ANSI FORTRAN 표준화 위원회(X3J3)는 새로운 America National Standard Fortran의 초안을 마련하였다. 또한 이 초안은 여러 부분을 취급하였고 전체적으로도 규명하고 있다. 부분적으로는 처리시 최소한의 기억용량 설정 Fortran Processor의 성장을 위한 개발 유지등에 노력했으며 전체적으로는 하나의 언어로 규정하였다. 1975년 8월에 새로운 Fortran을 위하여 아래 사항등이 ANSI X3J3에서 투표되었으며 가결되었다. 그 주요 내용을 현재 사용중인 ZBM 360/370 Fortran Language와 비교하여 열거해 보자.
We characterize some basic properties of fuzzy topological groups and semigroups and show that under some conditions in a fuzzy topological group G, $x{\in}\bar{A}$ iff $x{\cap}AU$ for any fuzzy subset A of G and the system {U} of all fuzzy open neighborhoods of the identity e such that $U(e)=1$.
In this paper, we explain how to get defining equations of the modular curves $X_1(2,2N)$ which show the moduli problems and present defining equations of $X_1(2,2N)$ for $N=2,3,{\ldots},8$.
Journal of the Korean Institute of Intelligent Systems
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v.8
no.3
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pp.67-70
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1998
If there exists a fuzzy continuous function from a fuzzy topological space (X, T) onto the discrete fuzzy toplogical space with two elements, then the space (X, T) is fuzzy disconnected. However, the converse is not true at all. We introduce an example for this and suggest a sufficient condition for which the converse holds.
In this paper, we use the notion of characters of transformations provided in [8] by Purisang and Rakbud to define a notion of weak regularity of transformations on an arbitrarily fixed set X. The regularity of a semigroup of weakly regular transformations on a set X is also investigated.
In aqueous rechargeable lithium ion batteries, $LiV_3O_8$ exhibits obviously enhanced electrochemical performance after $AlF_3$ surface modification owing to improved surface stability to fragile aqueous electrolyte. The cycle life of $LiV_3O_8$ is significantly enhanced by the presence of an $AlF_3$ coating at an optimal content of 1 wt.%. The results of powder X-ray diffraction, energy dispersive X-ray spectroscopy, X-ray photoelectron spectroscopy, inductively coupled plasma-optical emission spectrometry, and galvanostatic charge-discharge measurements confirm that the electrochemical improvement can be attributed mainly to the presence of $AlF_3$ on the surface of $LiV_3O_8$. Furthermore, the $AlF_3$ coating significantly reduces vanadium ion dissolution and surface failure by stabilizing the surface of the $LiV_3O_8$ in an aqueous electrolyte solution. The results suggest that the $AlF_3$ coating can prevent the formation of unfavorable side reaction components and facilitate lithium ion diffusion, leading to reduced surface resistance and improved surface stability compared to bare $LiV_3O_8$ and affording enhanced electrochemical performance in aqueous electrolyte solutions.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.21
no.5
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pp.199-204
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2011
$(YSmNd)_{1.8}Ba_{2.4}Cu_{3.4}O_{7-x}$ [(YSN)1.8] high $T_c$ superconductor was directionally grown by zone melt growth process, in air atmosphere. In this study, optimum melting temperature and growth rate were $1100^{\circ}C$ and 3.5 mm/hr, respectively. The microstructure of well-textured (YSN)1.8 samples were examined by XRD, optical microscopy, TEM and SQUID magnetometer. The critical current density of these samples were measured by the direct transporting current method. In the observation using an optical microscopy, nonsuperconducting $(YSmNd)_2BaCuO_5$[(YSN)211] inclusions of (YSN)1.8 superconductor uniformly distributed within the superconducting (YSmNd)$Ba_2Cu_3O_x$[(YSN)123] matrix. The directionally melt-textured (YSN)1.8 superconductor showed an onset $T_c{\geq}90\;K$ and sharp superconducting transition. The transport $J_c$ values were 830 A and $3.93{\times}10^4$ (A/$cm^2$) at 77 K self-field, respectively.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.43
no.3
s.345
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pp.48-58
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2006
This paper presents 8x8 two dimensional DCT/IDCT processor of adder-based distributed arithmetic architecture without applying ROM units in conventional memories. To reduce hardware cost in the coefficient matrix of DCT and IDCT, an odd part of the coefficient matrix was shared. The proposed architecture uses only 29 adders to compute coefficient operation in the 2-D DCT/IDCT processor, while 1-D DCT processor consists of 18 adders to compute coefficient operation. This architecture reduced 48.6% more than the number of adders in 8x8 1-D DCT NEDA architecture. Also, this paper proposed a form of new transpose network which is different from the conventional transpose memory block. The proposed transpose network block uses 64 registers with reduction of 18% more than the number of transistors in conventional memory architecture. Also, to improve throughput, eight input data receive eight pixels in every clock cycle and accordingly eight pixels are produced at the outputs.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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