZO film with 10 nm thick Ag buffer layer show the higher opto-electrical performance than that of the AZO single layer film prepared in this study.

CO/HC 가스 인식을 위한 소형 전자코 시스템의 제작 및 특성 (Fabrication and Characterization of Portable Electronic Nose System for Identification of CO/HC Gases)

  • 홍형기;권철한;윤동현;김승렬;이규정;김인수;성영권
    • 센서학회지
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    • 제6권6호
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    • pp.476-482
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    • 1997
  • 주성분 분석 및 역전달 인공 신경망의 패턴 인식 기법과 산화물 반도체 가스센서 어레이를 사용한 소형 전자코 시스템을 제작하여 그 특성을 평가하였다. 센서 어레이로서 Pd가 첨가된 $WO_{3}$, Pt가 첨가된 $SnO_{2}$, $TiO_{2}-Sb_{2}O_{5}-Pd$가 첨가된 $SnO_{2}$, $TiO_{2}-Sb_{2}O_{5}-Pd$가 첨가된 후 Pd 코팅층이 형성된 $SnO_{2}$, $Al_{2}O_{3}$가 첨가된 ZnO 및 $PdCl_{2}$가 첨가된 $SnO_{2}$ 등의 6가지 조성의 감지재료가 사용되었다. 전자코 시스템 하드웨어는 CPU로서 16bit의 Intel 80c196kc, 시스템 동작 프로그램의 저장을 위한 EPROM, 인공 신경망의 최적화된 가중치의 다운로딩을 위한 EEPROM, 가스농도의 결과 표시를 위한 LCD 등으로 구성하였다. 시스템의 성능 평가를 위해 자동차에서 배출되는 환경오염 물질인 CO/HC 가스(CO 0%/HC 0 ppm 에서 CO 7.6%/HC 400 ppm 까지 범위의 26가지 CO/HC 혼합가스 패턴)에 대한 인식 실험 결과 우수한 특성을 얻을 수 있었다.

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Pb(Z$n_{1/3}$N$b_{2/3}$)$O_3$-Pb(N$i_{1/3}$N$b_{2/3}$)$O_3$-PZT와 PLZT를 경사조성으로 하는 경사기능 압전엑튜에이터의 제조와 물성 (Processing and Properties of FGM Piezoelectric Actuator with Gradient Composition of Pb(Z$n_{1/3}$N$b_{2/3}$)$O_3$-Pb(N$i_{1/3}$N$b_{2/3}$)$O_3$-PZT and PLZT)

  • 김한수;최승철;최진호
    • 한국재료학회지
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    • 제3권3호
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    • pp.261-271
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    • 1993
  • 4.5 Pb($Zn_{1/3}Nb_{2/3})O_3-40.5Pb(Ni_{1/3}Nb_{2/3})O_3$-55PZT와 PLZT(10/70/30, 11/60/40)를 경사조성으로 하여 경사기능 재료를 제조하였으며, 그 유전 특성과 압전 변형율 특성을 조사하였다. 경사기능재료는 A/B/A의 세층으로 성형하고 소결한 후 한 층을 연마해내어 제작하였다. 닥터블레이드용 슬립에는 acrylic계 유기 결합제가 34-36wt% 혼합되었으며, 건조 후 균열이 없는 양호한 thick film을 제조하였다. $1250^{\circ}C$, 2시간의 소성에 의해 경사기능화된 시편은 Nb와 La등의 조성 차이에 의한 구배를 이루었으며, 구배영역은 약 30${\mu}$m 정도였다. 경사기능재료에서 유전상수나 큐리온도롸 같은 유전특성은 조합한 조성층의 특성들사이의 값을 나타내었다. 인가 전압에 따른 변형율 특성은 단일 조성의 시편보다 현저하게 증가하였다. 실제로 경사기능 압전엑튜에이터를 제조한 결과 약 3${\mu}$m/100V 정도의 변위향을 나타내었다.

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$In_2Se_3$$Cu_2Se$를 이용한 $CuInSe_2$박막제조 및 특성분석 (Fabrication and Characterization of $CuInSe_2$Thin Films from $In_2Se_3$ and$Cu_2Se$Precursors)

  • 허경재;권세한;송진수;안병태
    • 한국재료학회지
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    • 제5권8호
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    • pp.988-996
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    • 1995
  • CdS/CuInSe$_2$태양전지의 광흡수층인 CuInSe$_2$박막을 In$_2$Se$_3$와 Cu$_2$Se 이원화합물을 precursor로 하여 진공증발법으로 제조하였고 특성을 분석하였다. 먼저 유리기판위에 0.5$\mu\textrm{m}$ 두께의 In$_2$Se$_3$를 susceptor온도를 변화시켜가면서 증착한 결과 40$0^{\circ}C$에서 가장 평탄하고 치밀한 박막이 형성되었다. 그 위에 Cu$_2$Se$_3$를 진공증발시켜 증착함으로써 in-situ로 CuInSe$_2$박막을 형성시키고 In$_2$Se$_3$를 추가로 증발시켜 CuInSe$_2$박막내에 존재하는 제 2상인 Cu$_2$Se를 제거시켰다. 이 경우 susceptor온도가 $700^{\circ}C$ 일때 미세구조가 가장 좋은 CuInSe$_2$박막이 형성되었으며 약 1.2$\mu\textrm{m}$ 두께에서 약 2$\mu\textrm{m}$의 결정립크기와 (112) 우선배향성을 가졌다. 추가 In$_2$Se$_3$양이 증가함에 따라 CuInSe$_2$박막의 조성편차보상으로 hole 농도가 감소하고 전기 비저항이 증가하였고, optical bandgap은 거의 일정한 값인 1.04eV의 값을 가졌다. Mo/유리기판 위에 증착한 CuInSe$_2$박막도 유리기판 위에 증착한 박막과 비슷한 미세구조를 가졌으며, 이 박막을 토대로 ZnO/CdS/CuInSe$_2$/Mo 구조를 갖는 태양전지 구현이 가능할 것으로 생각된다.

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다목적용 치과용 금합금의 소성 시 냉각속도와 계류시간에 따른 경도와 미세구조의 변화 (Hardness and microstructural changes by cooling rate and holding time during porcelain firing of a multi-purpose dental gold alloy)

  • 조미향
    • 대한치과기공학회지
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    • 제33권4호
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    • pp.271-281
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    • 2011
  • Purpose: The aim of this study is to investigate the changes in hardness and microstructure of a dental multipurpose alloy after simulated complete firing with controlled cooling rate and holding time by characterizing the changes in hardness and microstructure after simulated firing with various cooling rates and holding times. Methods: Before hardness testing, the specimens were solution treated and then were rapidly quenched into ice brine. The specimens were completely fired in furnace. Hardness measurements were made using a Vickers microhardness tester. The specimens were examined at 15 kV using a field emission scanning electron microscope. Results: The maximum hardness value was obtained at stage 0 after simulated firing with various cooling rates (quick cooling, stage 0, stage 1, stage 2, stage 3). By the repetitive firing, the hardness of the tested alloy decreased gradually. By holding the specimen at $500^{\circ}C$ for 10-20min after simulated firing, the hardness increased apparently. However, to hold the alloy for long periods of time in the relatively high temperature after simulated firing resulted in the formation of thick oxidation layer. The oxide film formed on the surface of the alloy after simulated complete firing with controlled cooling rate, which was mainly composed of O and Zn. Conclusion: It is reasonable to hold the alloy at $500^{\circ}C$ for 10-20min after complete firing in other to improve the final hardness of the alloy.